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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來(lái)，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。

關(guān)鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯(lián)；高頻；Q軌跡

引言

1 影響功率MOSFET并聯(lián)均流的因素

??? 1.1 內(nèi)部參數(shù)對(duì)并聯(lián)均流的影響

圖2

2 Q值對(duì)并聯(lián)均流的影響

??? 從圖1中實(shí)線可以看出，Q值越大，換向時(shí)間越短，開通損耗越低但關(guān)斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關(guān)軌跡發(fā)生很大變化，開通損耗增加而關(guān)斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗對(duì)整個(gè)系統(tǒng)效率的提高至關(guān)重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應(yīng)該是在相對(duì)較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數(shù)對(duì)并聯(lián)均流的影響。

圖3

??? 2.2 Q值對(duì)雙管并聯(lián)均流影響的仿真分析

??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯(lián)不均流得到改善，但Ls越大器件關(guān)斷時(shí)間越長(zhǎng)。在設(shè)計(jì)中，并聯(lián)器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優(yōu)的Ls（即Ls/Lx）使得并聯(lián)均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數(shù)均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關(guān)斷過程中電流不均衡的仿真分析結(jié)果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯(lián)兩管漏電流相差最大處的差值。

表1 內(nèi)部特性參數(shù)不一致下，Q和Ls/Lx不同對(duì)器件動(dòng)態(tài)電流分布的影響

3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。

4 結(jié)語(yǔ)

??? 3）電路布局對(duì)稱并盡可能緊湊，連線長(zhǎng)度相同且減短加粗并使用雙股絞線；

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2021-04-21 07:16:38

如何計(jì)算MOSFET的功率耗散

過程詳述于圖1）。　　同步整流器的功耗　　除最輕負(fù)載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關(guān)閉過程中都會(huì)被續(xù)流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關(guān)損耗，它的功率消耗很容易計(jì)算

2021-01-11 16:14:25

如何選型—功率 MOSFET 的選型？

使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型

2019-11-17 08:00:00

常使用的均流技術(shù)有哪幾種？

經(jīng)常使用的均流技術(shù)有6種

2021-03-16 06:59:35

開關(guān)轉(zhuǎn)換器并聯(lián)系統(tǒng)的均流技術(shù)

系統(tǒng)的發(fā)展和負(fù)載功率的擴(kuò)大，促使人們研究和應(yīng)用開關(guān)轉(zhuǎn)換器模塊的并聯(lián)冗余技術(shù)。　　大功率的供電電源系統(tǒng)，需要用若干臺(tái)AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換器并聯(lián)工作以滿足負(fù)載功率的要求。例如，通信用輸出為48 V

2011-11-10 11:29:25

怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時(shí)出現(xiàn)的問題？

怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時(shí)出現(xiàn)的問題？來(lái)糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。

2021-04-07 07:05:04

有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄

2017-04-17 23:59:52

橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型，對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)

2018-08-27 16:00:08

理解功率MOSFET的RDS(ON)負(fù)溫度系數(shù)特性

，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡，這也是功率MOSFET相對(duì)于晶體管最具有優(yōu)勢(shì)的一個(gè)特性。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件的內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作

2016-09-26 15:28:01

理解功率MOSFET的開關(guān)過程

動(dòng)態(tài)恒流區(qū)、一段穩(wěn)定時(shí)間的米勒平臺(tái)恒流區(qū)，此時(shí)MOSFET均工作于放大狀態(tài)，這也可以理解：MOSFET在開關(guān)過程中，跨越恒流區(qū)（放大區(qū)），是MOSFET產(chǎn)生開關(guān)損耗的直接原因。

2016-11-29 14:36:06

理解功率MOSFET管的電流

MOSFET工作也可以工作在飽和區(qū)，即放大區(qū)恒流狀態(tài)，此時(shí)，電流受到溝道內(nèi)電子數(shù)量的限制，改變漏極電壓不能增加流通電流。功率MOSFET從放大區(qū)進(jìn)入穩(wěn)態(tài)工作可變電阻區(qū)，此時(shí)，VGS驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的的放大恒流狀態(tài)

2016-08-15 14:31:59

電源并聯(lián)：電源簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

，直接并聯(lián)這種電源的效果更糟糕。單象限電源只有負(fù)載均流誤差，但雙象限電源的調(diào)節(jié)會(huì)產(chǎn)生競(jìng)爭(zhēng)性輸出電壓控制。這將導(dǎo)致超過負(fù)載電流的大電流在陣列中的電源間循環(huán)流動(dòng)，并可能立即導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)電源過載。此外

2018-10-19 16:48:21

電源模塊并聯(lián)失效的原因和解決方法

技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一，是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，總會(huì)把多個(gè)電源模塊并聯(lián)一起使用，導(dǎo)致模塊輸出無(wú)法均流，使得模塊輸出短路、啟動(dòng)異常、損壞等現(xiàn)象。要

2015-09-25 09:52:58

自動(dòng)負(fù)載均流法和電流自動(dòng)均流在電源系統(tǒng)中應(yīng)用

和可靠運(yùn)行。均流技術(shù)就是對(duì)系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺(tái)電源可靠運(yùn)行的一種特殊措施。圖1所示為多臺(tái)開關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動(dòng)均流技術(shù)

2011-07-13 15:19:57

請(qǐng)教LTC3779電源均流設(shè)計(jì)問題

2018-07-27 08:56:50

請(qǐng)問并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)？

模塊電源市場(chǎng)日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)？

2021-03-16 09:24:11

采用LTC4350實(shí)現(xiàn)并聯(lián)均流

基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)

2019-04-22 11:40:09

驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

功率MOSFET并聯(lián)應(yīng)用

從線路布線和參數(shù)配置等方面分析了導(dǎo)致MOSFET并聯(lián)時(shí)電壓和電流不均衡的原因，并聯(lián)MOSFET易產(chǎn)生振蕩的原因作了詳細(xì)的分析，并輔以仿真說(shuō)明振蕩產(chǎn)生的原因。

2010-09-30 16:29:30

高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡(jiǎn)要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，

2010-11-11 15:34:22

201

基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

摘要：采用AVR單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計(jì)了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗

2010-12-14 15:43:03

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究

MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問題探究 1 引言 MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵

2009-11-02 10:04:00

2009

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有

2009-11-10 10:53:13

4381

MOSFET高頻感應(yīng)加熱電源的研究

以功率MOSFET 、為開關(guān)元件．采用多管井聯(lián)的方式研制出1。kw 高頻感應(yīng)加熱電源．對(duì)該電源的逆變電路、控制電路、多管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)等問題做研究和實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：采用MOSFE]、多管并

2011-08-11 14:18:51

278

大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)

關(guān)于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究

2011-10-11 19:27:56

186

基于移相控制的大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的研究

采用AVR單片機(jī)實(shí)現(xiàn)了大功率并聯(lián)軟開關(guān)電源的數(shù)字化控制，并設(shè)計(jì)了主電路系統(tǒng)，研究了移相全橋變換器的工作原理。電源采用模塊并聯(lián)技術(shù)和主從控制方式，構(gòu)成了N+1冗余結(jié)構(gòu)，并研

2011-10-21 18:12:48

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

基于平均功率控制的中頻逆變器主從并聯(lián)系統(tǒng)研究_龍江濤

2017-01-08 10:11:41

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。仿真只是工具，仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對(duì)象 SiC MOSFET

2021-03-11 09:22:05

3311

功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計(jì)

功率MOSFET應(yīng)用研究及主電路設(shè)計(jì)。

2021-03-22 17:23:16

功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)電阻?資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2021-03-29 16:49:37

電容應(yīng)用：MOSFET的門源極并聯(lián)電容

2022-01-10 10:14:09

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

2022-08-01 09:51:15

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并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)

為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無(wú)需額外的篩選過程。

2022-08-04 08:59:51

3290

熱插拔電路中的LTC4226并聯(lián)MOSFET

雖然在熱插拔?電路中使用多個(gè)并聯(lián)MOSFET通常是可取的，有時(shí)甚至是絕對(duì)關(guān)鍵的，但仔細(xì)分析安全工作區(qū)（SOA）至關(guān)重要。電路中每增加一個(gè)并聯(lián)MOSFET，就會(huì)改善應(yīng)用的壓降、功率損耗和隨之而來(lái)的溫升。

2023-01-09 15:06:47

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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

評(píng)論