晶體/陶瓷振蕩器基本電路

以下是晶體/陶瓷振蕩器的兩個應用電路。

說明 1. 內部偏壓電阻RINB，用于產生振蕩器的工作點。
2. 內部振蕩器電容CIN1 和CIN2，與外部晶體/陶瓷振蕩器配合構成Pierce 振蕩器。振蕩時，晶體/陶瓷振蕩
器可以看作是等效電感，該電路還可以降低EMI。
3. 外部偏壓電阻REXB，用于低壓停振控制的特殊應用，需配合CEX1 使REXB×CEX1 大于2πfSYS。主要原
理是加大振蕩電路的負載，在低壓時使振蕩器停振，使MCU 不會發生低電壓工作錯誤的情形。如果實
際應用中沒有用到低電壓情形，該電阻可以省略。
4. 外部振蕩器電容CEX1 和CEX2，用于振蕩頻率微調或晶體/陶瓷振蕩器匹配，并可用于調整起振時間，正
常應用時可省略。
5. 在HOLTEK MCU 的datasheet 和handbook 的應用電路中，都有提供匹配的電阻電容值供使用者參考。

晶體/陶瓷振蕩器Warm-up 時間
• 晶體/陶瓷振蕩器在起振前所需的溫機(Warm-up)時間。
• 其時間長短與晶體/陶瓷振蕩器的特性及停振(冷卻)時間長短有關，一般在冷機狀態下，溫機時間約為3~5ms。
系統start-up 定時器
• 為了讓振蕩器能夠穩定起振所需要的延時時間。
• 其時間為1024 個振蕩器振蕩周期。
EMI/EMS(EMC)注意事項
• 晶體/陶瓷振蕩器需放置最接近于MCU 的振蕩器引腳，即其連線應最短。
• 為減小EMI，晶體/陶瓷振蕩器的引腳應有VDD 或GND(VSS)環路做屏蔽。
• CEX1 和CEX2 所接的VDD 或GND(VSS)，其到MCU 的VDD 或GND(VSS)連線應最短。