本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。可以說(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2014-09-02 16:38:46
379530 為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過(guò)程機(jī)理，我們有必要簡(jiǎn)單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡(jiǎn)單來(lái)看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+層提供空穴載流子，這樣可以和漏極N+區(qū)域的電子
2023-01-17 13:59:2912950 
體，IGBT具有BJT的輸入特性和MOS管的輸出特性。 與BJT或MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管IGBT優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高工作電壓和更低MOS管輸入損耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，可用于多種
2023-10-16 10:28:541215 
IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。
2023-10-18 10:28:072731 
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2023-12-08 15:49:06575 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率
2023-12-18 09:40:221172 
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-3-18 17:15 編輯
GBT 工作原理及應(yīng)用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-03-17 11:59:25
;，IGBT也用到了1和0，只是它依靠變頻器控制軟件，處理功率流。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，大家還可以將IGBT 想象成一個(gè)控制大電流的開(kāi)關(guān)，不過(guò)，它的最高開(kāi)關(guān)速度可達(dá)每秒幾萬(wàn)次。IGBT的工作原理通過(guò)調(diào)節(jié)IGBT的通與斷來(lái)
2022-05-10 09:54:36
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
而言，其工作頻率在 20KHz 以下，工作電壓在 72V 以下，故 IGBT 和 Mosfet 都可以選擇，所以也是探討比較多的應(yīng)用。**特性對(duì)比： **Mosfet 和 IGBT 在結(jié)構(gòu)上的主要差異
2022-09-16 10:21:27
IGBT模塊工作原理以及檢測(cè)方法,希望會(huì)對(duì)大家有所幫助
2011-08-09 18:30:26
是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分
2018-10-18 10:53:03
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IGBT的特點(diǎn)有哪些？
2021-10-15 06:01:58
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)?！竟β试骷幕?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驅(qū)動(dòng)電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動(dòng)板，IGBT驅(qū)動(dòng)核，IGBT驅(qū)動(dòng)芯，IGBT適配板，IPM，這些到底有啥區(qū)別？哪種最為簡(jiǎn)單？`
2017-10-10 17:16:20
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2022-04-01 11:10:45
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2020-07-19 07:33:42
【不懂就問(wèn)】說(shuō)MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開(kāi)通關(guān)斷或者放大作用的管子且門(mén)極驅(qū)動(dòng)的話，都要接上電阻來(lái)控制開(kāi)短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開(kāi)呢？
2018-07-04 10:10:27
的是，MOSFET的寄生二極管或體二極管的恢復(fù)特性比業(yè)界目前使用的分立二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同，今天就讓小編帶大家一起來(lái)了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
二極管要緩慢。因此，對(duì)于硬開(kāi)關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來(lái)說(shuō)，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低
2018-09-28 14:14:34
降壓或者升壓。具體的連接電路你可以搜下百度：burk電路降壓電路boost升壓電路。資料很多mos管的柵極g比源極s高5v—10v，mos管就可以導(dǎo)通。PWM輸出占空比可調(diào)的方波，作為驅(qū)動(dòng)輸入mos管
2012-07-09 15:27:32
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
2021-05-14 09:24:58
本帖最后由 24不可說(shuō) 于 2018-10-10 08:23 編輯
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡(jiǎn)單易懂的語(yǔ)言來(lái)為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
`推薦課程：張飛軟硬開(kāi)源：基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為 MOSFET,輸出極為 PNP 晶體管,因此,可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)
2021-03-19 15:22:33
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
，中間腳為負(fù)，P-MOS的話是右邊腳為負(fù)，中間腳為正），如果兩個(gè)方向都不通就是IGBT簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，用萬(wàn)用表的二極管導(dǎo)通檔測(cè)量管子的中間腳和右邊腳，如果能通的話就是MOS管，不通就是IGBT了，這已經(jīng)是
2012-07-10 09:48:58
igbt工作原理
IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，流過(guò)反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。
2007-12-22 10:36:06
117 IGBT資料包含了以下內(nèi)容：
IGBT 的基本結(jié)構(gòu)IGBT 的工作原理和工作特性
IGBT 的擎住效應(yīng)和安
2007-12-22 10:41:42251 igbt工作原理及應(yīng)用
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 09:45:1811135 
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖1所示為一個(gè)N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵
2010-03-04 15:55:315186 IGBT的工作原理是什么?
IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使
2010-03-05 11:43:4296992 cd4069-igbt或mos后級(jí)
2016-12-09 23:48:1744 講解IGBT的工作原理和作用
2017-02-28 22:26:4731 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2017-05-03 10:15:387851 會(huì)減低；MOS就是MOSFET的簡(jiǎn)稱了；IGBT和MOS是全控器件，是電壓型驅(qū)動(dòng)，即通過(guò)控制柵極電壓來(lái)開(kāi)通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動(dòng)，即給柵極通一定的電流，可以是可控硅開(kāi)通，但是一旦開(kāi)通
2017-05-14 10:09:4253166 
本文主要介紹了igbt逆變器工作原理_igbt在逆變器中的作用。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有
2018-03-01 14:51:0775268 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2018-06-28 09:51:43154740 
本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu)，其次介紹了IGBT工作原理及代換，最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-07-17 15:00:1785386 本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。
2019-01-02 16:20:4547418 
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常?？墒?b class="flag-6" style="color: red">MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識(shí)別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙！
2019-02-24 10:25:0816934 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5613315 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3811556 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理等資料合集說(shuō)明包括了：IGBT 的基本結(jié)構(gòu)，IGBT 的工作原理和工作特性，IGBT 的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)，IGBT 的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)，集成
2020-09-10 08:00:0019 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷
2022-11-29 18:10:252756 MOS管和IGBT管都可以作為開(kāi)關(guān)元件使用，它們?cè)谕庑巍⑻匦詤?shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？ 什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的簡(jiǎn)稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化
2021-02-14 10:16:0013867 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2022-02-09 11:04:537 MOS的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
2022-02-15 15:16:110 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:159249 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:142381 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，為什么有些電路中使用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-01-30 15:00:351529 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:509150 MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說(shuō)IGBT
2023-02-22 14:44:3224 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
2023-02-22 13:59:501 用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型：分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ?什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:455 了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場(chǎng)效
2023-02-24 10:36:266 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor，集成門(mén)控晶閘管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）都是用于高功率電力電子設(shè)備的開(kāi)關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)和工作原理有所不同，主要區(qū)別如下：
2023-02-28 11:18:458765 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:521075 
用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫
2023-05-17 15:11:541041 用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（
2022-04-08 16:38:141549 
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:513005 威兆MOS和IGBT在光伏儲(chǔ)能中的應(yīng)用
2022-08-03 14:46:101413 
igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:013256 路的設(shè)計(jì)和工作原理非常重要，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊戨娮釉O(shè)備的效率和可靠性。本文將詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的工作原理。 IGBT逆變電路的基本結(jié)構(gòu)包括三相橋式逆變電路和單相逆變電路。三相橋式逆變電路通常適用于三相交流驅(qū)動(dòng)電機(jī)，而單相逆變電路通常適用于單相交流
2023-08-29 10:25:513164 絕緣柵雙極晶體管，是一種高速開(kāi)關(guān)器件，常用于功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。其工作原理是基于雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的原理結(jié)合而成的。在IGBT內(nèi)部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP結(jié)構(gòu)，其中兩個(gè)P型區(qū)域分別與兩個(gè)N型區(qū)域相接，形成PN結(jié)，而在兩個(gè)P型區(qū)域之間還有一個(gè)N型區(qū)域，形成一個(gè)N通道結(jié)構(gòu)。這個(gè)N型區(qū)域被稱為增
2023-10-19 17:08:082597 大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來(lái)了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:281270 IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件，它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理：IGCT是一種電流型器件，其工作原理是基于晶閘管的結(jié)構(gòu)
2023-11-24 11:40:53999 可控硅和igbt區(qū)別? 可控硅和IGBT是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中常用的兩種功率半導(dǎo)體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉(zhuǎn)換中發(fā)揮重要作用，但它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)和應(yīng)用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214 Transistor）是兩種常見(jiàn)的功率開(kāi)關(guān)器件，用于電力電子應(yīng)用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:38792 。 首先，讓我們了解一下這兩種器件的簡(jiǎn)單工作原理。MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由金屬柵、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體基底構(gòu)成。通過(guò)在金屬柵上施加電壓來(lái)控制半導(dǎo)體中的電流。而IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，是一種混合的MOS管和雙極型晶體
2023-12-19 09:25:161770 等領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) IGBT主要由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別是P型、N型、P型和N型。從上到下依次為：發(fā)射極、集電極、P型基區(qū)和N型基區(qū)。在P型基區(qū)和N型基區(qū)之間有一個(gè)PN結(jié)，這個(gè)PN結(jié)被稱為內(nèi)建
2024-01-10 16:13:10373 
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681 IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種特殊的雙極晶體管，結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有
2024-01-23 13:44:51678 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 
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