本次操作的SRAM的型號(hào)是IS62WV51216，是高速，8M位靜態(tài)SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術(shù)，按照512K個(gè)字（16）位進(jìn)行組織存儲(chǔ)單元。
2023-07-22 14:58:56
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接下來(lái)宇芯電子介紹關(guān)于SRAM靈敏放大器的原理。在SRAM 中，讀操作開(kāi)始前，先要對(duì)兩條位線進(jìn)行預(yù)充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后，字線選中的存儲(chǔ)單元對(duì)位線進(jìn)行充放電。存儲(chǔ)單元尺寸很小
2020-05-09 17:39:15
引起的功耗。 SRAM的功耗包括動(dòng)態(tài)功耗（數(shù)據(jù)讀寫(xiě)時(shí)的功耗）和靜態(tài)功耗（數(shù)據(jù)保持時(shí)的功耗）。圖1 給出了一個(gè)用來(lái)分析SRAM功耗來(lái)源的結(jié)構(gòu)模型，在這個(gè)模型中，將SRAM的功耗來(lái)源分成三部分：存儲(chǔ)陣列、行(列
2020-05-18 17:37:24
，也不知道哪里出了錯(cuò)，請(qǐng)各位大俠幫我
分析分析，有用過(guò)
SRAM做過(guò)相關(guān)
操作的，如能給些建議，更加感謝！謝謝大家?guī)兔Γ?/div>
2013-07-24 22:41:55
SRAM芯片的引腳定義SRAM的讀寫(xiě)操作概述
2020-12-22 06:27:52
介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況：standby（空余），read（讀）和write（寫(xiě)）。 第一種情況：standby假如WL沒(méi)有選為上拉電阻，那么M5和M62個(gè)做為操縱用的晶體三極管處在
2020-09-02 11:56:44
介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況：standby（空余），read（讀）和write（寫(xiě)）。
2020-12-28 06:17:10
：1．用SRAM 6116芯片擴(kuò)展AT89C51單片機(jī)RAM存儲(chǔ)器（2KB）選擇8個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)單元的地址，分別存入不同內(nèi)容，做單個(gè)存儲(chǔ)器單元的讀/寫(xiě)操作實(shí)驗(yàn)。2．用SRAM 6116芯片擴(kuò)展AT89C51單片機(jī)RAM存儲(chǔ)器（8KB）必須使用譯碼器進(jìn)行擴(kuò)展；選擇8個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)單元的地址，分別存入不同內(nèi)
2021-12-08 06:14:13
︰引腳的功能是相對(duì)的，它是讓lSRAM知道要進(jìn)行讀取操作而不是寫(xiě)入操作。 SRAM的讀寫(xiě)操作概述 從Dout 引腳讀取lbit數(shù)據(jù)需要以下的步驟： SRAM讀取操作 1）通過(guò)地址總線把要讀取
2020-12-16 16:17:42
Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快，不需要刷新操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價(jià)格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
2019-04-16 09:20:18
的通路，稱(chēng)為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析存儲(chǔ)單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
本帖最后由 九點(diǎn)上班 于 2013-9-28 20:26 編輯
下面附件是讀寫(xiě)操作的簡(jiǎn)化圖,1.讀操作,假設(shè)Q=1兩條位線充電至2.5V,字線選取中后使M5和M6導(dǎo)通,右邊的位線維持在充電值而
2013-09-28 20:24:44
使用ld文件中內(nèi)存分布描述地址情況以STM32為例我來(lái)介紹一下情況，代碼過(guò)幾天補(bǔ)上，這幾天開(kāi)題，比較忙~首先看一個(gè)經(jīng)典的上面形容的是程序加載到0x08000000的flash處，區(qū)間長(zhǎng)度為0x10000
2022-04-26 09:58:32
自己做的DSP開(kāi)發(fā)板，在DSP對(duì)SDRAM進(jìn)行寫(xiě)操作的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題：當(dāng)往SDRAM中寫(xiě)的地址數(shù)超過(guò)128個(gè)的時(shí)候，再尋址的時(shí)候第8根地址線會(huì)亂掉，導(dǎo)致地址錯(cuò)位，此時(shí)，數(shù)據(jù)線第8根電壓也反向了
2014-04-23 20:14:39
核心進(jìn)行復(fù)位，這是便可以正確檢測(cè)到BOOTPIN的狀態(tài)。然后對(duì)HPIC的操作 均正常，寫(xiě)HPIC 后 清除 HINT 后，對(duì)內(nèi)部地址空間的讀寫(xiě)操作均不符合 DATASHEET中的時(shí)序，具體 是 HPID
2018-08-02 07:05:58
關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)互操作平臺(tái)和動(dòng)態(tài)網(wǎng)絡(luò)協(xié)議的介紹
2021-05-24 06:21:12
關(guān)于車(chē)載信息中心電路保護(hù)措施的介紹與分析
2021-05-14 07:12:04
復(fù)用模式寫(xiě)時(shí)序圖
SRAM寫(xiě)時(shí)序參數(shù)，看-55的
SRAM寫(xiě)時(shí)序1，有刪減
.SRAM寫(xiě)時(shí)序2
鎖存器74LVC273參數(shù)，算上上升沿和下降沿，延遲至少11ns
其中sram
2024-01-04 10:46:19
STM32學(xué)習(xí)筆記（9）——（I2C續(xù)）讀寫(xiě)EEPROM一、概述1. 背景介紹2. EEPROM簡(jiǎn)介二、AT24C02——常用的EEPROM1. 電路原理圖2. 寫(xiě)操作（1）按字節(jié)寫(xiě)操作（Byte
2021-08-23 08:03:51
ARM讀寫(xiě)SRAM并用FPGA驅(qū)動(dòng)液晶顯示時(shí)，為什么SRAM的讀寫(xiě)時(shí)鐘不能太低。
2014-08-07 09:33:09
本帖最后由 chew_elecfans 于 2017-7-15 15:49 編輯
I2C器件，EEPROM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器AT24C64的讀寫(xiě)操作，包括硬件連接及程序。演示了基本讀寫(xiě)時(shí)序，包括字節(jié)讀寫(xiě)，頁(yè)寫(xiě)，連續(xù)讀取操作，并附有I2C總線相關(guān)資料。使用軟件：proteus 7.8keil4
2017-07-10 21:52:59
個(gè)讀寫(xiě)操作（當(dāng)然除去刷新操作）。4）其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以
2012-08-15 17:11:45
EEPROM讀寫(xiě)函數(shù)的第一句是cli（），最后一句是sei（）；b.中斷服務(wù)程序不直接調(diào)用EEPROM讀寫(xiě)函數(shù)，如果SRAM足夠大使用讀寫(xiě)緩沖區(qū)代替直接讀寫(xiě)EEPROM，中斷返回后在主循環(huán)粒更新EEPROM
2011-10-18 14:31:36
文章目錄EEPROM介紹EEPROM 單字節(jié)讀寫(xiě)操作時(shí)序EEPROM 寫(xiě)數(shù)據(jù)流程EEPROM 讀數(shù)據(jù)流程EEPROM介紹在實(shí)際的應(yīng)用中，保存在單片機(jī) RAM 中的數(shù)據(jù)，掉電后就丟失了，保存在單片機(jī)
2022-01-26 06:43:52
文章目錄EEPROM 多字節(jié)讀寫(xiě)操作時(shí)序EEPROM 多字節(jié)讀寫(xiě)操作時(shí)序我們讀取 EEPROM 的時(shí)候很簡(jiǎn)單，EEPROM 根據(jù)我們所送的時(shí)序，直接就把數(shù)據(jù)送出來(lái)了，但是寫(xiě) EEPROM 卻沒(méi)有
2021-11-24 07:01:10
SRAM 在讀寫(xiě)上有嚴(yán)格的時(shí)序要求，用 WEOECE 控制完成寫(xiě)數(shù)據(jù)，具體時(shí)序如圖 7-17所示。圖 7-17 SRAM 的寫(xiě)時(shí)序系統(tǒng)中兩塊 SRAM 分別由 DSP 和 FPGA 控制。當(dāng) DSP
2018-12-11 10:14:14
我現(xiàn)在需要統(tǒng)計(jì)sram的地址出現(xiàn)的頻率，比如如果地址1出現(xiàn)一次，就在地址1里存1，地址10出現(xiàn)了5次，就在地址10里存5，其它地址也是進(jìn)行類(lèi)似操作。。。本來(lái)準(zhǔn)備是根據(jù)地址直接對(duì)這個(gè)地址進(jìn)行寫(xiě)1操作
2016-10-26 11:18:25
各位吧友我想問(wèn)一下使用FPGA對(duì)SRAM進(jìn)行乒乓讀寫(xiě)時(shí)，需要注意哪些問(wèn)題？因?yàn)樵谖也唤?jīng)過(guò)SRAM進(jìn)行乒乓操作時(shí)數(shù)據(jù)輸出正常（每個(gè)像素點(diǎn)輸出穩(wěn)定），但加上SRAM后輸出的數(shù)據(jù)用chipscope看大概也沒(méi)問(wèn)題，但就是屏幕上的像素點(diǎn)閃爍。所以想請(qǐng)教一下.....謝謝！
2017-10-14 18:11:59
讀寫(xiě)，但是這里設(shè)計(jì)的需要4個(gè)時(shí)鐘，即80ns才能進(jìn)行一次讀寫(xiě)。程序在說(shuō)明一下，關(guān)于sram_data的處理，因?yàn)檫@個(gè)信號(hào)是雙向的。assign sram_data = command ? 16'bz
2015-03-19 20:17:25
FX3自帶SDK中的例程GPIF ii sram-master：讀寫(xiě)sram指令中的地址由狀態(tài)機(jī)中的地址計(jì)數(shù)器來(lái)決定，請(qǐng)教一下如何在FX3固件代碼中指定讀寫(xiě)sram的地址，可否提供一個(gè)例程或相關(guān)文檔
2024-02-27 07:20:24
各位： 最近在使用st公司的STM32F429做產(chǎn)品，需要使用LTDC驅(qū)動(dòng)液晶，還要在總線上掛個(gè)SRAM，單獨(dú)測(cè)試SRAM讀寫(xiě)沒(méi)有問(wèn)題，但是當(dāng)使能LTDC后，讀寫(xiě)SRAM時(shí)就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，單獨(dú)看讀的話(huà)
2019-03-19 08:02:01
接口對(duì)于SRAM的讀操作時(shí)序，其波形如圖所示。對(duì)于SRAM的寫(xiě)操作時(shí)序，其波形如圖所示。具體操作是這樣的，要寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，（這里是相對(duì)于用FPGA操作SRAM而言的，軟件讀寫(xiě)可能有時(shí)間順序的問(wèn)題需要
2015-12-16 12:46:04
實(shí)例每秒鐘定時(shí)進(jìn)行一個(gè)SRAM地址的讀和寫(xiě)操作。讀寫(xiě)數(shù)據(jù)比對(duì)后，通過(guò)D2 LED狀態(tài)進(jìn)行指示。與此同時(shí)，也可以通過(guò)chipscope pro在ISE中查看當(dāng)前操作的SRAM讀寫(xiě)時(shí)序。 2 模塊劃分該
2015-12-18 12:57:01
`Xilinx FPGA入門(mén)連載39：SRAM讀寫(xiě)測(cè)試之功能仿真特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1jGjAhEm 1 Xilinx庫(kù)設(shè)置
2015-12-23 15:06:56
好的觸發(fā)條件即可。如圖所示，我們單擊菜單欄上的運(yùn)行圖標(biāo)，然后雙擊“Waveform”查看波形。波形如圖所示，我們?cè)O(shè)定連續(xù)采集兩組滿(mǎn)足觸發(fā)條件的波形。左邊有一組寫(xiě)和讀SRAM的操作，右邊也有一組寫(xiě)和讀SRAM的操作。將寫(xiě)SRAM波形放大后，如圖所示。將讀SRAM波形放大后，如圖所示。 `
2015-12-25 15:04:32
）。打開(kāi)ISE，進(jìn)入iMPACT下載界面，將本實(shí)例工程下的sp6.bit文件燒錄到FPGA中在線運(yùn)行。當(dāng)我們看到D2指示燈亮起來(lái)的時(shí)候，說(shuō)明FPGA已經(jīng)完成了對(duì)SRAM所有地址的寫(xiě)數(shù)據(jù)初始化操作。接著
2016-03-23 09:54:48
幫助會(huì)員 f50528603來(lái)提個(gè)問(wèn)題，希望大家?guī)蛶退x謝at 指令使用中，gpio 口讀寫(xiě)操作一直報(bào)錯(cuò)，不知道啥原因？at+GW=1,1\rat+GW=1,0\rgpio 口寫(xiě)操作都錯(cuò)誤了讀也是
2020-06-05 14:40:11
外部sram每一次上電之后存儲(chǔ)單元的值是不確定的，如何對(duì)外部sram進(jìn)行初始化操作，讓它們的初始值都為0，如果這樣的話(huà)，是不是應(yīng)該先對(duì)所有的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫(xiě)0操作，不知道大家還有什么方法沒(méi)有
2016-10-27 11:26:26
stm32 SPI讀寫(xiě)儲(chǔ)存卡（MicroSD TF卡）簡(jiǎn)述操作分析1.上電以后儲(chǔ)存卡的初始化2.如何進(jìn)行讀寫(xiě)3.下面是具體的過(guò)程簡(jiǎn)述花了較長(zhǎng)的時(shí)間，來(lái)弄讀寫(xiě)儲(chǔ)存卡（大部分教程講的比較全但是不是很容易
2021-08-20 06:38:28
有個(gè)關(guān)于stm32用FSMC讀寫(xiě)SRAM的任務(wù)，看了一點(diǎn)資料后，還是有點(diǎn)不明白的地方。現(xiàn)在假設(shè)我已經(jīng)調(diào)用FSMC_SRAM_Init()初始化完成了。現(xiàn)在我的問(wèn)題是，怎樣使用外部SRAM呢？是不是
2015-11-26 18:55:51
使用MCU的FMC外擴(kuò)SRAM時(shí)，對(duì)外部SRAM進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)，寫(xiě)操作無(wú)異常，通過(guò)寄存器均可按照手冊(cè)控制。在進(jìn)行讀操作時(shí)，開(kāi)啟EXTMOD功能，即使總線周轉(zhuǎn)時(shí)間設(shè)置為0，兩次連續(xù)的讀操作時(shí)間還為
2018-08-23 08:51:05
1、平臺(tái)芯片STM32H7A3,外掛2片Octo-SPI SRAM作為數(shù)據(jù)緩存，操作系統(tǒng)threadx文件系統(tǒng)filex。
2、數(shù)據(jù)在ram中讀寫(xiě)都沒(méi)問(wèn)題，緩存80kB以?xún)?nèi)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入sd卡文件中也
2024-03-08 07:16:33
分析SRAM的讀寫(xiě)時(shí)序圖，兩種類(lèi)型的讀操作時(shí)序如圖1（a）和圖1（b）所示 （a）地址控制的讀周期時(shí)序圖（ce_n=0，we_n=1，oe_n=0）（b）oe_n控制的讀周期時(shí)序圖（c）部分時(shí)序參數(shù)
2017-03-07 16:26:01
/html/index.html#sectionCommandLine這個(gè)網(wǎng)址中有查閱到關(guān)于USBDM命令行的一些內(nèi)容，一般就是命令行索引到你那款燒錄軟件，后面跟一些指令就行，但實(shí)際操作時(shí)，我發(fā)現(xiàn)在文件夾中找不到我使用的軟件，開(kāi)始菜單欄里的快捷方式也無(wú)法定位到應(yīng)用程序，想請(qǐng)教一下有經(jīng)驗(yàn)的朋友指點(diǎn)指點(diǎn)。 `
2019-12-05 09:37:05
這里寫(xiě)自定義目錄標(biāo)題為什么要擴(kuò)展外部SRAM(一)什么是SRAM簡(jiǎn)介存儲(chǔ)器型號(hào)容量引腳配置通訊方式讀寫(xiě)特性讀取數(shù)據(jù)時(shí)序圖讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序要求寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)序圖寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)序要求(二)什么是FSMC外設(shè)簡(jiǎn)介
2021-08-05 07:13:19
這里寫(xiě)自定義目錄標(biāo)題(一)為什么要擴(kuò)展外部SRAM(二)什么是SRAM簡(jiǎn)介 存儲(chǔ)器型號(hào) 容量 原理框圖 引腳配置 通訊方式 讀寫(xiě)特性 讀取數(shù)據(jù)時(shí)序圖 讀取數(shù)據(jù)的時(shí)序要求 寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)序圖 寫(xiě)入數(shù)據(jù)
2021-08-05 08:22:50
的數(shù)據(jù)建立時(shí)間。30— [/tr] [tr=transparent]寫(xiě)結(jié)束后的數(shù)據(jù)保持時(shí)間。0— [/tr] 如圖8.38所示，本實(shí)例每秒鐘定時(shí)進(jìn)行一個(gè)SRAM地址的讀和寫(xiě)操作。讀寫(xiě)數(shù)據(jù)比對(duì)后，通過(guò)
2018-05-03 21:02:25
端口 SRAM雙端口注sram芯片存儲(chǔ)單元是在單端口六管 CMOS 單元的基礎(chǔ)上復(fù)制增加了一套讀寫(xiě)端口，如圖4 所示；與兩端口 SRAM 中的某一端口只能完成讀或寫(xiě)功能不同，在雙端口 SRAM 中
2020-07-09 14:38:57
RT-Thread操作系統(tǒng)組件，請(qǐng)移步到《基于 STM32CubeMX 添加 RT-Thread 操作系統(tǒng)組件(一）- 詳細(xì)介紹操作步驟》文章閱讀。好了，喝杯茶先^_^，繼續(xù)前行。上一篇介紹關(guān)于《單線程SRAM動(dòng)態(tài)內(nèi)存如何使用》...
2021-08-24 06:57:57
僅僅優(yōu)化了單元讀、寫(xiě)一方面的性能,另一方面保持不變或者有惡化的趨勢(shì);單端讀寫(xiě)單元往往惡化了讀寫(xiě)速度,并使靈敏放大器的設(shè)計(jì)面臨挑戰(zhàn);輔助電路的設(shè)計(jì),往往會(huì)使SRAM的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。 為了使SRAM存儲(chǔ)單元
2020-04-01 14:32:04
RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊，可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況，同樣它也是ROM，F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ揜AM的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作。1.實(shí)驗(yàn)原理Xilinx
2021-01-07 16:05:28
靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。在SRAM 存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_問(wèn)題發(fā)生。那么要如何減小如何減小SRAM讀寫(xiě)操作時(shí)的串?dāng)_，以及提高SRAM的可靠性呢
2020-05-20 15:24:34
。5個(gè)板子運(yùn)行10天左右出現(xiàn)了一樣的問(wèn)題，運(yùn)行過(guò)程中沒(méi)有寫(xiě)EEPROM的操作，請(qǐng)教大神出現(xiàn)這種情況到底是為何？幫忙分析下原因。電路就是基礎(chǔ)電路啦，沒(méi)啥特別的。。。。。
2016-07-11 13:19:56
的時(shí)鐘周期，從而提高了讀寫(xiě)速度。對(duì)于FPGA設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，這種接口的優(yōu)點(diǎn)不僅在于速度的提高，而且大大簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)異步I/O接口的邏輯復(fù)雜度，尤其在本文需要復(fù)雜讀寫(xiě)操作的SRAM擴(kuò)展設(shè)計(jì)中，更是提供了很大的方便。
2019-07-17 07:37:52
stm32——Flash讀寫(xiě)一、Flash簡(jiǎn)介 通過(guò)對(duì)stm32內(nèi)部的flash的讀寫(xiě)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)stm32的編程操作。 stm32的內(nèi)置可編程Flash在許多場(chǎng)合具有十分重要的意義。如其支持
2021-08-05 06:54:32
畫(huà)中畫(huà)的效果。在調(diào)試DDR3的過(guò)程中，我有一些高速存儲(chǔ)器的使用心得，特分享給大家。首先我先介紹一下SDRAM存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)時(shí)序。SDRAM即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)單元，主要用來(lái)存儲(chǔ)較大容量的數(shù)據(jù)。我們都知道，數(shù)據(jù)
2020-01-04 19:20:52
靜態(tài)存儲(chǔ)單元和其讀寫(xiě)控制電路組成的記憶體電路，對(duì)此的詳細(xì)內(nèi)容在四個(gè)晶體管搭建靜態(tài)存儲(chǔ)單元，加兩個(gè)晶體管搭建寫(xiě)控制電路一文中。LY62L5128是一個(gè)CMOS SRAM。容量512KB（512K X 8
2016-08-30 04:32:10
用C51對(duì)SRAM6116進(jìn)行簡(jiǎn)單的讀寫(xiě)。。。
2013-01-29 14:51:15
，首先對(duì)SRAM的讀寫(xiě)過(guò)程進(jìn)行初步的分析。以讀出操作為例，首先是讀信號(hào)和地址信號(hào)有效，然后在內(nèi)部時(shí)序電路的控制下，對(duì)存儲(chǔ)陣列中的位線進(jìn)行預(yù)充電，接下來(lái)行、列譯碼器輸出，選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元的字線和位線，數(shù)據(jù)
2022-11-17 16:58:07
運(yùn)行/example中的Power_On_Self_Test為什么SRAM并不能成功讀寫(xiě)。用示波器看SRAM的管腳，使能和讀寫(xiě)的管腳一直都是高電平，這是為什么？
2024-01-12 07:17:25
版本的FRAM不兼容。 其他尋址模式SRAM具有其他版本的FRAM不支持的其他環(huán)繞模式。字節(jié)模式僅允許單字節(jié)操作，但是如果在讀或寫(xiě)命令中僅提供單個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，則此模式通常將在FRAM中工作。頁(yè)面模式將內(nèi)存分為
2020-10-16 14:34:37
我想寫(xiě)一個(gè)沒(méi)有時(shí)鐘激活的RAM代碼，其讀寫(xiě)操作基于輸出使能和讀/寫(xiě)信號(hào)。但是xilinx無(wú)法詳細(xì)說(shuō)明何時(shí)為此編寫(xiě)代碼。可以你告訴我可以用于合成SRAM CY7B185的方法。
2020-04-02 08:26:16
關(guān)于多參數(shù)土壤分析儀的參數(shù)詳細(xì)介紹【云唐科器】土壤是植物生長(zhǎng)的基礎(chǔ)，養(yǎng)分含量決定了作物的產(chǎn)量和質(zhì)量。在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中，有必要做好土壤養(yǎng)分的檢測(cè)。傳統(tǒng)的測(cè)試方法
2021-03-15 16:29:36
SRAM的簡(jiǎn)單的讀寫(xiě)操作教程
SRAM的讀寫(xiě)時(shí)序比較簡(jiǎn)單，作為異步時(shí)序設(shè)備，SRAM對(duì)于時(shí)鐘同步的要求不高，可以在低速下運(yùn)行，下面就介紹SRAM的一次讀寫(xiě)操作，在
2010-02-08 16:52:39
140 本文介紹使用Cypress的PSoC3 UDB實(shí)現(xiàn)對(duì)異步SRAM的讀寫(xiě)控制，并以CY7C1069AV33 SRAM為例介紹其軟硬件設(shè)計(jì)過(guò)程。
2011-12-20 16:52:4242 C++ Builder 操作ini文件讀寫(xiě)
2016-12-15 22:50:300 基于 PSoC3 UDB 的異步 SRAM 讀寫(xiě)控制
2017-01-23 20:48:1615 串口通信程序讀寫(xiě)操作
2017-09-22 15:01:3115 PSoC3 UDB的異步SRAM讀寫(xiě)控制
2017-10-30 15:21:238 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告書(shū)免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 CPU 卡以其良好的安全性和規(guī)范性被日益廣泛的應(yīng)用于各種嵌入式系統(tǒng) 本文介紹了用MSP430 單片機(jī)來(lái)開(kāi)發(fā)CPU 卡的讀寫(xiě)操作分析了其硬件和軟件的設(shè)計(jì)。
2020-01-08 17:15:007 STM32F1_FSMC讀寫(xiě)外部SRAM
2020-04-08 10:02:325019 
關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作，但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同，主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2020-04-30 15:48:132878 
微處理器的優(yōu)勢(shì)，改善處理器性能有著積極的意義。另一個(gè)是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場(chǎng)。英尚微電子介紹關(guān)于SRAM讀寫(xiě)中寫(xiě)操作分析。 SRAM寫(xiě)操作分析 寫(xiě)操作與讀操作正好相反，它要使存儲(chǔ)單元的狀態(tài)按照寫(xiě)入的數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的翻轉(zhuǎn)
2020-04-30 14:58:021446 
速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)。 半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲(chǔ)矩陣，譯碼驅(qū)動(dòng)電路和讀/寫(xiě)電路等等。 下面介紹幾個(gè)重要的概念： 讀寫(xiě)電
2020-07-16 14:07:445228 
cpu與其周邊控制器等類(lèi)似需要直接訪問(wèn)存儲(chǔ)器或者需要隨機(jī)訪問(wèn)緩沖器之類(lèi)的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專(zhuān)注于代理銷(xiāo)售sram芯片，PSRAM等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問(wèn)題。 從存儲(chǔ)單元來(lái)看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個(gè)
2020-07-23 13:45:021927 
本文重點(diǎn)介紹以太網(wǎng)工業(yè)級(jí)雙通道讀寫(xiě)器讀寫(xiě)頭CK-FR102AN-E00開(kāi)發(fā)手冊(cè)之讀寫(xiě)過(guò)程與操作流程，歡迎發(fā)燒友交流與溝通!
1、讀寫(xiě)器讀寫(xiě)過(guò)程
PLC、電腦發(fā)送讀寫(xiě)數(shù)據(jù)命令到讀寫(xiě)器，讀寫(xiě)器響應(yīng)命令后獲取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)成功回復(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)到PLC、電腦端
2021-02-03 22:03:54132 
通過(guò)Verilog在SRAM讀寫(xiě)程序源代碼
2021-06-29 09:26:157 關(guān)于S29GL256S系列并行nor flash的讀寫(xiě)擦除操作實(shí)驗(yàn)(做嵌入式開(kāi)發(fā)用什么電腦好點(diǎn))-fpga verilog實(shí)現(xiàn) S29GL256S 系列 并行 nor flash 的讀寫(xiě)擦除操作功能
2021-08-04 11:42:13107 關(guān)于EEPROM讀寫(xiě)與數(shù)碼管顯示實(shí)驗(yàn)(嵌入式開(kāi)發(fā)平臺(tái)圖片)-關(guān)于EEPROM讀寫(xiě)與數(shù)碼管顯示實(shí)驗(yàn)，適合感興趣的學(xué)習(xí)者學(xué)習(xí)，可以提高自己的能力，大家可以多交流哈
2021-08-04 12:00:319 APM32F407VGT6_SMC_SMC訪問(wèn)外部SRAM時(shí)讀寫(xiě)出錯(cuò)
2022-11-09 21:04:060 平面到FinFET的過(guò)渡對(duì)SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對(duì)更大的片上SRAM容量的需求不斷增長(zhǎng)，這樣做的時(shí)機(jī)不會(huì)更糟。離SRAM將主導(dǎo)DSA處理器大小的局面并不遙遠(yuǎn)。
2022-11-24 16:07:13713 
Python對(duì)txt進(jìn)行讀寫(xiě)操作
2023-01-11 15:16:47588 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來(lái)，SRAM一直是開(kāi)發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31637 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，它以其快速的讀寫(xiě)操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫(xiě)電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39501 
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