據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報道,碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物,它有包括從超級計算機到效能比更高的智能手機在內(nèi)的許多夢幻般應(yīng)用。問題是,它們不容易制造,推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
1710 得益于研究人員的持續(xù)推進,碳納米管器件現(xiàn)在正在越來越接近硅的能力,最新的進展也在最近舉辦的IEEE電子器件會議IEDM上揭曉。會上,來自臺積電,加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝,該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:29
3181 碳納米管是20世紀90年代日本科學(xué)家Iijima先生(Iijima?Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:50
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控制流過發(fā)射極-集電極電路的電流?! ?b class="flag-6" style="color: red">硅模型 像8050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發(fā)射極高0.65伏時接通。發(fā)射極基極電路通常設(shè)置為提供接近觸發(fā)點的預(yù)設(shè)電壓。這稱為偏差。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時,輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓:VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此,通過測定VBE,可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路,對晶體管輸入封裝功率:PC
2019-04-09 21:27:24
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊,請各位大俠指點!??!
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
Ω(用 R×10檔測)以上。硅材料晶體管的電阻值應(yīng)大于100kΩ(用R×10k檔測),實測值一般為500kΩ以上。若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小,則說明該晶體管的漏電流較大;若測得C、E極之間
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關(guān)二極管,肖特基二極管,穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
,故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小,故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開路時的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍,故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高,晶體管的高頻性能越好,也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導(dǎo)體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點,因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現(xiàn)代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導(dǎo)體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發(fā)生損壞的缺點,因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠遠高于基區(qū)摻雜濃度,并且基區(qū)很薄,集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓:VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此,通過測定VBE,可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路,對晶體管輸入封裝功率:PC
2019-05-09 23:12:18
,特別是近年來碳納米管的發(fā)展令人注目,在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破,但離開實際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠一些。原文見王陽元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序(2004年1月科學(xué)出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進行仿真,結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB,文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來研究,在理論上不夠準確,而且鑒于納米管束的尺寸,采用中點饋電
2019-05-28 07:58:57
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
設(shè)計分析納米材料和實驗器件碳納米管的電測量標準測量碳納米管電氣特性提高納米電子和分子電子器件的低電流測量在低功率和低壓應(yīng)用中實現(xiàn)準確、可靠的電阻測量納米級器件和材料的電氣測量提高超高電阻和電阻率測量的可
2021-11-16 15:59:56
MAPRST0912-50硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MAPRST0912-50報價MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨詢熱線MAPRST0912-50現(xiàn)貨,王先生
2018-08-09 09:57:23
流。IG 鰭式場效應(yīng)晶體管比 SG 鰭式場效應(yīng)晶體管需要更大的面積。 絕緣體上硅 (SOI) 與大晶硅鰭式場效應(yīng)晶體管 鰭式場效應(yīng)晶體管已在絕緣體上硅(SOI)晶圓和傳統(tǒng)的散裝晶圓上制造?! OI
2023-02-24 15:20:59
MRF422硅雙極晶體管產(chǎn)品介紹MRF422報價MRF422代理MRF422MRF422現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MRF422主要用于高功率線性放大器的設(shè)計,從2到30 MHz優(yōu)勢產(chǎn)品
2018-10-09 12:10:05
兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發(fā)射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
電流。為了使基極電流在 PNP 晶體管中流動,基極必須比發(fā)射極(電流必須離開基極)更負,對于硅器件大約 0.7 伏,對于鍺器件,基極電流和集電極電流的負值約為0.3 伏,用于計算基極電阻、基極電流或
2023-02-03 09:44:48
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍,然后在集電極以Ic形式輸出。(2)場效應(yīng)晶體管含義:原件要比晶體管小得多晶體管就是一個小硅片 但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米
2019-04-09 11:37:36
碳納米管對于傳感器器件的重要性?!盇pplied Nanotech首席執(zhí)行官表示:“酶涂層碳納米管使靈敏度和選擇性提高,并有消除錯誤的潛力。”:
2018-11-19 15:20:44
。
在器件層面,根據(jù)實際情況而言,歸一化導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優(yōu)值系數(shù),氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術(shù)突破,中國應(yīng)該怎么做呢?XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
集電極(也稱為公共集放大器/ CC配置/發(fā)射極耦合器)。晶體管的分類3.1 晶體管如何分類》 晶體管中使用的材料根據(jù)晶體管中使用的半導(dǎo)體材料,可分為硅晶體管和鍺晶體管。根據(jù)晶體管的極性,可分為鍺NPN
2023-02-03 09:36:05
,GaN完勝。塊體GaN電子遷移率是硅的兩倍多,而二維電子氣形態(tài)的GaN電子遷移率則是硅的四倍。正如GaN具有高臨界擊穿電場和高熱導(dǎo)率,GaN也具有遠高于硅的載流子飽和速度?! ⊥该?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的障礙
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的輸入阻抗?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管通常遵循與單個晶體管相同的設(shè)計規(guī)則,但有一些限制。它需要更高的基極發(fā)射極電壓才能導(dǎo)通,通常是單個晶體管的兩倍。它的關(guān)斷時間要長得多,因為輸出晶體管基極電流不能主動關(guān)斷。通過在輸出晶體管
2023-02-16 18:19:11
開關(guān)。其應(yīng)用包括家用電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機、可穿戴設(shè)備、高端網(wǎng)絡(luò)、汽車等?! ■捠綀鲂?yīng)晶體管代表鰭狀場效應(yīng)晶體管。鰭片,因為它有一個鰭狀體——形成晶體管主體的硅鰭片區(qū)分了它。場效應(yīng),因為
2023-02-24 15:25:29
測量高阻低電流測量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機
2021-11-11 10:35:10
測量高阻低電流測量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機
2021-12-08 15:35:04
設(shè)計 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計 太陽能電池和 LED 設(shè)計 高電子遷移率晶體管設(shè)計 復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計 分析納米材料和實驗器件 碳納米管的電測量標準 測量碳納米管電氣特性 提高納米電子和分子
2020-08-12 15:08:14
晶體管設(shè)計結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計太陽能電池和 LED 設(shè)計高電子遷移率晶體管設(shè)計復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計分析納米材料和實驗器件碳納米管的電測量標準測量碳納米管電氣特性提高納米電子
2018-11-09 11:28:25
載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。(4)場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
描述EarthQuaker Devices 污垢發(fā)射器基于硅晶體管模糊電路。除了標準的 Tone、Level 和 Dirt 旋鈕外,Dirt Transmitter 還具有一個 Bias 旋鈕,用于模擬快要耗盡的電池的電壓不足,以獲得類似 Velcro 的絨毛音調(diào)。PCB+原理圖
2022-08-10 06:40:23
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。(1)晶體管的開關(guān)時間:晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程,關(guān)斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-09-22 08:00:00
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
有誰可以解答一下如何通過晶體管去提高倍壓器的精度嗎?
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶體管的開關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。(1)晶體管的開關(guān)時間:晶體管的開關(guān)波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程,關(guān)斷過程又分為存儲和下降兩個過程
2019-08-19 04:00:00
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2,使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?!?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2,使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路,進而設(shè)計出更輕薄的筆記本電腦,散發(fā)的熱量遠遠低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管,并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
等效的提高開關(guān)速度的方法,較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法,我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器的拓撲結(jié)構(gòu)。在較高頻率下,無源諧振電路(例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器)的尺寸明顯減小,從而提高了功率密度。此外,還需要考慮功率晶體管(Q1和Q2)的選擇,以權(quán)衡
2023-02-27 09:37:29
Ib放大β倍,然后在集電極以Ic形式輸出。二、場效應(yīng)晶體管:原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個小硅片.但是場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場效應(yīng)管的溝道一般是幾個納米,也就是說場效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應(yīng)用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢
2021-01-19 16:48:15
用。(2)橫向PNP管: 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運動的,故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制,基區(qū)寬度不可能很小,所以它的值相對較低,一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑,用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜,測試其場發(fā)射特性,并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑,采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場發(fā)射陰極,反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:18
20 隨著對碳納米管研究的不斷深入,對碳納米管的應(yīng)用研究越來越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性,對碳納米管的應(yīng)用前景進行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:18
13 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個發(fā)展趨勢。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:07
26 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:46
52 碳納米管具有一些獨特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:06
62 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示,他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29
843 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:30
7799 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:42
0 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù),具有純度高,管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H),與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低,導(dǎo)電性好等優(yōu)點,能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:52
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目前碳納米管的制備方法主要有三種,分別是弧光放電法,激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實驗樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:00
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在Nano Letters雜志描述的研究中,Barron和他的團隊在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后,對多壁碳納米管和單壁碳納米管進行了艱苦的阻力測量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多,阻力測量值越準確和一致。
2018-03-09 15:41:34
4140 經(jīng)多年研發(fā),趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù),進一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點于一身:1、是陳列式的碳納米管,蓬松易分散
2018-08-21 17:15:32
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文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能,綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況,在此基礎(chǔ)上,分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題,并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢。
2018-12-13 08:00:00
8 英國《自然》雜志28日發(fā)表了一項計算科學(xué)最新進展:美國麻省理工學(xué)院團隊利用14000多個碳納米管晶體管,制造出16位微處理器,并生成這樣一條信息。其設(shè)計和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn),將為先進微電子裝置中的硅帶來一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:13
3298 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成,擁有14000多個晶體管,基于RISC-V架構(gòu),可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:29
1054 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進微電子器件中硅晶體管的替代品,顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級缺陷和可變性,以及處理它們面臨的挑戰(zhàn),阻礙了它們在微電子領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:00
7191 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來,納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究,是目前科學(xué)界的研究熱點?;?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨特的電學(xué)特性,提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:00
2 但是,這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今,碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來,最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm(2014年 IBM)。
2020-08-31 15:00:50
3526 新的制造工藝,該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:13
1610 論文題目中有個看起來有點兒高深的詞「碳納米管紗線」(Carbon nanotube yarns),那么在談具體的研究細節(jié)之前,我們先來解決一個問題:碳納米管紗線為何物?
2021-02-20 09:19:30
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本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑(FePc||CNTs||NiCo/CP)。
2022-11-11 11:04:52
869 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性,已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中,西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:36
1104 OCSiAl通過技術(shù)革新,提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能,同時推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品,相較現(xiàn)有產(chǎn)品,固含提升在2倍以上,進一步降低單壁碳納米管的使用成本,提升性價比。
2023-04-20 09:34:46
1283 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章,該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40
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? 近日,北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團隊 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ,具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù),目前該團隊研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18
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等,成為提高鋰電池能量密度、實現(xiàn)快充快放和提升循環(huán)壽命的關(guān)鍵輔材。在過去的幾年里,碳納米管導(dǎo)電漿料的需求急劇增長,尤其是在下游動力電池企業(yè)中,為碳納米管導(dǎo)電劑的市場帶來了蓬勃發(fā)展。
2023-10-27 17:41:23
1433 研究中,他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(Top Gate complementary CNT MOSFETs)。在該結(jié)構(gòu)中,通過將摻雜僅僅局限在延伸部分,而在通道保持未摻雜的狀態(tài),憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32
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