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通過(guò)外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的引腳排列
- 晶體管(134506)
- 引腳(48795)
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如何判斷晶體管的類型及三個(gè)電極
晶體管是電子元器件中常用的一種，用來(lái)放大電信號(hào)、控制電流等。晶體管通常由三個(gè)電極組成：基極、發(fā)射極和集電極。不同類型的晶體管電極排列方式和特性不同，因此需要通過(guò)判斷電極類型和排列方式來(lái)確定晶體管的類型。下面介紹一下如何判斷晶體管的類型及三個(gè)電極。
2023-06-03 09:44:16
6231
6231"（分享設(shè)計(jì)）"晶體管電路設(shè)計(jì)
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-6 02:31 編輯
常用晶體管電路設(shè)計(jì)
2013-07-22 10:40:28
8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理
是一種半導(dǎo)體器件，通過(guò)將一層半導(dǎo)體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創(chuàng)建。NPN晶體管（如8050）通常在兩層負(fù)極材料之間有一層正極材料。相比之下，正負(fù)正（PNP）晶體管在兩個(gè)正極之間有一個(gè)負(fù)層
2023-02-16 18:22:30
常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么？
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
晶體三極管的代換原則
引起后患。其他參數(shù)，除以上主要參數(shù)以外，對(duì)于一些特殊的晶體管，在置換時(shí)還應(yīng)考慮其放大系數(shù)，如電源電路中的脈寬調(diào)制控制管，如果放大系數(shù)小，則易出現(xiàn)輸出電壓失控的故障現(xiàn)象。外形相似小功率三極管一般外形均相
2015-07-07 16:56:34
晶體管ON時(shí)的逆向電流
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
晶體管Ⅴbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么？
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類及參數(shù)
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣。 按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系統(tǒng)通過(guò)
2012-08-02 23:57:09
晶體管可以作為開(kāi)關(guān)使用！
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀的設(shè)計(jì)與制作資料分享
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管開(kāi)關(guān)讀寫(xiě)SRAM存儲(chǔ)器
，將其與LY62L5128連接，搭建存儲(chǔ)器編程開(kāi)發(fā)環(huán)境，如圖： 按鈕SW-PB：S1，S2，S3，分別通過(guò)MOS晶體管開(kāi)關(guān)電路，連接到LY62L5128的控制引腳WE#，OE#，CE#。 因?yàn)镸OS
2016-08-30 04:32:10
晶體管性能的檢測(cè)
的hFE檔測(cè)量。測(cè)量時(shí)，應(yīng)先將萬(wàn)用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的測(cè)試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個(gè)電極接出3根引線后，再分
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晶體管放大倍數(shù)
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書(shū)上冊(cè)
FET的工作原理 1．3 晶體管和FET的近況 1．3．1 外形(封裝)的改進(jìn) 1．3．2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 1．3．3 晶體管和FET的優(yōu)勢(shì) 第2章 放大電路的工作 2．1 觀察放大電路的波形
2009-11-20 09:41:18
晶體管的主要參數(shù)
過(guò)大，則β和hFE也將明顯變小。(2) 集電極最大電流ICM晶體管集電極允許通過(guò)的最大電流即為ICM。需指出的是，IC大于ICM時(shí)晶體管不一定會(huì)被燒壞，但β等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，會(huì)影響晶體管正常工作，故
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
晶體管的分類與特征
(sat)，這是集電極-發(fā)射極間的飽和電壓。這是流過(guò)既定的集電極電流時(shí)，即晶體管導(dǎo)通時(shí)的電壓降，因此可通過(guò)該值求得導(dǎo)通時(shí)的電阻。 MOSFET（圖中以Nch為例）通過(guò)給柵極施加電壓在源極與漏極間
2020-06-09 07:34:33
晶體管的分類與特征
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
晶體管的發(fā)展歷程概述
是自來(lái)水的閥門(mén)，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門(mén)、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制
2019-07-23 00:07:18
晶體管的由來(lái)
是自來(lái)水的閥門(mén)，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門(mén)、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制
2019-05-05 00:52:40
晶體管的結(jié)構(gòu)特性
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的選用經(jīng)驗(yàn)
型號(hào)。 8．帶阻晶體管的選用帶阻晶體管是錄像機(jī)、影碟機(jī)、彩色電視機(jī)中常用的晶體管，其種類較多，但一般不能作為普通晶體管使用，只能“專管專用”。 選用帶阻晶體管時(shí)，應(yīng)根據(jù)電路的要求（例如輸入電壓的高低、開(kāi)關(guān)
2012-01-28 11:27:38
晶體管簡(jiǎn)介
列出使用VBE的測(cè)試方法。VBE測(cè)定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測(cè)量電路由此，通過(guò)測(cè)定VBE，可以推測(cè)結(jié)溫。通過(guò)圖1的測(cè)定電路，對(duì)晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
晶體管詳解
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個(gè)獨(dú)立的元件.晶體管是半導(dǎo)體三極管中應(yīng)用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號(hào)為“Q”、“GB”等）表示。 晶體管被認(rèn)為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
Diodes Inc MMBT39x車用晶體管
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
IGBT絕緣柵雙極晶體管
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫(xiě)，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管
，可提供至少250 W的峰值輸出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通過(guò)50 V電源電壓工作。 為了獲得最佳的熱效率，該晶體管封裝在帶有環(huán)氧密封陶瓷蓋的金屬基封裝中。特征
2021-04-01 10:35:32
Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管的基本原理和功能
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
NPN型和PNP型晶體管的工作狀態(tài)解析
晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。在二極管教程中，我們看到簡(jiǎn)單的二極管由兩塊半導(dǎo)體材料組成，形成一個(gè)簡(jiǎn)單的pn結(jié)。而晶體管是通過(guò)背靠背連接兩個(gè)二極管而形成的三端固態(tài)器件。因此，它有兩個(gè)PN結(jié)
2023-02-15 18:13:01
NPT2020射頻晶體管
的13.5分貝增益55%在3.5 GHz的漏極效率100%射頻測(cè)試螺栓法蘭標(biāo)準(zhǔn)件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和260°C回流兼容?NPT2020產(chǎn)品詳情:NPT2020是一個(gè)寬帶晶體管優(yōu)化DC - 3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
PNP晶體管的工作原理，如何識(shí)別PNP晶體管
提供電荷載流子。為了提供大量的電荷載流子，與基極相比，發(fā)射器不斷正向偏置。基礎(chǔ)晶體管的基極是中間的部分，通過(guò)兩個(gè)PN結(jié)連接發(fā)射極和集電極。由于基極-發(fā)射極結(jié)是正向偏置的，因此發(fā)射極電路具有低電阻。由于
2023-02-03 09:44:48
SGNE045MK晶體管
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
[原創(chuàng)] 晶體管（transistor）
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中BFG35晶體管能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
【下載】《晶體管電路設(shè)計(jì)》——晶體管電路基礎(chǔ)知識(shí)匯總
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
不同類型的晶體管及其功能
及其應(yīng)用。
什么是晶體管
晶體管是電子設(shè)備。它是通過(guò)p型和n型半導(dǎo)體制成的。當(dāng)半導(dǎo)體放置在相同類型半導(dǎo)體之間的中心時(shí)，這種排列稱為晶體管。我們可以說(shuō)晶體管是兩個(gè)二極管的組合，它是背靠背連接的。晶體管是一種
2023-08-02 12:26:53
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
什么是PNP和NPN晶體管？PNP和NPN有什么區(qū)別？
的區(qū)別。什么是PNP和NPN晶體管？晶體管是通過(guò)混合兩種不同類型的半導(dǎo)體而創(chuàng)建的：n型和p型。電子給體原子由n型半導(dǎo)體攜帶。而電子受體原子由p型半導(dǎo)體（空穴）攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
什么是達(dá)林頓晶體管？
。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見(jiàn)應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管？鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)勢(shì) 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開(kāi)關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開(kāi)關(guān)電壓 低功耗 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
元器件封裝介紹
這期我們將給大家分享另外四種常見(jiàn)封裝。
第一種：TO晶體管外形封裝（Transistor Outline），主要分為通孔插裝類TO封裝和表面貼裝類TO封裝，命名規(guī)則都是由封裝代號(hào)加管腳數(shù)組成，例如
2023-11-22 11:30:40
關(guān)于PNP晶體管的常見(jiàn)問(wèn)題
晶體管，基極上的電壓必須低于發(fā)射極上的電壓。像這樣的基本電路通常將發(fā)射器連接到電源的加號(hào)。通過(guò)這種方式，您可以判斷發(fā)射極上的電壓。PNP 晶體管如何開(kāi)啟？PNP 和 NPN 晶體管的端子電阻值然后，我們
2023-02-03 09:45:56
分析MOS管的封裝形式
通過(guò)PCB散熱。所以PCB的D-PAK焊盤(pán)有三處，漏極(D)焊盤(pán)較大。 SOT封裝 SOT(SmallOut-LineTransistor)小外形晶體管封裝。這種封裝就是貼片型小功率晶體管封裝，比
2018-11-14 14:51:03
單結(jié)晶體管仿真
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
單結(jié)晶體管的工作原理是什么？
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
雙極晶體管陣列 (BJT) DMMT5401-7
:dodo1999@vip.163.com雙極晶體管陣列 (BJT)DMMT5401-7晶體管, PNP, 最大直流集電極電流 200 mA, SOT-26封裝, 300 MHz, 6引腳規(guī)格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
雙極性晶體管的基本原理是什么？
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
國(guó)外晶體管的封裝形式
如圖所示。 圖:常用塑料封裝TO系列外形尺寸 在TO系列封裝的晶體管中，其T0一3封裝外形與國(guó)產(chǎn)管的F一2封裝外形基本相同;TO一92封裝外形與國(guó)產(chǎn)管
2008-06-17 14:42:50
場(chǎng)效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件
和超高頻晶體管等。（五）按封裝結(jié)構(gòu)分類晶體管按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝（簡(jiǎn)稱金封）晶體管、塑料封裝（簡(jiǎn)稱塑封）晶體管、玻璃殼封裝（簡(jiǎn)稱玻封）晶體管、表面封裝（片狀）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形
2012-07-11 11:36:52
基本晶體管開(kāi)關(guān)電路，使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。 圖2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
如何改善晶體管的損耗
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
數(shù)字晶體管的原理
Iomax大。∴ Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
數(shù)字晶體管的原理
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過(guò)晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字晶體管使用的電流的最大值解說(shuō)
2019-04-22 05:39:52
概述晶體管
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管對(duì)分分析哪個(gè)好？
勵(lì)磁電流ILM開(kāi)始在死區(qū)時(shí)間內(nèi)對(duì)低側(cè)晶體管的輸出電容放電。在狀態(tài)2時(shí)，寄生輸出電容完全放電，GaN功率晶體管通過(guò)2DEG通道從源極到漏極以第三象限工作。至于Si和SiC MOSFET，有一個(gè)固有的雙極
2023-02-27 09:37:29
求助，是否有集電極和發(fā)射極互換的SOT-23 NPN晶體管？
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
電流旁路對(duì)GaN晶體管并聯(lián)配置的影響
CoolGaN?晶體管特性設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。為確保柵極驅(qū)動(dòng)正常，驅(qū)動(dòng)電壓VS的峰值需要超過(guò)VF的兩倍（通常使用8V～10V），通過(guò)Ron提供了一條瞬態(tài)低阻抗高速AC路徑來(lái)為Con和CGS充電，然后
2021-01-19 16:48:15
（雙基極二極管）單結(jié)晶體管工作原理
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見(jiàn)附圖。來(lái)源：上上電子網(wǎng)——W W W .dianzi333.com 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)
2013-05-27 15:23:44
不同種類晶體管的封裝外形有哪些不同?
（一）國(guó)產(chǎn)晶體管的封裝外形 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體晶體管按部標(biāo)規(guī)定有數(shù)十種外形及規(guī)格，分別用不同的字母和數(shù)字表示。1．金屬封裝外形主義 采用金屬外
2006-05-25 22:31:266358
6358常用集成電路引腳排列圖
常用集成電路引腳排列圖:包括了，555定時(shí)器和TTL數(shù)字集成電路引腳排列圖，74系列集成電路引腳排列圖，CMOS集成電路引腳排列圖等.
2007-11-22 13:06:396396
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單結(jié)晶體管各管腳的判別方法/性能好壞的判斷
單結(jié)晶體管各管腳的判別方法/性能好壞的判斷
單結(jié)晶體管各管腳的判別方法
判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E
2010-02-27 16:03:305820
5820常用晶體管參數(shù)查詢(上)
常用晶體管參數(shù)查詢(上)
《常用晶體管參數(shù)查詢(上)》是一篇關(guān)于" 常用晶體管參數(shù)查詢(上) "的文章。本文由照明設(shè)計(jì)網(wǎng)(http://www.elecfa
2010-03-01 11:38:126292
6292Protel99se常用庫(kù)名稱代號(hào)封裝代號(hào)
Protel99se常用庫(kù)名稱代號(hào)封裝代號(hào)Protel99se常用庫(kù)名稱代號(hào)封裝代號(hào)
2016-02-25 16:09:02
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0集成電路有哪些封裝與如何識(shí)別芯片引腳？
集成電路的封裝形式有晶體管式封裝、扁平封裝和直插式封裝。集成電路的引腳排列次序有一定規(guī)律，一般是從外殼頂部向下看，從左下角按逆時(shí)針?lè)较蜃x數(shù)，其中第一腳附近一般有參考標(biāo)志，如缺口、凹坑、斜面、色點(diǎn)等。引腳排列的一般順序如下。
2018-08-31 10:11:2933038
33038三極管常用封裝的引腳排列
三極管具有三個(gè)引腳，定義分別為基極b、集電極c、發(fā)射極e，在設(shè)計(jì)電路和設(shè)計(jì)封裝時(shí)，這三個(gè)引腳的順序必須和封裝對(duì)應(yīng)一致，否則電路無(wú)法正常工作，三極管常用的封裝有：直插TO-92，貼片SOT-23、SOT323、SOT89等。下面介紹一下這幾個(gè)常用封裝的引腳排列。
2020-02-12 02:31:0851441
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如何使用萬(wàn)用表進(jìn)行晶體管的簡(jiǎn)易判別
晶體管管腳一般可根據(jù)外殼上的標(biāo)記判別，也可根據(jù)晶體管的型號(hào)從手冊(cè)中查得，常用各種型號(hào)晶體管的外形如圖1-4所示。
2021-05-03 13:16:175717
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如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？
驅(qū)動(dòng)器、逆變器和電動(dòng)汽車等。 識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過(guò)以下步驟進(jìn)行： 1. 外形識(shí)別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征，其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見(jiàn)的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會(huì)標(biāo)有器件型號(hào)、廠商標(biāo)志或批次號(hào)等
2024-01-12 11:18:10350
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論