電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理，利用電流通過(guò)線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)的磁力線(xiàn)通過(guò)鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無(wú)數(shù)小渦流，使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生熱量，然后加熱鍋中的食物。

一、

開(kāi)關(guān)電源變換降壓?jiǎn)味朔醇な椒€(wěn)壓電路。主要由開(kāi)關(guān)變壓器T3及電源專(zhuān)用集成電路VIPer12A以及附屬電路元件組成。20V直流電壓，經(jīng)R38限流供驅(qū)動(dòng)電路及LM339和風(fēng)機(jī)使用。另一路經(jīng)整流濾波得到9V左右直流電壓，經(jīng)78L05穩(wěn)壓后得到的5V直流電壓供主板、CPU及燈板使用。20V電壓經(jīng)穩(wěn)壓管Z1加到VIPer的3腳為該集成電路提供反饋穩(wěn)壓取樣電壓。

主電源輸入電路一般由熔斷器，消干擾電容、過(guò)壓保護(hù)熱敏電阻、整流橋、直流濾波和脈沖濾波電路L1、C2組成，輸出很平滑的直流電壓為功率管供電。

提示：判斷VIPer12A的好壞可用萬(wàn)用表測(cè)量集成電路的1腳與5.6.7.8之間的電阻阻值。若所測(cè)阻值為無(wú)窮大，說(shuō)明集成電路良好。若所測(cè)阻值為0Ω或小于1000Ω，說(shuō)明集成電路已損壞。

　　二、

　　圖中整流橋DB1將工頻（50HZ）電流變成直流電流，L1為扼流圈，L2是電磁線(xiàn)圈，IGBT由控制電路發(fā)出的矩形脈沖驅(qū)動(dòng)，IGBT導(dǎo)通時(shí)，流過(guò)L2的電流迅速增加。IGBT截止時(shí)，L2、C12發(fā)生串聯(lián)諧振，IGBT的C極對(duì)地產(chǎn)生高壓脈沖。當(dāng)該脈沖降至為零時(shí)，驅(qū)動(dòng)脈沖再次加到IGBT上使之導(dǎo)通。上述過(guò)程周而復(fù)始，最終產(chǎn)生25KHZ左右的主頻電磁波，使陶瓷板上放置的鐵質(zhì)鍋底感應(yīng)出渦流并使鍋發(fā)熱。串聯(lián)諧振的頻率取之L2、C12的參數(shù)。

　　C11為電源濾波電容，CNR1為壓敏電阻（突波吸收器）。當(dāng)AC電源電壓因故突然升在時(shí)，即瞬間短路，使保險(xiǎn)絲迅速熔斷，以保護(hù)電路。

　　開(kāi)關(guān)電源式主板共有+5V，+18V兩種穩(wěn)壓回路，其中橋式整流后的+18V供IGBT的驅(qū)動(dòng)回路和供主控IC LM339和風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)回路使用，由三端穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓后的+5V供主控MCU使用。

　　三、

　　1. 同步：在不同功率狀態(tài)下IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)應(yīng)當(dāng)與加熱線(xiàn)盤(pán)的狀態(tài)保持協(xié)調(diào)（保持IGBT，C極為低電平時(shí)，IGBT才導(dǎo)通），完成協(xié)調(diào)任務(wù)的電路常稱(chēng)之為同步電路。當(dāng)IGBT管飽和導(dǎo)通時(shí)加熱線(xiàn)圈兩端的電壓極性為A1+，A2-，正電壓經(jīng)R005，與R301，R302分壓后加到單片20腳，負(fù)電壓經(jīng)過(guò)R001，R003與R304分壓后加到單片機(jī)19腳;IGBT截止時(shí)，線(xiàn)盤(pán)電流不能突變，給電容C3充電，線(xiàn)盤(pán)A2+，A1-，加在單片19腳，20腳電壓反轉(zhuǎn)，單片機(jī)根據(jù)19腳20腳電壓的變化，輸出PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)；

　　2. 反壓保護(hù)電路，當(dāng)IGBT，C極電壓高于IGBT極限值時(shí)（1200V）IGBT很容易損壞。電路在設(shè)計(jì)時(shí)加了保護(hù)電路。當(dāng)C極過(guò)高時(shí)，通過(guò)R001，R305與R306分壓后送給單片機(jī)，18腳的電壓也隨著升高，單片機(jī)檢測(cè)到此信號(hào)時(shí)，PWM輸出做調(diào)整（降功率或停止加熱）以保護(hù)IGBT不會(huì)過(guò)壓損壞。