重視技術(shù)落地，應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬

中芯國(guó)際精通技術(shù)移植的應(yīng)用、多領(lǐng)域解決方案陸續(xù)推出。該公司同行專注于在先進(jìn)的數(shù)字邏輯部分的競(jìng)爭(zhēng)，而中芯國(guó)際的戰(zhàn)略是有選擇的研發(fā)突破并領(lǐng)導(dǎo)相應(yīng)細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)，同時(shí)堅(jiān)持投資先進(jìn)的數(shù)字邏輯技術(shù)。公司將其制程工藝廣泛應(yīng)用于CMOS圖像傳感器 （CIS）、多元化eNVM技術(shù)平臺(tái)、IoT Solutions、混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)、面板驅(qū)動(dòng)芯片（DDIC）、CMOS 微電子機(jī)械系統(tǒng)以及非易失性存儲(chǔ)器等領(lǐng)域。公司通過陸續(xù)推出新技術(shù)，鞏固已有市場(chǎng)份額，同時(shí)獲得新的市場(chǎng)份額。

1）CMOS圖像傳感器 （CIS）

CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)保持高速增長(zhǎng)。在移動(dòng)設(shè)備和汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，2015年~2021年，CMOS圖像傳感器（CIS）產(chǎn)業(yè)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為10.4%，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將從2015年的103億美元增長(zhǎng)到2021年的188億美元。運(yùn)動(dòng)相機(jī)似乎已經(jīng)達(dá)到市場(chǎng)上限，但是新的應(yīng)用，如無人機(jī)、機(jī)器人、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）等，正促使CMOS圖像傳感器市場(chǎng)煥發(fā)新的生機(jī)。

與此同時(shí)，汽車攝像頭市場(chǎng)已經(jīng)成為CMOS圖像傳感器的一個(gè)重要增長(zhǎng)領(lǐng)域。先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)一步提高對(duì)傳感器供應(yīng)商的壓力，以提升其傳感技術(shù)能力。圖像分析是新興需求，并且人工智能的早期應(yīng)用正吸引眾人的目光。預(yù)計(jì)2015年-2021年，汽車CMOS圖像傳感器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將高達(dá)23%。因此，我們認(rèn)為2021年之前，全球CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)增長(zhǎng)不會(huì)出現(xiàn)放緩的趨勢(shì)。公司作為CMOS頭像傳感器晶圓制造企業(yè)，是產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，未來將受益于行業(yè)增長(zhǎng)，分享行業(yè)紅利。

公司擁有十年以上在CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor， CIS）的制造經(jīng)驗(yàn)。目前，中芯國(guó)際為客戶提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技術(shù)。同時(shí)我們也可以為客戶提供從晶片、 彩色濾光片、微透鏡到封裝測(cè)試的一站式服務(wù)。

公司已于2016年成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器（CIS）工藝技術(shù)，在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪聲和相對(duì)照度都將得到增強(qiáng)。

公司在中國(guó)提供完整的 CIS 代工服務(wù)，基于其豐富的領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)，該0.11微米 CIS 技術(shù)能力可以為客戶提供除0.15，0.18微米以外領(lǐng)先的解決方案及有競(jìng)爭(zhēng)力的成本優(yōu)勢(shì)。該高度集成、高密度 CIS 解決方案，同時(shí)適用于鋁和銅后端金屬化工藝，可廣泛應(yīng)用于攝像手機(jī)、個(gè)人電腦、工業(yè)和安全市場(chǎng)等領(lǐng)域。公司在該技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，未來幾個(gè)月后也將在其200和300毫米芯片生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

2）推出多元化eNVM技術(shù)平臺(tái)

公司早在2013年推出多元化嵌入式非揮發(fā)性記憶體（eNVM）平臺(tái)。目前公司擁有公認(rèn)的制造能力，可以提供具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式非揮發(fā)性記憶體平臺(tái)。公司提供了完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)與廣泛IP支持，可應(yīng)用于智能卡、MCU和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。這些嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)提供高性能，低功耗與卓越的耐久性和資料保存性能。

這些工藝可提供客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產(chǎn)品，和更具經(jīng)濟(jì)效益的解決方案。包括OTP、MTP、0.18微米和0.13微米（μm）eEEPROM（嵌入式EEPROM）技術(shù)和0.13微米低功耗（LL）的嵌入式閃存（eFlash）技術(shù)，以及正在進(jìn)行的新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，如相變化存儲(chǔ)技術(shù)、阻變式存儲(chǔ)技術(shù)和磁阻式存儲(chǔ)技術(shù)。

公司eNVM平臺(tái)適用于消費(fèi)者、工業(yè)產(chǎn)品、汽車電子等廣泛的產(chǎn)品應(yīng)用，諸如MCU （微控制器）、觸控屏；以及一系列的智能卡應(yīng)用領(lǐng)域（涵蓋SIM卡、社會(huì)保障、交通運(yùn)輸和銀行卡等）。通常這些應(yīng)用對(duì)性能、可靠性、尺寸、功耗具有較高的要求。公司現(xiàn)已與諸多業(yè)界知名企業(yè)在eNVM平臺(tái)上合作，目前該平臺(tái)處于量產(chǎn)階段。

3）IoT Solutions

公司提供完整的一站式IoT技術(shù)平臺(tái)打造智能、安全的物聯(lián)世界通過不斷優(yōu)化成熟工藝平臺(tái)，公司提供完整的一站式物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things， IoT）工藝、制造和芯片設(shè)計(jì)服務(wù)。并攜手集成電路生態(tài)鏈合作伙伴，為設(shè)計(jì)公司生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)智能硬件相關(guān)芯片產(chǎn)品，用于智能家居、能源、安防、工業(yè)機(jī)器人、可穿戴式設(shè)備、汽車、交通、物流、環(huán)境、智能農(nóng)業(yè)、健康監(jiān)護(hù)及醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。

作為中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，公司能夠提供專業(yè)、安全、完整的本土化服務(wù)，幫助設(shè)計(jì)公司縮短入市時(shí)間，降低成本，在蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。

8寸和12寸技術(shù)平臺(tái)均已完備 – 55納米低漏電嵌入式閃存平臺(tái)已進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品通常具有功能多樣性以及快速的上市響應(yīng)等特點(diǎn)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以傳感、微處理、存儲(chǔ)、互聯(lián)為主，注重微小體積和超低功耗。基于公司的0.18微米到28納米的低功耗邏輯及射頻工藝，結(jié)合外置高容量存儲(chǔ)器，設(shè)計(jì)公司可選擇用于智能家居、可穿戴式設(shè)備、智慧城市等各類物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品；0.13微米和55納米低漏電嵌入式閃存（embedded Flash）工藝進(jìn)一步整合內(nèi)置存儲(chǔ)器。采用公司55納米低功耗嵌入式閃存技術(shù)的智能卡芯片已成功進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)。

卓越的SPOCULLTM 95ULP超低功耗和55納米超低功耗技術(shù)平臺(tái)

公司推出了SPOCULL 95ULP超低功耗技術(shù)平臺(tái)。此8’’工藝平臺(tái)提供業(yè)界最高密度最小面積的SRAM，極低的漏電流、功耗和寄生電容。在12’’工藝平臺(tái)上， 公司同時(shí)也推出55納米ULP超低功耗技術(shù)平臺(tái)。以95ULP和55納米ULP為主要超低功耗技術(shù)節(jié)點(diǎn)，通過進(jìn)一步降低產(chǎn)品操作電壓、工藝器件優(yōu)化和IP設(shè)計(jì)優(yōu)化，極大減低產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，延長(zhǎng)系統(tǒng)待機(jī)時(shí)間和使用效率，并通過整合射頻和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)，優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)和安全性能。

公司提供微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感的技術(shù)平臺(tái)

公司還提供微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)平臺(tái)，能夠打造集射頻、基帶、微處理器、嵌入式閃存、微機(jī)電系統(tǒng)傳感器于一體的單芯片系統(tǒng)（SoC）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D封裝等一站式服務(wù)，有助于縮短產(chǎn)品入市周期，優(yōu)化產(chǎn)品成本和結(jié)構(gòu)形態(tài)。

全面的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）IP生態(tài)系統(tǒng)

除了自身的工藝技術(shù)平臺(tái)以外，公司還積極創(chuàng)建全面的物聯(lián)網(wǎng)IP生態(tài)系統(tǒng)。通過與國(guó)內(nèi)外眾多IP合作伙伴建立的良好合作關(guān)系，公司可在射頻、基帶、嵌入式閃存、CPU 和DSP IP核、基礎(chǔ)單元庫IP、電源管理類IP、信息安全類IP和模擬接口類IP等方面提供完備的、高質(zhì)量的IP和設(shè)計(jì)服務(wù)。

4）混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)

公司提供與邏輯工藝兼容的混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)。通過與國(guó)際領(lǐng)先EDA工具供應(yīng)商的合作， SMIC提供精確的RF SPICE 模型和完整的PDK 工具包，涵蓋從0.18微米工藝到28納米PolySiON 工藝。 這一系列工藝技術(shù)用于射頻和無線互聯(lián)芯片制造并被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子，通信，計(jì)算機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)領(lǐng)域。

5）面板驅(qū)動(dòng)芯片（DDIC）

公司高壓工藝為計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及無線通訊LCD驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域提供一個(gè)經(jīng)濟(jì)有效的平臺(tái)。公司同時(shí)提供95納米 SPOCULL 高壓平臺(tái)，該平臺(tái)的技術(shù)性能優(yōu)越，具備超低功耗的特性來支持可穿戴式設(shè)備的應(yīng)用，具備eNVM來支持in-cell面板的技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于面板驅(qū)動(dòng)，in-cell面板及AMOLED面板等。

6）CMOS 微電子機(jī)械系統(tǒng)

公司的MEMS方案主要集中在兩大主流應(yīng)用領(lǐng)域：第一種為MEMS麥克風(fēng)，是開放式結(jié)構(gòu)，目前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)；第二種慣性傳感器，是封閉式結(jié)構(gòu)，于2016年2Q進(jìn)入小量量產(chǎn)。

7）非易失性存儲(chǔ)器

公司擁有公認(rèn)的制造能力，可以提供具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式閃存技術(shù)。公司提供了完整的嵌入式閃存技術(shù)與廣泛IP支持，可應(yīng)用于智能卡，MCU和單芯片。這些嵌入式閃存技術(shù)IP提供快速的程序設(shè)計(jì)和擦除時(shí)間，低功耗與卓越的可靠性和資料保存性能。公司還提供了ETOX NOR閃存技術(shù)解決方案，涵蓋從0.18微米到65納米。這些工藝可提供客戶制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的產(chǎn)品。

集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的“雁行模式”給中芯帶來的機(jī)遇

集成電路的最初形態(tài)為垂直整合的運(yùn)營(yíng)模式，系統(tǒng)企業(yè)內(nèi)設(shè)集成電路的制造部門，僅用于滿足企業(yè)自身產(chǎn)品的需求。美國(guó)的AT&T是最先采用垂直整合模式的企業(yè)，隨后IBM的集成電路制造部門為IBM自行生產(chǎn)的大型計(jì)算機(jī)提供處理器。隨著集成電路技術(shù)的擴(kuò)散，日本日立、NEC、富士通、東芝等企業(yè)，歐洲的西門子、飛利浦等電子公司都采用了這種模式。

IDM是繼垂直整合模式之后的新模式，由集成電路制造商自主設(shè)計(jì)與銷售由自己的生產(chǎn)線加工、封裝、測(cè)試后的成品芯片。與垂直整合模式不同的是，IDM企業(yè)的產(chǎn)品是滿足其他系統(tǒng)廠商的要求，最典型的例子就是美國(guó)的Intel公司。IDM模式的優(yōu)點(diǎn)在于IDM廠商可以根據(jù)市場(chǎng)特點(diǎn)制造綜合發(fā)展戰(zhàn)略，可以更加精細(xì)地對(duì)設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)每個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行質(zhì)量控制。IDM模式不需要外包且利潤(rùn)較高，但其劣勢(shì)在于投資額加大、風(fēng)險(xiǎn)較高，要有不斷推出優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品作保證，而且IDM模式的技術(shù)跨度較大，橫跨了三個(gè)環(huán)節(jié)，企業(yè)不僅需要考慮每個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)問題，而且還要綜合協(xié)調(diào)三大環(huán)節(jié)，加大了企業(yè)的運(yùn)營(yíng)難度。

隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷演變，國(guó)際IDM大廠外包代工的趨勢(shì)也日益明顯，逐漸催化了Fabless+Foundry+OSAT模式。

半導(dǎo)體制造在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里具有卡口地位。制造是產(chǎn)業(yè)鏈里的核心環(huán)節(jié)，地位的重要性不言而喻。在半導(dǎo)體價(jià)值鏈里，占據(jù)最為重要的一環(huán)。統(tǒng)計(jì)行業(yè)里各個(gè)環(huán)節(jié)的價(jià)值量，制造環(huán)節(jié)的價(jià)值量是最大的，因?yàn)镕abless+Foundry+OSAT的模式成為趨勢(shì)，F(xiàn)oundry在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認(rèn)為，F(xiàn)oundry是一個(gè)卡口，產(chǎn)能的輸出都由制造企業(yè)所掌控。

“made in china”品牌下 整機(jī)制造領(lǐng)域滲透率已經(jīng)提升到邊際增長(zhǎng)曲線斜率趨緩階段。中國(guó)制造經(jīng)過這些年的發(fā)展，在下游整機(jī)制造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下游應(yīng)用市場(chǎng)，中國(guó)占42%，是非常主要的市場(chǎng)。其中智能手機(jī)占全球28%，LCD TV占全球24%。 PC/Notebook占全球 21%. 平板》21%。這幾個(gè)數(shù)據(jù)說明，全球各類電子類產(chǎn)品的下游應(yīng)用需求，中國(guó)是重中之重。

“中國(guó)制造”要從下游往上游延伸，在技術(shù)轉(zhuǎn)移路線上，半導(dǎo)體制造是“中國(guó)制造”尚未攻克的技術(shù)堡壘。中國(guó)是個(gè)“制造大國(guó)”，但“中國(guó)制造”主要都是整機(jī)產(chǎn)品，在最上游的“芯片制造”領(lǐng)域，中國(guó)還和國(guó)際領(lǐng)先水平有很大差距。在從下游的制造向“芯片制造”轉(zhuǎn)移過程中，一定會(huì)涌現(xiàn)出一批領(lǐng)先的代工企業(yè)。

日本經(jīng)濟(jì)學(xué)家赤松要在1956年提出了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“雁行模式”，認(rèn)為日本的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)歷了進(jìn)口、進(jìn)口替代、出口、重新進(jìn)口四個(gè)階段。從這個(gè)角度來看，中國(guó)的集成電路正在經(jīng)歷當(dāng)年日本所經(jīng)歷過的路線。

世界的集成電路經(jīng)過了兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次在20世紀(jì)70年代末，從美國(guó)轉(zhuǎn)移到了日本，造就了富士通、日立、東芝、NEC等世界頂級(jí)的集成電路制造商；第二次在20世紀(jì)80年代末，韓國(guó)與***成為這一次轉(zhuǎn)移過程中的受益者，崛起了三星和臺(tái)積電這樣的制造業(yè)巨頭。

集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移也包含著一定的技術(shù)特征，轉(zhuǎn)移路徑按照勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè)—〉資本技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)—〉技術(shù)密集與高附加值產(chǎn)業(yè)。第一階段的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，美國(guó)很多半導(dǎo)體企業(yè)或?qū)⒆陨淼姆鉁y(cè)部門賣出剝離，或是將測(cè)試工廠轉(zhuǎn)移到東南亞，在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過程中，***的很多封測(cè)企業(yè)開始崛起，比如日月光和矽品等。第二階段的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為制造環(huán)節(jié)，這和集成電路產(chǎn)業(yè)分工逐漸細(xì)分有關(guān)系。集成電路的生產(chǎn)模式由原先的IDM為主轉(zhuǎn)換為Fabless+Foundry+OSAT，產(chǎn)業(yè)鏈里的每個(gè)環(huán)節(jié)都分工明確。在制造轉(zhuǎn)移的過程中，***的TSMC崛起成為現(xiàn)在最大的代工廠。

目前，憑借巨大的市場(chǎng)需求，較低的人工成本，中國(guó)的OSAT和Foundry正有接力***，成為未來5年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重點(diǎn)區(qū)域。

本土半導(dǎo)體市場(chǎng)需求和供給仍然錯(cuò)配，有潛力去進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代。中國(guó)大陸地區(qū)的半導(dǎo)體銷售額占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額比重逐年上升，從2008年的18%上升到1H2016的31%，同時(shí)中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能僅為全球的12%，需求和供給之間存在錯(cuò)配。

中國(guó)整機(jī)商品牌提升，“本土化”提供完整產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)會(huì)。以智能手機(jī)為例，除了三星蘋果之外，越來越多的中國(guó)本土品牌開始在市場(chǎng)上滲透，并逐漸有了話語權(quán)。國(guó)產(chǎn)手機(jī)包括華為、OPPOVIVO等，年出貨量都已經(jīng)超過了1億部，并且還保持了可觀的增速。在智能手機(jī)領(lǐng)域，越來越多的國(guó)產(chǎn)品牌正在浮出水面。從這個(gè)維度來看，我們看好國(guó)內(nèi)從整機(jī)到上游的價(jià)值傳導(dǎo)。

國(guó)內(nèi)從上游的芯片設(shè)計(jì)制造到下游的整機(jī)已經(jīng)形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，帶來可期待的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)。我們看到中國(guó)正在形成從整機(jī)到上游芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈的布局，這一點(diǎn)同***美國(guó)韓國(guó)不同，***的電子集中在上游的芯片，從Fabless+Foundry+OSAT，但是欠缺下游的整機(jī)品牌，同時(shí)芯片環(huán)節(jié)沒有形成規(guī)模的集群效應(yīng)，芯片每個(gè)環(huán)節(jié)只有一兩家龍頭企業(yè)；美國(guó)在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域是全球最強(qiáng)，但是下游的整機(jī)品牌數(shù)量正在被中國(guó)逐漸超過；韓國(guó)和***的格局有些類似，有一些大而全的企業(yè)，但是缺乏完整的集群效應(yīng)。只有中國(guó)，憑借廣闊的下游市場(chǎng)和完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，正在逐漸崛起。

中國(guó)的設(shè)計(jì)公司崛起給本土制造商帶來驅(qū)動(dòng)效應(yīng)，本土虛擬IDM構(gòu)建會(huì)成為產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)下的主旋律。從2011年開始，受益于下游整機(jī)市場(chǎng)的興起，中國(guó)本土的設(shè)計(jì)企業(yè)開始迅速崛起，增速遠(yuǎn)大于全球設(shè)計(jì)公司的CAGR。我們看到全球設(shè)計(jì)業(yè)的CAGR為3%，而中國(guó)的這一數(shù)據(jù)為22%，遠(yuǎn)高于全球設(shè)計(jì)業(yè)的水準(zhǔn)。在中國(guó)設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)的過程中，中國(guó)的制造企業(yè)龍頭中芯國(guó)際自然享受成長(zhǎng)紅利，我們看到從2011-2015年里，伴隨著設(shè)計(jì)企業(yè)的崛起，中芯國(guó)際在中國(guó)大陸地區(qū)的CAGR達(dá)到了25%。這和中國(guó)大陸地區(qū)的設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)息息相關(guān)。