65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
`這是一款本公司開發的一款ASIC專用OPPO閃充數據線方案。英銳恩現提供支持VOOC閃充技術的OPPO R7、OPPO R7 Plus、OPPO R7s等手機數據線；OPPO快充數據線碼片
2018-08-23 17:25:46
技高一籌。 OPPO超級閃充、VOOC閃充、普通充電速度對比 仔細觀看這段快充視頻可以發現，測試的手機是從電量5%開始充電，充到100%用了10分鐘左右時間，而官方宣傳中說的是15分鐘可以充滿
2018-10-09 14:39:10
新一代納秒級高帶寬仿真工具平臺——HAC Express
2021-01-11 06:47:24
新一代軍用通信系統挑戰
2021-03-02 06:21:46
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數字-模擬轉換器(DAC)的架構，專注于設計用于消費電子應用中提供高電壓線驅動器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工廠開發的特點；納微半導體的GaNFast方案則可以通過高頻實現充電器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。對于氮化鎵快充普及浪潮的來臨，各大主流電商及電源廠
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經濟高效的替代品，并成為實現新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
?
尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
的關鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術的性能優勢已經過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎設施的實際促技術，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發難度，有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
板上看出，得益于使用合封氮化鎵器件，芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續輸出，并且合封將控制器和開關管集成在一顆芯片內，初級的元件也十分精簡，可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。鈺泰半
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協議，意法半導體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔離探頭現場條件因該氮化鎵快充PCBA設計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
VOOCC to C：支持MTK PE可通過雙頭 USB-C 線支持華為 SCP 快充和 OPPO VOOC 閃充，并且還能支持 MTK PE 快充。SW2305 快充20W PD多協議快充芯片，其
2021-04-14 19:27:28
適合發燒友DIY改造。值得一提的是，智融是OPPO授權的首批兩家快充協議芯片原廠之一，在研發實力上得到上游肯定。目前這顆快充芯片已經批量出貨，近期將會看到應用產品上市。`
2019-09-09 10:42:17
/VOOC等多種快充協議，CC/CV 模式，以及雙口管理邏輯。外圍只需少量的器件，即可組成完整的高性能多快充協議雙口充電解決方案。特點? 同步降壓變換器? 輸出電流高達5A? 輸入電壓范圍6~40V
2019-02-14 17:38:03
`SW6206支持OPPO閃充，雙向快充PD移動電源方案有需要的上帝可聯系：朱一鳴 ***SW6206 是一款高集成度的多協議雙向快充移動電源專用多合一芯片，支持A+A+B+C+L 口任意口快充。其
2019-05-05 19:44:27
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現在還有什么是阻礙氮化鎵器件發展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
新一代數據中心有哪些實踐操作范例？如何去推進新一代數據中心的發展？
2021-05-25 06:16:40
精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設計，帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
如何選擇PD快充中USB端口的防護器件SD05？
2022-01-14 07:19:46
寶礫微PL6200只需要外置功率MOS、電感，每個接口僅需配置負載開關即可，電路結構非常的簡單，可兼容最多5個USB接口（2A1C1M1L）快充，只需最簡單的MCU即可實現全協議快充，極具成本
2021-12-25 10:35:58
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
一顆頂兩顆，SMT貼片費用對應降低，取代多顆時，成本下降更加明顯，并且PCB面積也得到減小。從這些方面，又攤薄了應用成本壓力。充電頭網總結氮化鎵在PD快充上的應用，通過高頻開關，減小了變壓器的尺寸，再
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵完整方案有深圳市展嶸電子有限公司提供，包括45W、69W單口、多口全協議輸出適配器，更有87W適配器+移動電源超級快充二合一方案。總有一款適合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
節能的角度來看，射頻能量能夠通過兩種方法為行業帶來優勢，即降低成本和優化控制。除節能外，氮化鎵和射頻能量的另一個能源優勢是非常適合石油工業中的工業干燥和加熱應用。Suncor等公司已開始通過射頻能量
2018-01-18 10:56:28
手機快充是如何實現的？
2021-09-26 07:17:28
正方：手機快充是未來的方向，華為mate9、OPPO R9s都拿此為賣點，安卓機的趨勢是大屏化，高分辨率化，5.0或者5.5的屏幕成為標配，分辨率要么1080p要么上2k，CPU有驍龍820、835
2017-01-06 09:30:29
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1102M。
特銳祥專注于被動元器件的研發、生產及銷售
2023-06-16 14:05:50
。這樣一來，VOOC閃充相比傳統充電速度提高4倍之多。“30分鐘可以充到3000mAh電池的75%”就是“充電5分鐘，通話兩小時”的原因。 值得注意的是，為了強調安全性，OPPO的快充技術著力于“低壓
2018-10-10 16:39:23
步榨取摩爾定律在制造工藝上最后一點“剩余價值”外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個重要方向。在這個過程中，氮化鎵（GaN）近年來作為一個高頻詞匯，進入了人們的視野。GaN和SiC同屬
2019-07-05 04:20:06
`OPPO華為閃充協議方案 支持華為SCP協議高通QC3.0快充車充芯片方案-工作電壓從3.2v 34V 支持VOOC快充模塊是基于USB充電識別系列IC設計的，能夠自動識別OPPO手機并進
2018-08-08 09:29:26
支持VOOC快充模塊是基于USB充電識別系列IC設計的，能夠自動識別OPPO手機并進入VOOC快充模式，兼容蘋果手機識別充電。輔助充電設備模擬成OPPO品牌的原裝充電器，對OPPO手機進行VOOC快
2018-08-11 10:42:28
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
0302147161325R0M。泰爾認證中心是OPPO VOOC快充協議唯一授權認證實驗室。值得一提的是，SW2327協議芯片不僅支持VOOC4.0，還支持UFCS融合快充規范。智融USB Type-C快充協議芯片
2021-10-14 10:23:54
實質上是一種開關管，相比傳統硅MOS管具有更低的導通電阻，更小的輸入輸出電容，開關速度非常快，可以支持更高的開關頻率。通過使用氮化鎵開關管，可以突破傳統硅器件的性能限制，生產出更高效率和更小體積的電源
2021-11-02 09:03:39
近日，ismartware智融科技宣布，在被廣泛使用的SW6106基礎上，旗下全新一代超級快充移動電源芯片SW6206成功面世。智融SW6206是一款高集成度的多協議雙向快充移動電源專用合一芯片
2020-03-30 10:12:22
深圳展嶸電子有限公司一級代理梁東：***QQ：38839547ismartware智融科技宣布，在被廣泛使用的SW6106基礎上，旗下全新一代超級快充移動電源芯片SW6206成功面世。智融
2019-08-26 09:01:06
相應的控制管理邏輯。外圍只需少量的器件，即可組成完整的高性能雙向快充移動電源解決方案。以下是對部分數碼產品的充電實測：使用智融SW6208 DEMO板搭配電芯給OPPO手機充電，ChargerLAB
2019-08-27 15:44:57
深圳展嶸電子有限公司有需要的上帝可聯系小慧：***qq:1928349796 微信：hui2530312447智融繼SW6106之后，再次推出一款高級成超級快充移動電源SOC芯片。該芯片具有全接口
2019-09-16 13:58:16
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
了自己的 Turbo Charge渦輪快充技術，而在今年Moto（被聯想收購后改名）發布的Moto Z系列模塊化手機上搭載了新一代的Turbo Power渦輪快充技術，其中Moto Z&
2016-12-26 20:42:31
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
深圳市展嶸電子有限公司有需要的老板歡迎騷擾梁東：***QQ：38839547ismartware智融繼SW6106之后，再次推出一款高級成超級快充移動電源SOC芯片。該芯片具有全接口快充、全協議快充
2019-09-02 09:47:05
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
半導體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業務（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導體產業并購》）。僅有氮化鎵業務
2023-03-03 16:48:40
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
：SOT23-6L LP35118V 20W-30W氮化鎵快充專用同步整流IC 概述LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控 制芯片，適用于 AC-DC
2022-05-30 10:31:43
供應XPD319BP36 36W和36W以內vooc快充協議芯片-支持OPPO VOOC2.0快充，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 14:36:56
智融推出了一顆USB PD快充協議芯片SW2303，適用于單口USB PD快充及單口氮化鎵快充產品中。據悉，除了USB PD快充協議之外，該芯片還可兼容QC、FCP、高低壓SCP、AFC、SFCP
2022-07-29 16:46:40
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