? ? ? ? ? 自1980年代之后，韓國半導體業才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造，也即DRAM的研發。

　　三星電子在存儲器方面的成功,有外在因素，如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導體的反傾銷策略等，顯然三星電子內在因素起著決定性的作用。

　　三星半導體的啟步

　　韓國半導體在1974年才開始啟步,那時韓國正在推行一種叫“新社會運動”。韓國半導體工業的第一個fab,叫韓國半導體Puchon廠,建于1974年10月。由于開張就面臨財務危機，同年12月,僅生存三個月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投資兼并,后被并入三星中。

　　自1980年代之后,韓國半導體業才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造,也即DRAM的研發。

　　64K DRAM的研發成功,對于韓國半導體業具有里程碑意義,也是邁向全球存儲器強國的第一步。在那時三星電子的科研工作者,日以繼夜,努力追趕,放棄一切節假日休息,靠的是一股精神及志氣。

　　在64K DRAM研發中，韓國非常清楚自已與先進國家之間的技術(1.5微米)差距為4年半，需要一步一步地追趕，在256K DRAM(1.2微米)時這個差距己縮短為3年。在1989年10月時三星已經成功開發出16M DRAM(采用0,25微米技術),它己領先于全球任何一家制造商。

　　也即三星電子從1983年開發存儲器,到1989年的16M DRAM研發成功,僅利用6年的時間,前進了5代DRAM的技術,使三星電子一躍成為全球最先進的存儲器制造商。

　　三星電子從1983年開始DRAM的研發，其中1987年就實現第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量產,奠定了它在全球存儲器霸主的地位。

　　它最為關鍵的決策是三星在1993年時就大膽地投資興建8英寸硅片生產線來生產DRAM。在當時全球6英寸硅片是主流地位,如英特爾與臺積電分別于1992年及1996年才興建它們的第一條8英寸生產線。因為當時投資一條8英寸生產線的費用高達10000億韓元(相當于10億美元以上)風險是很大。

　　199年是韓國半導體工業的轉折點,三星首先發布全球首塊256M DRAM。當時256M DRAM意味著在手指甲大小的芯片上集成2.56億個晶體管及2.56億個電容。

　　為了超過日本半導體,三星電子在開發64M DRAM的同時就己經組建256M DRAM研發團隊。70位研究人員在Hwan Chang-Kyu領導下努力奮戰,經過兩年的努力終于在1994年8月29日研制成功全球第一塊256M DRAM芯片。

　　非常有興趣的是第一批樣品就實現了全功能，所以檢驗及測量的次數反復達10次之多，生怕有誤差。由此奠定了在存儲器方面韓國超過日本的基礎。