中國存儲器發(fā)展已然爆發(fā)，下一階段將是進(jìn)一步完善頂層設(shè)計(jì)，助力產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展。2016年是“十三五”的開局之年，隨著第一階段目標(biāo)的順利完成，《推進(jìn)綱要》的實(shí)施工作也正式開啟了第二階段的序幕。4月19日召開的“網(wǎng)絡(luò)安全和信息化座談會”上，特別突出了信息技術(shù)對國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的巨大促進(jìn)作用，并從基礎(chǔ)技術(shù)、通用技術(shù)，非對稱技術(shù)、“殺手锏”技術(shù)，前沿技術(shù)、顛覆性技術(shù)等三個方面對核心信息技術(shù)發(fā)展進(jìn)行了部署，對新時期集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出更高的要求。

　　隨著《中國制造2025》、“互聯(lián)網(wǎng)+”行動指導(dǎo)意見等一系列國家戰(zhàn)略的持續(xù)深入實(shí)施，中國集成電路產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)保持平穩(wěn)快速的發(fā)展態(tài)勢。預(yù)計(jì)全年產(chǎn)業(yè)銷售額將超過4300億元，同比增速約20%。與此同時，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，芯片設(shè)計(jì)業(yè)比重將進(jìn)一步提升至約40%，可以為下游芯片制造和封裝測試環(huán)節(jié)帶來大量訂單，有效推動產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展。

　　同時，存儲器產(chǎn)品布局有望全面鋪開。今年以來，武漢，深圳、合肥、泉州等多地?cái)M布局或開工建設(shè)存儲器芯片生產(chǎn)線。全球存儲器業(yè)自1999年始，歷經(jīng)六次大的兼并與退出，廠家數(shù)量越來越少，至今為止DRAM方面只剩下三家，包括三星、海力士和美光。而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。存儲芯片領(lǐng)域很久沒有“新進(jìn)者”出現(xiàn)了。中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進(jìn)綱要》第一階段實(shí)施工作已取得顯著成果，也預(yù)示著下一輪全球存儲器發(fā)展的中心將逐步向中國轉(zhuǎn)移。

　　另外，中資“海淘”受審查壁壘影響步伐將趨緩。自2015年以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兼并重組、資本并購頻發(fā)，全年并購總金額超過1200億美元，中國企業(yè)（或者資本）也積極參與到這一進(jìn)程之中。美國外商投資委員會（CFIUS）一份報(bào)告指出，近三年中資并購案居美國國安審查首位，約占總數(shù)近1/5。中國如此大規(guī)模的并購行為也引發(fā)了各國高度警戒，紛紛采取防止關(guān)鍵技術(shù)外流的措施。CFIUS近一年來以威脅美國國家安全為由，封殺了多起中資參與的并購案，當(dāng)前，中國集成電路產(chǎn)業(yè)正處于快速上升期，國際并購是支撐這一階段發(fā)展的有效途徑，但由于操作層面經(jīng)驗(yàn)不足，在一定程度上引起了國際產(chǎn)業(yè)界的抵觸情緒。