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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>實現20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊

實現20nm及更尖端工藝的3D芯片堆疊

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2013-01-10 09:33:43961

TSMC將為蘋果提供AP/GPU集成的解決方案,并采用20nm SoC工藝

臺灣半導體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案,并且采用20nm Soc片上系統工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171257

賽靈思發布UltraScale架構,20nm開始投片

賽靈思公司今天宣布,延續28nm工藝一系列行業創新,在20nm工藝節點再次推出兩大行業第一:投片半導體行業首款20nm器件,也是可編程邏輯器件(PLD)行業首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807

20/16nm將成主流 先進工藝怎適應?

017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流,這對我們設計業、制造業是一個很大的啟示:我們怎么樣適應全球先進工藝
2013-12-16 09:40:211925

Xilinx宣布率先量產20nm FPGA器件

2014年12月22日,中國北京 - All Programmable 技術和器件的全球領先企業賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業界首款投入量產的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967

使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑

在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統中,功耗成為需要考慮的第一設計要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設計的挑戰,本文描述了在未來的系統設計中,使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

了,SK Hynix和美光這時候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產中呢。不過昨天一紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了,可能會導致系統藍屏,三星正在召回——不過三星官方日前回應稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572482

賽靈思業界20nm技術首次投片標志著UltraScale架構時代來臨

在28nm技術突破的基礎上,賽靈思又宣布推出基于20nm節點的兩款業界首創產品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產品的公司。此外,該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術
2018-01-12 05:49:45706

中芯國際在先進工藝制程上可望加快追趕海外企業的速度

梁孟松是臺積電前研發處長,是臺積電FinFET工藝的技術負責人,而FinFET工藝芯片制造工藝從28nm20nm工藝以下演進的關鍵,2014年臺積電研發出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310

英特爾為你解說“Foveros”邏輯芯片3D堆疊技術

在近日舉行的英特爾“架構日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數據中心和網絡系統,支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構,還推出了業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros。這一全新的3D封裝技術首次引入了3D堆疊的優勢,可實現在邏輯芯片堆疊邏輯芯片
2018-12-14 15:35:327850

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8個電源開啟順序的確定

ADI Guneet Chadha探討電源系統管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個電源的時序或按照預定順序開啟各電源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

“臺積公司是我們在 28nm20nm 和 16nm 實現‘三連冠(3 Peat)’成功的堅實基礎。其出色的工藝技術、3D 堆疊技術和代工廠服務,讓賽靈思在出色的產品、優異的品質、強大的執行力以及領先的市場地位上享有了無與倫比的聲譽。
2019-08-01 09:24:522209

國際大廠們之間的“3D堆疊大戰”

困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機會,其在去年年底的“架構日”活動中,推出其業界首創的3D邏輯芯片封裝技術——Foveros,Foveros首次引入3D堆疊的優勢,可實現在邏輯芯片堆疊
2020-01-28 16:10:003031

Xilinx投片首個ASIC級可編程架構的行業首款20nm器件

賽靈思UltraScale架構:行業第一個ASIC級可編程架構,可從20nm平面晶體管結構 (planar)工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術擴展,從單芯片(monolithic)到3D IC擴展。
2019-12-18 15:30:23801

華為計劃在國內建設45nm制程工藝起步的芯片工廠

 根據報道,華為將在國內建設一家45nm制程工藝起步的芯片工廠,計劃在2021年底為物聯網設備制造28nm芯片,并在2022年底之前為5G設備供應20nm芯片
2020-11-02 17:41:302770

28nm工藝芯片制造領域的地位

,計劃在2021年年底為物聯網設備制造28nm芯片,且預計在2022年底之前為5G設備供應20nm芯片。 該報道稱,由于華為此前并沒有制造芯片的經驗,因此該工廠將由上海市政府支持的上海集成電路研發中心有限公司(ICRD)運營。 對此華為未予置評。無論華為
2020-11-05 16:50:3410357

基于20nm工藝制程的FPGA—UltraScale介紹

UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA,而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

什么是摩爾定律,“摩爾定律2.0”從2D微型化到3D堆疊

3D實現方面,存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產的20-15nm工藝,所有公司都放棄了小型化,轉而轉向存儲單元的三維堆疊,以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D(三維)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40786

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