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集成電路RF噪聲抑制能力測量技術

來源:本站整理 作者:葉子2012年01月16日 09:37
[導讀] 本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測量技術。RF抑制能力測試將電路板置于可控制的RF信號電平下,該RF電平代表電路工作時可能受到的干擾強度。

 

  本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測量技術。RF抑制能力測試將電路板置于可控制的RF信號電平下,該RF電平代表電路工作時可能受到的干擾強度。這樣就產生了一個標準化、結構化的測試方法,使用這種方法能夠得到在質量分析中可重復的有用結果。這樣的測試結果有助于IC選型,從而獲得最能夠抵抗RF噪聲的電路。

  可以將被測件(DUT)靠近正在工作的蜂窩電話,以測試其RF敏感度,但是,為了得到一個精確的、具有可重復性的試驗結果,需要采用一個固定的測量方法,在可重復的RF場內測試DUT。解決方案是采用RF測試電波暗室,提供一個可精確控制的RF場,其相當于典型移動電話所產生的RF場。

  下面,我們對Maxim的一款雙運放(MAX4232)和一款競爭產品(X)進行RF抑制能力比較測試。

  

雙運放的RF噪聲抑制能力測量電路(online)

 

  圖1:雙運放的RF噪聲抑制能力測量電路(online)

  RF抑制測試電路(圖1)給出了連到待測雙運放的電路板連接,每個運算放大器被配置成交流放大器,沒有交流輸入時,輸出設置在1.5V直流電平(VCC = 3V)。反相輸入通過1.5"環線(模擬輸入端的PC引線)短路至地,該環路用來模擬實際引線的的效應,實際引線在工作頻率下會作為天線,收集和解調RF信號。通過在輸出端連接一個電壓表,測量和量化運算放大器的RF噪聲抑制能力。

  

 

  

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