65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此,氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面,氮化鎵還被用于藍光激光技術(shù)(最明顯
2023-06-15 15:50:54
;這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍;隨著小米65W的充電器的發(fā)布,快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外,氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作,這使其成為許多熱門應(yīng)用(如集成電機驅(qū)動)的有吸引力的選擇
2018-11-20 10:56:25
當(dāng)你駕駛著電動汽車行駛在馬路上,電動車充電設(shè)備的充電效率可以達到你目前所用充電效率的兩倍;僅有一半大小的電機驅(qū)動比目前應(yīng)用的效率更高;筆記本電腦電源適配器小到可以放進口袋。 電子設(shè)備的未來取決于電源
2020-11-03 08:59:19
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能,被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力,甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料,具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點,應(yīng)用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
對這一曾經(jīng)的新興技術(shù)及其供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的大規(guī)模資金投入已經(jīng)為氮化鎵的主流商業(yè)應(yīng)用奠定了堅實的基礎(chǔ),這將在未來幾十年對我們的行業(yè)及其它行業(yè)帶來革命性的影響。`
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換,德州儀器為您的設(shè)計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
。與典型的PN結(jié)MOSFET不同,GaN器件的雙向結(jié)構(gòu)可以使用雙柵結(jié)構(gòu)控制電流。用于電機驅(qū)動的矩陣轉(zhuǎn)換器可以通過利用雙向設(shè)備潛在地減少開關(guān)的數(shù)量。此外,氮化鎵器件可以在比硅器件更高的溫度下工作,這使其成為
2019-03-14 06:45:11
限制層,為像GaN材料體系這樣性質(zhì)差異大的半導(dǎo)體激光器提供了新的研究思路,有望進一步提高氮化鎵激光器性能。 未來GaN基藍光激光器的效率將進一步提升,接近GaAs基紅外激光器的電光轉(zhuǎn)化效率
2020-11-27 16:32:53
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內(nèi)容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證,這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用,并使其定位為最適合未來5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的實際促技術(shù),其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現(xiàn)快速開關(guān)?氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管,但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET與其他技術(shù)相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
,只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的,高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前,國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片,通過將氮化鎵開關(guān)管,控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動器IC的精彩報告,并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動集成電路,該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù),瞄準(zhǔn)主流消費
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品,這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多:半導(dǎo)體器件可靠性更高,氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化鎵(GaN)因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接(通常推薦采用MCX母座連接,可最大限度減少引線誤差)。現(xiàn)場連接圖如下:▲圖1:接線
2023-01-12 09:54:23
`明佳達優(yōu)勢供應(yīng)NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產(chǎn)品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印:NV6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
,可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能;當(dāng)負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率,空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于換了三星手機,之前的充電器都不支持快充了,一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器,「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器,這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號:JFSJ-21-041作者:炬豐科技網(wǎng)址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
驅(qū)動器的CMTI規(guī)格最低為200 kV/μs,這是隔離驅(qū)動器的最高CMTI規(guī)格。氮化鎵確保適應(yīng)未來變化氮化鎵材料的能特性和無損耗處理高電壓操作的能力,為設(shè)計人員在將來設(shè)計電動汽車時提供了決定性優(yōu)勢,這
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的電壓,其漏極漂移區(qū)為10-20μm,或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而,氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限,這為未來的優(yōu)化和改進,留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
應(yīng)用范圍也越來越廣。據(jù)報道,美國特斯拉公司的馬達驅(qū)動逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外,很多讀者都已經(jīng)在電器市場上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體,其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22
電源和信號,一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關(guān)速度太慢,而且存在驅(qū)動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉(zhuǎn)換器/隔離器,導(dǎo)致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì),確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
,其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產(chǎn)業(yè)原本由硅組件主導(dǎo)的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性,能為高頻電源設(shè)計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢,因此在服務(wù)器、通訊電源及便攜設(shè)備充電器等領(lǐng)域
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優(yōu)勢,實單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景:3C消費類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
氮化鎵技術(shù)是功率級的真正推動者,如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時,才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢。經(jīng)過多年的研發(fā),MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
材料特性對比展開,通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置:示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步:電路設(shè)計和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品?
2021-06-15 06:30:55
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器,可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時,可以實現(xiàn)更平穩(wěn)的運行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
一顆頂兩顆,SMT貼片費用對應(yīng)降低,取代多顆時,成本下降更加明顯,并且PCB面積也得到減小。從這些方面,又攤薄了應(yīng)用成本壓力。充電頭網(wǎng)總結(jié)氮化鎵在PD快充上的應(yīng)用,通過高頻開關(guān),減小了變壓器的尺寸,再
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供,包括45W、69W單口、多口全協(xié)議輸出適配器,更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
和功率因數(shù)校正 (PFC) 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件,隔離式負 V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法,可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制,外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片,對應(yīng)兩顆不同大小的變壓器,組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
沖。
由于氮化鎵器件具備優(yōu)越的性能優(yōu)勢,支持基于氮化鎵器件的設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)不斷在發(fā)展,從而有越來越多供應(yīng)商提供新型元件,例如柵極驅(qū)動器、控制器和無源元件,可進一步增強基于氮化鎵器件的系統(tǒng)的性能。
此外
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來,橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今,這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低價值。硅襯底倒裝波LED芯片,效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
,整合優(yōu)勢資源,讓客戶更加方便地用上氮化鎵技術(shù),獲得氮化鎵低開關(guān)損耗、高效率的優(yōu)勢,降低充電器的能耗,節(jié)能減排助力“3060雙碳”戰(zhàn)略。茂睿芯年初發(fā)布了業(yè)界最小體積SOT23-6的高頻QR ACDC
2021-11-12 11:53:21
工作的晶體管而言,這是一個非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設(shè)備、醫(yī)學(xué)成像用的高能光子發(fā)生器以及電動汽車和工業(yè)電機驅(qū)動器的功率逆變器中。在這類應(yīng)用中,氧化鎵有一個天然優(yōu)勢。在這些頻率下,優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路,采樣的全隔離的驅(qū)動方案,但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高,不知道為啥?是因為驅(qū)動芯片的原因嗎?上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
電壓,可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能;當(dāng)負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率,空載待機
2023-03-28 10:24:46
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
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