內(nèi)存最高可擴充至16GB

因為Intel E7505芯片組采取處理器總線與內(nèi)存總線同步化（1:1）的設(shè)計，因此，只有DDR266內(nèi)存才適合在這個平臺上使用。875芯片組擁有雙內(nèi)存控制器，理論上來說，它可以133 MHz的運作速度來達(dá)到每秒4.2 GB的效能。因為系統(tǒng)的安全扮演著更重要的角色，這也是Intel的內(nèi)存整合 ECC（Error Checking and Correction內(nèi)存實時修正）功能的原因。

升級：ECC功能需要每列額外多加一顆芯片

跟875芯片組一樣， E7505同樣可以管理八個單面列選擇（一般通稱單面模塊）。注：一般內(nèi)存模塊大致分為單面模塊（single page）或雙面模塊（double page）。以下表格介紹了在該平臺上各種內(nèi)存升級的搭配組合。

可是如果買家想在一個既安全又可以切換ECC模式下使用的主機板，就必須要在每單一列內(nèi)加入額外的芯片。而這顆芯片對于內(nèi)存最大可以升級并沒有影響，因為它只是引證以上的數(shù)字，對內(nèi)存的升級是沒有任何影響的。

Corsair內(nèi)存，時序為CL 2.0-3-2-6

Mushkin的registered/ECC功能的內(nèi)存，時序為CL 2.0-3-2

Legacy Electronics的registered及有ECC功能的內(nèi)存，時序為CL2.5

Infineon（英飛凌）的DDR333 registered內(nèi)存，附ECC功能，時序為2.5

這個是最極端的例子，16GB ECC系統(tǒng)內(nèi)存可以含有144顆內(nèi)存顆粒，因此，對內(nèi)存控制器來說可說是負(fù)荷非常大。不過，其實這144個顆粒中的128顆是為了真正的存取之用，而其余的則是作管理之用。

Registered Vs Unbuffered內(nèi)存

傳統(tǒng)的內(nèi)存都屬于unbuffered版本的類型，最新的則是registered memory（之前被稱為buffered內(nèi)存）。如果內(nèi)存控制器要管理愈多的顆粒，它的數(shù)據(jù)就會愈不明確。

廠商運用的小技倆：如果你在單面模塊的一群內(nèi)存顆粒面前，放一組小的管理芯片，每一個列選擇就會讓內(nèi)存控制器以為內(nèi)存只有一個芯片。當(dāng)然，這個小把戲也可以改善數(shù)據(jù)的傳輸?shù)钠焚|(zhì)跟安全性。不過，這個做法會影響到內(nèi)存的運作速度，因為電子訊號會延遲，因此也影響到內(nèi)存的運轉(zhuǎn)速度。