硫系化合物隨機(jī)存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
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）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）。Rambus公司的杰出發(fā)明家和營銷方案副總裁Steven Woo說：“經(jīng)典存儲架構(gòu)中有一個需要填補(bǔ)的空白。這些新型存儲器中有一兩種會生存下來，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:472282 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
到目前為止，新興的非易失性存儲器(eNVM)，如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM)，由于可擴(kuò)展性差、成本高以及缺乏主要內(nèi)存制造商的支持
2019-04-28 11:22:062950 你好! 現(xiàn)在我有個問題想請教大家， 我怎么做一個3D圖像的渦輪扇葉然后通過控制器調(diào)整它的速度然后再3D圖像中開始轉(zhuǎn)并且根據(jù)控制量改變在3D圖像中轉(zhuǎn)的快慢？怎么在3D圖像中仿真水平面 并且有相應(yīng)的變化！希望大家能給我有任何指教！
2016-11-30 23:25:31
。一個常用的方法是在收集所有故障位坐標(biāo)的基礎(chǔ)上生成故障位圖，并逐一發(fā)送給測試人員。更為有效的是，遇到的故障可以檢索。本文介紹了一種在SoC嵌入式存儲器測試期間壓縮診斷信息方法。更具體地說，該方法被
2022-09-07 15:08:41
和非易失性存儲器就萬事大吉了么？令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲器，它既是非易失的，同時又是能夠高速隨時讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說能夠隨機(jī)存取的。這種存儲器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
”(storage)裝置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">存儲器的特性包括快速的數(shù)據(jù)儲存/檢索能力、有限的容量，以及較儲存更高的成本。另
一方面，儲存的特性包括明顯更大的容量，但較
存儲器的數(shù)據(jù)儲存/檢索
速度慢，成本也更低?；旧希绕?/div>
2017-07-20 15:18:57
存儲器存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展，CPU的速度變化迅速，但存儲器的速度增加得較慢。這使得計算機(jī)的速度在很大程度上受限于存儲器速度。為了解決這個問題，設(shè)計了
2022-01-19 06:35:54
失是指存儲器斷電后，里面存儲的內(nèi)容是否會丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。1.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機(jī)制，可以...
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)，所以
2017-10-24 14:31:49
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
一種存儲器的編碼方法，應(yīng)用于包含存儲器的裝置，存儲器中包含第一存儲體、第二存儲體和第三存儲體，包括：獲取存儲器的帶寬信息；依據(jù)帶寬信息選取編碼操作的操作時機(jī)；在到達(dá)操作時機(jī)時，檢測針對第一存儲體
2019-11-15 15:44:06
設(shè)計需求相變存儲器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長，數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
。使用圖形化用戶界面（GUI）來配置各種DDR3控制器參數(shù)是一種簡便的方法，為目標(biāo)系統(tǒng)快速創(chuàng)建正確的控制器。所有的參數(shù)都需要確定，如：存儲器寬度、深度、速度和延遲。每一類配置參數(shù)都有其獨(dú)立的選項卡，有助于
2019-05-24 05:00:34
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
存儲器相同的通道進(jìn)行訪問，從而較之前的架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了顯著的增強(qiáng)。該通道的寬度是之前器件的兩倍，而速度則為一半，從而大幅降低了到達(dá)外部 DDR3 存儲器控制器（通過 XMC 和 MSMC）的時延。在此
2011-08-13 15:45:42
Static RAM（SRAM），指的是一種具有靜止時存取功能，在不需要刷新電路的情況下依然可以保持內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的存儲芯片。 一般來說有兩個主要的規(guī)格：1. 一種是放置于單片機(jī)CPU與主存儲之間
2017-06-02 10:45:40
問題： 1 什么是存儲器映射？是怎么一個運(yùn)作過程？2 Stm32總體架構(gòu)3CM3內(nèi)核結(jié)構(gòu)1 STM32系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 要想深刻理解STM32的存儲器，需要首先知道STM32的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。如Figure 1
2018-08-14 09:22:26
數(shù)據(jù)存儲架構(gòu)發(fā)生變化，一個表現(xiàn)在QLC的大容量，另一個是3D Xpoint技術(shù)的高性能、低延遲。目前IBM云服務(wù)、騰訊數(shù)據(jù)中心分別采用傲騰和QLC技術(shù)，百度云人工智能更是結(jié)合了QLC和傲騰的優(yōu)勢，達(dá)到
2018-09-20 17:57:05
當(dāng)3D電影已成為影院觀影的首選，當(dāng)3D打印已普及到雙耳無線藍(lán)牙耳機(jī)，一種叫“3D微波”的技術(shù)也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應(yīng)用在哪個場景？是不是用這種技術(shù)的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
外存儲器 外儲存器是指除計算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。 外存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度
2019-06-05 23:54:02
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對浮柵存儲技術(shù)的堅持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們越來越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
閱讀哦?！ ?b class="flag-6" style="color: red">一、存儲器卡 存儲器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒有任何的加密保護(hù)措施 ，對于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
EEPROM的變種，變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM：
這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個字節(jié)，可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37
用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內(nèi)容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線就象“消
2017-03-25 10:22:51
只能用寫一次，要是寫錯了，就報銷了。（現(xiàn)在已經(jīng)被淘汰）EPROM，稱之為紫外線擦除的可編程只讀存儲器。它里面的內(nèi)容寫上去之后，如果覺得不滿意，能用一種特殊的辦法去掉后重寫，這就是用紫外線照射，紫外線
2018-06-12 10:35:10
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
。使用圖形化用戶界面（GUI）來配置各種DDR3控制器參數(shù)是一種簡便的方法，為目標(biāo)系統(tǒng)快速創(chuàng)建正確的控制器。所有的參數(shù)都需要確定，如：存儲器寬度、深度、速度和延遲。每一類配置參數(shù)都有其獨(dú)立的選項卡，有助于
2019-05-27 05:00:02
本文介紹一種基于虛擬存儲器的USB下載線設(shè)計。
2021-05-27 06:07:33
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨(dú)有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗的目的是什么？怎樣去設(shè)計一種擴(kuò)展存儲器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲器讀寫實(shí)驗的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
。然而，現(xiàn)在新一代中檔的FPGA提供這些塊、高速FPGA架構(gòu)、時鐘管理資源和需要實(shí)現(xiàn)下一代DDR3控制器的I/O結(jié)構(gòu)。那么，究竟怎么做，才能用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲器控制器呢？
2019-08-09 07:42:01
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
您好，我在MCU上使用程序內(nèi)存的一部分作為NVM（非易失性存儲器）。我已經(jīng)設(shè)法寫和讀，但是現(xiàn)在我面臨的問題是，我想避免編譯器覆蓋我用于NVM的程序內(nèi)存空間。MCU是PIC32 MX230F064 D。程序存儲器的最后一頁是NVM的一頁。謝謝，問候，
2019-09-18 10:31:51
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時的重新定位問題？怎么實(shí)現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
3D視覺技術(shù)有何作用？常見的3D視覺方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
致性協(xié)議用于維護(hù)由于多個處理器共享數(shù)據(jù)引發(fā)的多處理器數(shù)據(jù)一致性問題。論述了一個適用于64位多核處理器的共享緩存設(shè)計，包括如何實(shí)現(xiàn)多處理器緩存一致性及其全定制后端實(shí)現(xiàn)。本文介紹了一種共享高速存儲器模塊
2021-02-23 07:12:38
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
網(wǎng)絡(luò)附屬存儲技術(shù)被定義為一種特殊的專用數(shù)據(jù)存儲服務(wù)器，包括存儲器件（例如磁盤陣列、CD/DVD驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器或可移動的存儲介質(zhì)）和內(nèi)嵌系統(tǒng)軟件，可提供跨平臺文件共享功能。
2019-09-12 09:10:10
是第一個推出1Tb級產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質(zhì)都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么設(shè)計一種面向嵌入式存儲器測試和修復(fù)的IIP？如何解決設(shè)計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復(fù)技術(shù)的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
檢錯與糾錯的原理是什么？基于CPLD的容錯存儲器的設(shè)計實(shí)現(xiàn)
2021-05-07 06:02:42
網(wǎng)絡(luò)存儲器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計一種網(wǎng)絡(luò)存儲器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一
2011-11-21 10:49:57
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
（Smart VoltageRegulator）；另一種方法是通過給控制柵加上負(fù)電壓（-10V左右），擠出浮置柵中的電荷（負(fù)極門擦除法）。各種電壓提供方式如圖 3 所示。圖 4 圖示了閃速存儲器單元的電壓
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘要：磁電存儲器不僅存取速度快、功耗小，而且集動態(tài)RAM、磁盤存儲和高速緩沖存儲器功能于一身，因而已成為動態(tài)存儲器研究領(lǐng)域的一個熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:371460 
相變存儲器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55751 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:032895 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46634 
相變存儲器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22630 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371141 相變存儲器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲器技術(shù)。PCM存儲單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:00961 相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:421953 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542 
耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計算機(jī)隨機(jī)存取存儲器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001567 Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003158 多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲器都對應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器，最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054082 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計算機(jī)系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應(yīng)計算機(jī)技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器
2019-03-19 15:43:016997 
據(jù)介紹，相變存儲器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲器，而目前通用的存儲器技術(shù)主要是動態(tài)隨機(jī)存儲器和閃存兩種，占了95%的市場份額。
2019-08-27 17:19:221140 相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402042 
未來十年，存儲市場仍將繼續(xù)追求存儲的密度、速度和需求的平衡點(diǎn)。盡管各個廠家的技術(shù)側(cè)重點(diǎn)不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲器）對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:114532 
相變存儲器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:515090 在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:141968 目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
新興的非易失性存儲器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:251012 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:151205 
對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲器。為增進(jìn)大家對存儲器的認(rèn)識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 倍。 據(jù)了解，在新型存儲器中，相變存儲器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:00545 相變隨機(jī)存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 
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