電力晶體管GTR的保護(hù)電路
電力晶體管也稱巨型晶體管(Giant?Transistor,簡(jiǎn)稱GTR),這是一種雙極型大功率高反壓晶體管。它具有自關(guān)斷能力,并有開(kāi)關(guān)時(shí)間短、飽和壓降低和安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái),由于GTR實(shí)現(xiàn)了高頻化、模塊化、廉價(jià)化,因此被廣泛用于交流電機(jī)調(diào)速、不停電電源和中頻電源等電力變流裝置中,并且將在中小功率應(yīng)用方面取代傳統(tǒng)的晶閘管。?
? ? ? ?驅(qū)動(dòng)電路原理?
驅(qū)動(dòng)電路種類繁多,復(fù)雜程度各異,性能也有所不同。這里通過(guò)圖3-37的例子來(lái)說(shuō)明光耦合驅(qū)動(dòng)電路工作原理。?
當(dāng)控制電路信號(hào)輸入端A為高電平時(shí),Vt導(dǎo)通。光耦合器的發(fā)光二極管流過(guò)電流,使光敏二極管反向電流流過(guò)V2基極,V2導(dǎo)通,V3截止,V4和V5導(dǎo)通,V6截止。V5的發(fā)射極電流流過(guò)R5、VD3,驅(qū)動(dòng)電力晶體管V,使其導(dǎo)通,同時(shí)給電容C2充上左正右負(fù)的電壓。當(dāng)A點(diǎn)由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí),V1截止,光電耦合器中發(fā)光二極管和光敏晶體管電流均為零,V2截止,V3導(dǎo)通,V4和V5截止,V6導(dǎo)通。C2上所充電壓通過(guò)V6、V的e和b、VD4放電,使V截止。
GTR的保護(hù)電路
(1) 過(guò)電流、短路保護(hù)
由于GTR存在二次擊穿等問(wèn)題,由于二次擊穿很快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于快速熔斷器的熔斷時(shí)間,因此諸如快速熔斷器之類的過(guò)電流保護(hù)方法對(duì)GTR類設(shè)備來(lái)說(shuō)是無(wú)用的。
GTR的過(guò)電流保護(hù)要依賴于驅(qū)動(dòng)和特殊的保護(hù)電路。
① 電壓狀態(tài)識(shí)別保護(hù)
當(dāng)GTR處于過(guò)載或短路故障狀態(tài)時(shí),隨著集電極電流的急劇增加,其基射極電壓和集射極電壓均發(fā)生相應(yīng)變化,可利用這一特點(diǎn)對(duì)gtr進(jìn)行過(guò)載和短路保護(hù)。
② 橋臂互鎖保護(hù)
逆變器運(yùn)行時(shí),可能發(fā)生橋臂短路故障,造成器件損壞。只有確認(rèn)同一橋臂的一個(gè)GTR關(guān)斷后,另一個(gè)gtr才能導(dǎo)通。這樣能防止兩管同時(shí)導(dǎo)通,避免橋臂短路。
GTR的熱容量極小,過(guò)電流能力很低,要求故障檢測(cè)、信號(hào)傳送及保護(hù)動(dòng)作能瞬間完成,要在微秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)將電流限制在過(guò)載能力的限度以內(nèi)。
(2) 欠飽和過(guò)飽和保護(hù)
gtr的二次擊穿多由于GTR工作于過(guò)飽和狀態(tài)引起的,而過(guò)基極驅(qū)動(dòng)引起的過(guò)飽和又使GTR的存儲(chǔ)時(shí)間不必要地加長(zhǎng),直接影響著gtr的開(kāi)關(guān)頻率,所以GTR的過(guò)飽和及欠飽和保護(hù)對(duì)它的安全可靠工作有著極其重要的作用。通常欠飽和保護(hù)可根據(jù)被驅(qū)動(dòng)GTR的基射極電壓降的高低來(lái)自動(dòng)調(diào)節(jié)基極驅(qū)動(dòng)電流的大小,構(gòu)成準(zhǔn)飽和基極驅(qū)動(dòng)器來(lái)完成。
下面對(duì)該驅(qū)動(dòng)電路中的一些細(xì)節(jié)再作進(jìn)一步分析。
①加速電容電路???
當(dāng)V5剛導(dǎo)通時(shí),電源E通過(guò)R4、V5、C2、VD3驅(qū)動(dòng)V,R5被C2短路。這樣,可以實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流的過(guò)沖,并增加前沿陡度,加快開(kāi)通。過(guò)沖電流幅值可為額定基極電流的兩倍以下。C2稱為加速電容。驅(qū)動(dòng)電流的穩(wěn)態(tài)值由電源電壓E、R4和R5決定,選擇R4+R5的值時(shí),應(yīng)保證提供足夠大的基極電流,使得在負(fù)載電流最大時(shí)電力晶體管仍能飽和導(dǎo)通。?
②抗飽和電路???
圖3-37中箝位二極管VD2和電位補(bǔ)償二極管VD3構(gòu)成抗飽和電路,可使電力晶體管導(dǎo)通時(shí)處于臨界飽和狀態(tài)。當(dāng)負(fù)載較輕使得集電極電位低于基極電位時(shí),VD2就會(huì)自動(dòng)導(dǎo)通,使多余的驅(qū)動(dòng)電流注入集電極,維持Ubc≈O。這樣,就使得V導(dǎo)通時(shí)始終處于臨界飽和。二極管VD2也稱為貝克箝位二極管。流過(guò)箝位二極管的電流是沒(méi)有意義的損耗。為了減小這一損耗,可如圖3-38所示,把VD2加到前級(jí)驅(qū)動(dòng)管V5的基極,同時(shí)省去電位補(bǔ)償二極管VD3,而用V5的發(fā)射結(jié)代替VD3。
不管是上述哪一種抗飽和電路,鉗位二極管的一端都接在主電路電力晶體管的集電極,因而可能承受高電壓,所以其耐壓等級(jí)應(yīng)和電力晶體管相當(dāng)。除光耦合器外,驅(qū)動(dòng)電路的其他元件都可選用耐壓等級(jí)較低的。?
③截止反偏驅(qū)動(dòng)電路???
由圖中C2、V6、VS、VD4和R5構(gòu)成。V導(dǎo)通時(shí)C,所充電壓由E和R4、R5決定。V5截止,V6導(dǎo)通時(shí),C2先通過(guò)V6、V的發(fā)射結(jié)和VD4放電,使V截止后,穩(wěn)壓管VS取代V的發(fā)射結(jié)使C2連續(xù)放電。VS上的電壓使V基極反偏。另外,C2還通過(guò)R5放電。可以看出,C2除起到前面所說(shuō)的加速電容的作用外,還在截止反偏驅(qū)動(dòng)電路中起儲(chǔ)能電容的作用。
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( 發(fā)表人:李倩 )