三星集團（Samsung Group）宣布180兆韓元（約1，600億美元）3年投資計劃，其中100兆韓元（約890億美元）將用于半導(dǎo)體領(lǐng)域，韓國業(yè)界指出，近期三星電子（Samsung Electronics）半導(dǎo)體部門已開始草擬100兆韓元投資方案，可能于平澤半導(dǎo)體園區(qū)再建新廠，若以投資金額推估，未來三星平澤園區(qū)恐出現(xiàn)第二、三座、甚至第四座半導(dǎo)體廠，恐加深市場供給過剩疑慮。

根據(jù)韓媒引述業(yè)界消息指出，三星可能不考慮存儲器供給過剩與價格下滑擔(dān)憂，決定采取更積極的進擊投資，主要在于三星判斷半導(dǎo)體景氣循環(huán)模式已不同于過往，未來仍具有相當高的成長潛力，加上面對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強勢崛起，三星認為必須以最先進及穩(wěn)定的技術(shù)，構(gòu)筑更高的護城河，讓國內(nèi)業(yè)者難以跨過門檻。

三星預(yù)期半導(dǎo)體景氣循環(huán)模式將與過去不同，隨著自駕車、人工智能（AI）等工業(yè)4.0革命到來，全球半導(dǎo)體市場需求可望激增，除了目前既有的PC、智能手機等產(chǎn)品外，包括自駕車、云端運算等新興產(chǎn)業(yè)，以及深度學(xué)習(xí)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等AI相關(guān)技術(shù)加速發(fā)展，讓資料處理量大增，均將帶動半導(dǎo)體市場大幅成長。

此外，面對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)崛起，三星決定采取先發(fā)制人的進擊式投資策略，借以拉大與競爭對手差距，透過擴大投資戰(zhàn)略，維持領(lǐng)先者的優(yōu)勢地位。

三星半導(dǎo)體部門已開始對100兆韓元擬定投資方案，如果從金額推估，未來三星可能于平澤半導(dǎo)體園區(qū)再建3座半導(dǎo)體廠，三星系于2015年5月決定于占地面積88萬坪的平澤半導(dǎo)體園區(qū)內(nèi)興建平澤一廠，2017年完工后開始量產(chǎn)3D NAND Flash，投資額約35兆韓元（約310億美元）。

三星平澤園區(qū)正式啟用后，加上三星器興園區(qū)及華城園區(qū)，形成全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)聚落。目前平澤一廠僅使用平澤半導(dǎo)體園區(qū)約4分之1的土地，從平澤園區(qū)占地面積來看，未來三星于平澤園區(qū)再興建第二、三座、甚至第四座半導(dǎo)體廠都有可能。

盡管無法得知三星半導(dǎo)體部門規(guī)劃生產(chǎn)的產(chǎn)品類別，但推測三星應(yīng)會對領(lǐng)先的存儲器市場先進行進擊式投資，目前三星在全球DRAM與NAND Flash市占皆是第一，市占率分別為46%與36%，若未來三星在平澤園區(qū)再興建3座新廠，屆時存儲器產(chǎn)業(yè)恐陷入供給過剩困境。

三星存儲器2017年營收約60兆韓元（約530億美元），營業(yè)利益約33兆韓元（約290億美元），營業(yè)利益率達55%，預(yù)估2018年三星存儲器部門營運表現(xiàn)可望更為亮眼。不過，盡管三星全力布局AI、自駕車等尖端半導(dǎo)體市場，期望擴大非存儲器產(chǎn)品陣容，然現(xiàn)階段三星半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展主軸仍可能鎖定存儲器領(lǐng)域。