MEMS技術是隨著集成電路，尤其是超大規模集成電路發展起來的一門新技術，經過幾代科學家的努力，MEMS如今在不同的行業和不同的領域相繼規模化生產，展現了微機電系統及其微系統的巨大應用前景。

　　MEMS技術被譽為21世紀具有革命性的高新技術，也被稱為顛覆性技術之一。其誕生和發展是“需求牽引”和“技術推動”的綜合結果，更是一部恢宏壯闊的技術演變史，蘊涵了歷代科技先驅們的智慧結晶。于是，傳感器專家網整理了MEMS技術發展史上的關鍵時刻。

　　1947年，美國貝爾實驗室發明點接觸式雙極性晶體管，現代半導體產業自此誕生，信息時代就此開啟。晶體管可以說是20世紀最重要的發明，距今已經有70多年了。

　　1954年，C.S史密斯發現了硅鍺的壓阻效應（當受到應力作用時電阻率發生變化．這種由于外力的作用而使材料電阻率發生變化的現象稱為“壓阻效應”）。許多MEMS壓力傳感器利用了這一特性，此后，壓力傳感器開始商業化。

　　1958年9月12日，JackKilby緊張地將十伏電壓接在了輸入端，再將一個示波器連在了輸出端，接通的一剎那，示波器上出現了頻率為1.2兆赫茲，振幅為0.2伏的震蕩波形。現代電子工業的第一個用單一材料制成的集成電路誕生了。一周后，JackKilby用同樣的方法成功地做出了一個觸發電路。JackKilby的實驗告訴人們，將各種電子器件集成在一個晶片上是可行的，世界從此進入了集成電路時代。

　　1959年，美國物理學家理查·費曼發表名為《底部有足夠的空間》的演講，他對納米技術提出了預言，且極大地推動了微納技術（NEMS）的研究。

　　1962年，微小器件的先驅——第一個硅微壓力傳感器問世，開創了MEMS技術的先河。它的特征是用硅膜、壓敏電阻和體硅腐蝕。它是MEMS微傳感器的起始點，同時也是MEMS體加工（bulkmicromachining）的起始點。

　　1967年，美國西屋研究實驗室Nathanson等人報道了硅諧振柵晶體管。它的特征是用靜電激勵起柵振動，它是MEMS執行器的起始點。

　　1968年，硅諧振柵晶體管（RGT）獲得專利，這是最早的微靜電執行器，也是最早的表面微加工技術。

　　1971年，英特爾公司的費金工程師制造出了世界上第一只商品化的CPU微處理器：Intel4004，它被稱為“超大規模集成電路”，開創了微型計算機的新時代。

　　1978年，美國IBM的Bassous等人報道了硅微噴嘴。它是MEMS微結構的起點。

　　1979年，惠普公司發明了世界第一個MEMS噴墨打印頭，MEMS技術開始用于制造噴嘴。

　　1982年，X光LIGA光刻技術被公布，可開發高深寬比，高精度的2D、3D微結構件及微系統。

　　1986年，基于MEMS的原子力顯微鏡（AFM）技術誕生，極大地促進了表面微納技術的發展。

　　1987~1988年間，一系列關于微機械和微動力學的技術會議召開，MEMS一詞在這些會議中被廣泛采納并逐漸成為一個世界性的學術用語。1987年美國伯克利加州大學發明了微馬達，引起國際學術界的轟動，人們看到了電路與執行部件集成制作的可能性。1988年美國的一批著名科學家提出“小機器、大機遇”，并呼吁美國重視這一重大領域的開發。

　　1992年，MEMS光柵光調制器問世，廣泛應用于顯示技術，圖像印刷，平板印刷和光通訊中。

　　1993年，多用戶共享MEMS工藝（MUMPS）出現，人們開始研究MEMS的標準工藝。同時，美國ADI公司采用MEMS技術成功實現微型加速度計的商品化，大批量應用于汽車防撞氣囊，標志著MEMS技術產業化的開端。

　　1994年，博世發明硅高深寬比加工的深度反應離子刻蝕工藝（DRIE），成為了MEMS的主流工藝。此后，MEMS技術發展迅速，特別是圍繞深槽刻蝕技術發展出多種新型加工工藝。

　　2000年，MEMS高速發展，光學、聲學、生物等領域出現了形形色色的微器件，MEMS光學傳感器爆發。

　　此后，MEMS工藝不斷取得進展，商業化浪潮也越發洶涌~