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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>MOS管AB間電阻是多少?

MOS管AB間電阻是多少?

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在做一個(gè)仿真的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)一些奇怪現(xiàn)象,于是就單獨(dú)把MOS拿出來(lái)放一邊仿真看看。1.左邊2N7002mos源極如果接100歐電阻,發(fā)現(xiàn)電阻上還會(huì)有2.16V的電壓(如圖1)。2.如果改為1000歐
2019-03-15 13:51:28

MOSRds電阻做電流采樣時(shí)的溫度補(bǔ)償

MOS的Rds會(huì)隨著溫度升高而阻值變大,從而影響檢測(cè)電流那么如何利用溫度來(lái)補(bǔ)償Rds電阻的 溫升呢???有沒有大神,做過(guò)類似的方案,指點(diǎn)下小弟啊 !!!
2016-09-26 13:16:43

MOS為什么會(huì)被靜電擊穿

MOS一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞),又因
2017-06-01 15:59:30

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2016-07-21 10:55:02

MOS主要參數(shù)

的改進(jìn),可以使MOS的VT值降到2~3V。2. 直流輸入電阻RGS  ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比  ·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示  ·MOS的RGS可以很容易地超過(guò)1010
2012-08-15 21:08:49

MOS導(dǎo)通電阻問題

我在網(wǎng)上一些帖子上面看到,MOS導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子,這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大,同時(shí)RDS也較大,功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè),上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的,這個(gè)也算是電阻大嘛?這不是與上面的介紹想矛盾嗎?另外,MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢?
2018-10-25 11:14:39

MOS并聯(lián)是什么意思

一、MOS并聯(lián)理論:(1)、三極(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù),即當(dāng)溫度升高時(shí),導(dǎo)通電阻會(huì)變小。(2)、MOS具有正的溫度系數(shù),即當(dāng)溫度升高時(shí),導(dǎo)通電阻會(huì)逐漸變大。MOS的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-29 07:04:37

MOS開關(guān)電路導(dǎo)通的問題

一直在導(dǎo)通?但是:當(dāng)CTL信號(hào)沒有的時(shí)候,VB1一直有電壓,大概比VB小0.5V.奇怪的是在VB和三極c極之間的,100k和15k電阻的那個(gè)點(diǎn)也一直有一個(gè)比VB小0.5-0.6v的電壓。請(qǐng)問高手這個(gè)
2018-11-30 10:36:38

MOS開關(guān)電路特性及判斷使用-KIA MOS

,漏極和源極的阻抗只有83毫歐,可以認(rèn)為壓降已經(jīng)很小了。P溝道MOS開關(guān)電路PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G
2019-01-28 15:44:35

MOS是怎么工作的?

MOS的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS的工作機(jī)制MOS的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47

MOS柵極電阻的問題

由于MOS柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS驅(qū)動(dòng)時(shí)柵極很容易發(fā)生諧振,常采用的辦法是在柵極串接一個(gè)小電阻,我想問為什么電阻可以抑制振蕩?請(qǐng)眾位大神解釋原因,呵呵,知其然不知其所以然!
2014-05-24 15:28:54

MOS正確選擇的步驟介紹

應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOS不會(huì)失效。就選擇MOS而言,必須確定漏極至源極可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOS能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要
2020-07-10 14:54:36

MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

,可以使MOS的VT值降到2~3V。  2.直流輸入電阻RGS  即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比,這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示,MOS的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。  3.漏源擊穿
2018-11-20 14:06:31

MOS電路邏輯及MOS參數(shù)

~3V。  2.直流輸入電阻RGS  即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比,這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示,MOS的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。  3.漏源擊穿電壓BVDS  在VGS=0
2018-11-20 14:10:23

MOS的基礎(chǔ)知識(shí)/主要參數(shù)/應(yīng)用電路

。  1.MOS的基礎(chǔ)知識(shí)  MOS分為N溝道MOS和P溝道MOS(N溝道應(yīng)用更加廣泛)。  MOS的三個(gè)極分別為:柵極G、漏極D、源極S。    N溝道MOS和P溝道MOS電路符號(hào)    N-MOS
2021-01-20 16:20:24

MOS的外圍電路

現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)常看見在每個(gè)橋臂的MOSG極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD(電阻+二極+電容)電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS的突波或者
2017-08-11 09:20:17

MOS的開關(guān)電路中柵極電阻和柵源極級(jí)電阻是怎么計(jì)算的?

MOS的開關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)電阻R6是怎么計(jì)算的?在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可變電阻狀態(tài)中,作為開關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09

MOS的測(cè)試

DS加電容,測(cè)試兩種差不多的MOS,發(fā)現(xiàn)MOS里面芯片大的反而沖擊電流小,這是為什么,兩種級(jí)別差不多的MOS,里面的芯片DIE大的反而沖擊電流小?,這是什么原因,耐沖擊電流與MOS的DIE大小有關(guān)系嗎
2018-01-19 09:54:42

MOS種類和結(jié)構(gòu)

`  在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為
2019-02-14 11:35:54

MOS種類和結(jié)構(gòu)你知道多少

型號(hào),所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS,不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
2021-01-11 20:12:24

MOS選型注重的參數(shù)

;4、?MOS最大允許工作溫度–這要滿足系統(tǒng)指定的可靠性目標(biāo)。二、MOS主要參數(shù)及使用在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等...
2021-11-16 09:06:09

MOS問題,請(qǐng)問MOS是如何導(dǎo)通的呢?

本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯 四個(gè)MOS這么排列,Q3Q4是打開,Q1Q2是關(guān)閉, 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V,MOS是如何導(dǎo)通的呢,體二極也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07

MOS驅(qū)動(dòng)電阻怎么選擇

在設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者逆變器時(shí),我們經(jīng)常需要用到MOS,可是有些朋友對(duì)于如何選取MOS的驅(qū)動(dòng)電阻不太熟悉,今天本人就分享一份來(lái)自網(wǎng)絡(luò)資源的資料,希望對(duì)大家有所幫助。
2018-07-11 22:37:16

MOS驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少

MOS驅(qū)動(dòng)電壓最大是多少?過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth。可bai以理解為:du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門限(Vth)的剩余電壓大小。1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下,溝道才會(huì)形成,MOS才會(huì)
2021-11-12 08:18:19

MOS驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
2011-11-07 15:56:56

MOS、三極并聯(lián)使用時(shí)的均流電阻選取?

問題是,1.當(dāng)MOS之間并聯(lián)使用時(shí),均流電阻如何取值?2.三極之間并聯(lián)使用時(shí),均流電阻又如何取值?3.GS的放電電阻是否應(yīng)該和G-S-均流電阻之間并聯(lián)?
2021-01-05 18:19:30

MOS開關(guān)的選擇及原理應(yīng)用

,發(fā)熱也會(huì)增大,極易損壞MOS,所以高頻時(shí)柵極柵極串的電阻不但要小,一般要加前置驅(qū)動(dòng)電路的。下面我們先來(lái)了解一下MOS開關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.MOS種類和結(jié)構(gòu)MOSFET是FET的一種(另一種
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2019-07-05 07:30:00

mos仿真

`1、為什么mos仿真導(dǎo)通了電阻還這么大啊、、2、proteus能做buck電路的仿真嗎? 、、、proteus 有模擬開關(guān)嗎、`
2013-05-04 16:50:41

mos壓控恒流源電路設(shè)計(jì)分析

新作了一個(gè)可以調(diào)整led電流的mos壓控恒流源電路大神們幫看看,是否可行?mosVDS在1V以上就進(jìn)入恒流區(qū)了。那么VCC是12V,應(yīng)該可以有11V用在驅(qū)動(dòng)所有的LED燈工作。mos管個(gè)人認(rèn)為還是作為可變電阻來(lái)對(duì)待,運(yùn)放的輸出端有點(diǎn)疑惑,不確定輸出的值具體是多少?高低電平還是什么具體的電壓值呢
2015-04-22 11:27:37

mos反向?qū)▎栴},求解答!

以圖中電路為例,當(dāng)我給柵極與源極之間一個(gè)恒壓源,使得Ugs>Uth,然后Uac是一個(gè)交流源,波形為右邊那個(gè)圖。①那么當(dāng)Uac過(guò)零時(shí),mosD->S溝道會(huì)關(guān)斷嗎?②當(dāng)Uac為負(fù)半軸時(shí),mos的導(dǎo)通情況是怎么樣的呢?是先導(dǎo)通反并聯(lián)二極,再導(dǎo)通S->D溝道嗎?
2019-12-26 17:04:09

mos寄生電容是什么

進(jìn)去。    ESL就是等效電感,ESR就是等效電阻。不管是電阻,電容,電感,還是二極,三極MOS,還有IC,在高頻情況下要考慮到等效電容值,電感值。    我們可看做是我們的各個(gè)管腳之間都是
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mos是否可以省去柵極電阻

老規(guī)矩先放結(jié)論:與反向并聯(lián)的二極一同構(gòu)成硬件死區(qū)電路形如:驅(qū)動(dòng)電路電壓源為mos結(jié)電容充電時(shí)經(jīng)過(guò)柵極電阻,柵極電阻降低了充電功率,延長(zhǎng)了柵極電容兩端電壓達(dá)到mos開啟電壓的速度;結(jié)電容放電時(shí)經(jīng)
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【微信精選】功率MOS燒毀的原因(米勒效應(yīng))

米勒振蕩。防止mos燒毀。過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩,但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩,但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻(導(dǎo)通內(nèi)阻一般
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【轉(zhuǎn)帖】如何判斷MOS的好壞?

向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個(gè)部位和電阻對(duì)MOS起到偏置作用,使之進(jìn)入飽和區(qū)。(2)也可以用舌尖舔住柵極,現(xiàn)象同上。來(lái)源:網(wǎng)絡(luò),如侵刪
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使用MOS的注意事項(xiàng)

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2021-11-12 08:20:11

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2020-06-26 13:11:45

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電路疑問,加上10Ω電阻之后,變壓器、MOS發(fā)熱膩害,有前輩知道原因嗎?
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2018-10-16 22:40:53

如何正確挑選MOS

。在實(shí)際狀況下,MOS并不是抱負(fù)的器材,由于在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器材的RDS(ON)所確認(rèn),并隨溫度而明顯改變。器材的功率耗費(fèi)可由
2021-03-15 16:28:22

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兩個(gè)管子的管腳短路放掉靜電,MOS的D極與S極之間有個(gè)PN接,正向?qū)ǚ聪蚪刂梗谑怯蠷gd=Rgs=Rds=無(wú)窮大,Rsd=幾千歐。IGBT的G極到c、e極的電阻應(yīng)為無(wú)窮大,即Rgc=Rge
2019-05-02 22:43:32

如果MOS的GS端的結(jié)電容充電后沒有電阻放電,那MOS會(huì)一直開通嗎?

一般我們?cè)O(shè)計(jì)這個(gè)MOS的驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,這個(gè)MOS的gs端有一個(gè)寄生結(jié)電容,通常在設(shè)計(jì)電路時(shí)讓這個(gè)gs端開通后,當(dāng)關(guān)閉時(shí)還需要把這個(gè)Gs端的電容的電放電,那么使用一個(gè)電阻,我們現(xiàn)在有個(gè)問題:假如
2019-08-22 00:32:40

幫看下這個(gè)電路,mosDS經(jīng)常擊穿

想測(cè)試兩個(gè)MOS的漏極電流,可在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)Q1這了MOSDS經(jīng)常擊穿,請(qǐng)問這個(gè)什么原因造成的?
2021-08-27 16:00:00

開關(guān)電源如何去除mos開通時(shí)采樣電阻上的紋波?

開關(guān)電源如何去除mos開通時(shí)采樣電阻上的紋波?
2023-05-09 14:53:06

挖掘MOS被擊穿的原因及解決方案

`<p> 挖掘mos被擊穿的原因及解決方案  一、MOS本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上
2018-11-05 14:26:45

挖掘MOS驅(qū)動(dòng)電路秘密

MOS,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。  至于為什么不使用耗盡型的MOS,不建議刨根問底。  對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以
2018-10-18 18:15:23

揭開MOS的電極檢測(cè)方法

,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳的正、反向電阻.當(dāng)某兩個(gè)管腳的正、反向電阻相等,均為數(shù)千歐時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極s(對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)而言,漏極和源極可互換,且并不影響電路的正常工作,所以不用加以
2018-10-23 15:10:53

揭秘MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系

 揭秘mosmos驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系  在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許
2018-12-03 14:43:36

無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos發(fā)熱問題

`這是在常溫36.5℃下測(cè)試的照片,6個(gè)mos沒加散熱的情況下溫度在50℃與78攝氏度這兩個(gè)溫度徘徊.請(qǐng)問這正常嗎`
2018-09-07 18:59:31

有沒有人見過(guò)芯片里用L很長(zhǎng)的MOS做大電阻

我想請(qǐng)問一下有沒有人見過(guò)成品的芯片里面用L很長(zhǎng)的二極連接方式的MOS做大電阻(幾百K歐,目前我這里能用來(lái)做電阻的材料電阻率都很小)?如果沒有這樣做的,能告訴我下為什么嗎?因?yàn)橛?b class="flag-6" style="color: red">MOS代替電阻能省下芯片不少的面積和成本,為什么不用這種方法?
2021-06-24 07:58:56

淺析MOS串聯(lián)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

,實(shí)際上MOS并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng),分布電感電容加大,對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面以4顆為例說(shuō)明MOS的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下  上圖中,R1-4為柵極驅(qū)動(dòng)電阻,每個(gè)MOS都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27

淺析MOS的Cgs充放電過(guò)程

一.基本原理MOS本身有Cgs,Cgd,Cds寄生電容,這是由制作工藝決定的。MOS的開通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過(guò)程。開啟時(shí)通過(guò)柵極R1電阻對(duì)Cgs充電,充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以
2023-02-16 13:44:12

淺析MOS驅(qū)動(dòng)電路的奧秘

,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS,不建議刨根問底。  對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源
2018-10-26 14:32:12

淺析功率型MOS損壞模式

MOS運(yùn)行時(shí),由于在Flyback時(shí)功率MOS的寄生雙極晶體運(yùn)行,導(dǎo)致此二極破壞的模式。  四、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生  在并聯(lián)功率MOS時(shí)未插入柵極電阻而直接
2018-11-21 13:52:55

淺析功率型MOS電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)應(yīng)用

,或者有可能造成功率遭受過(guò)高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生,通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻電阻的大小一般選取幾十歐姆。  2)防止柵源極過(guò)電壓,由于柵極與源
2018-12-10 14:59:16

淺析看不到的靜電,是如何把MOS擊穿的?

擊穿有兩種方式:  一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極短路,或者使柵極和漏極短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開路或者是源極開路。JFETMOS一樣,有
2019-02-15 11:33:25

淺析降低高壓MOS導(dǎo)通電阻的原理與方法

`  (1)不同耐壓的MOS的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS,其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS,其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%,耐壓600V的MOS的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12

淺談MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用

外界或驅(qū)動(dòng)電路損壞超過(guò)允許最高電壓(柵極電壓一般需低于20v安全)以及靜電損壞。  4、MOS的開關(guān)原理(簡(jiǎn)要)  MOS是電壓驅(qū)動(dòng)型器件,只要柵極G和源級(jí)S給一個(gè)適當(dāng)電壓,源級(jí)S和漏級(jí)D導(dǎo)電
2019-02-28 10:53:29

測(cè)量MOS導(dǎo)通電阻的意義

測(cè)量MOS的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用,還在哪些方面有重要的意義?
2012-05-17 10:44:16

電池保護(hù)電路使用MOS防反

下面兩張?jiān)韴D是不同地方找到的,有兩個(gè)疑問,特來(lái)請(qǐng)教各位。1.其中兩張圖中都是用了MOS防反。但是MOS的接法卻是相反的。有點(diǎn)想不明白,這樣能起到防反作用嗎(還要考慮到MOS體二極)?2.圖2中DCDC輸入端并聯(lián)了一個(gè)1M的電阻,請(qǐng)問什么作用?
2019-02-18 14:32:10

直流電源MOSGS之間的電阻有何作用

  跨接直流電源MOSGS之間的電阻的實(shí)際作用在于直流電源MOSGS的驅(qū)動(dòng)電路。這種阻力可能存在也可能不存在。常用值是5k和10k,但是這個(gè)電阻的目的是什么?直流電源MOSGS之間的電阻
2021-11-17 07:28:53

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

轉(zhuǎn)貼在使用MOS設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為
2017-12-05 09:32:00

請(qǐng)教一下大家,mos的驅(qū)動(dòng)電路中Rg(柵極驅(qū)動(dòng)電阻)怎么匹配?

Rg具體會(huì)影響到那些參數(shù)?我個(gè)人的理解是①這個(gè)電阻對(duì)MOS的開關(guān)頻率有關(guān),決定了對(duì)mos的輸入輸出電容的充放電時(shí)間②匹配集成驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力,電阻越到,集成驅(qū)動(dòng)所需的最大驅(qū)動(dòng)電流也就越小。大家有什么看法,請(qǐng)教一下
2017-06-05 11:28:22

請(qǐng)問MOS是如何仿真在不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎?

請(qǐng)問有人知道MOS作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下,不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎?我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS的導(dǎo)通電阻,用了下面的testbench 使用sp仿真,結(jié)果查看ZM的實(shí)部,但是出來(lái)的結(jié)果如下所示:結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的,請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24

請(qǐng)問MOS柵極接的100K電阻起到拉什么作用?

MOS柵極接的100K電阻起什么作用,這個(gè)電阻取值是的依據(jù)是什么。
2018-10-24 15:51:49

請(qǐng)問一下為什么mos的輸入電阻都很高呢?

請(qǐng)問一下為什么mos的輸入電阻都很高呢?
2023-04-12 11:21:13

請(qǐng)問變壓器的漏感只會(huì)在MOS關(guān)斷的時(shí)候,對(duì)MOSDS的電壓產(chǎn)生影響嗎?

網(wǎng)上基本都是說(shuō),當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí),漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問下,當(dāng)MOS開通時(shí),這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS產(chǎn)生影響嗎?
2018-12-20 14:12:20

誰(shuí)能解釋下這個(gè)485電路輸出端AB加三極的作用?

看了別人做的產(chǎn)品種的485電路如下,誰(shuí)能幫忙解釋下這個(gè)485電路輸出端AB加三極的作用?謝謝
2019-06-25 06:35:20

這個(gè)mos的驅(qū)動(dòng)怎么工作的?

ncp81074a這個(gè)mos的驅(qū)動(dòng)看不太懂,為啥珊級(jí)要加兩個(gè)電阻,OUTL和OUTH不是是驅(qū)動(dòng)兩個(gè)mos嗎?只用一個(gè)電阻不行嗎?
2020-08-10 10:34:51

靜電為什么能擊穿MOS?如何應(yīng)對(duì)?

  其實(shí)MOS一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。    靜電擊穿有兩種
2022-05-14 10:22:39

MOS的驅(qū)動(dòng)電阻如何放置?

MOS
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-17 18:50:49

MOS柵極為什么加電阻

MOS
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-17 18:51:11

MOSFET柵極-源極的下拉電阻有什么作用?# MOS# #電路知識(shí) #電阻 #mos #MOSFET #

MOSFETMOS
微碧半導(dǎo)體VBsemi發(fā)布于 2024-01-31 14:35:33

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用

功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻有什么用呢?
2019-06-28 08:29:0733437

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