碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續(xù)航更長
2022-09-23 18:31:40
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二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電
2022-11-12 10:01:26
1315 本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06
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。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
Mos管代替上圖中兩個串聯(lián)的MOS,三電平變換器簡化成傳統(tǒng)兩電平全橋變換器,如下圖。 同時,我們將開關(guān)頻率設(shè)定到160KHz,減小了磁性器件和整個變換器的體積。 8KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
。 BOM成本比較表明,碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導(dǎo)體廠商通常都通過參考設(shè)計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應(yīng)用,Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
要求。測試新品器件是否合規(guī)比較容易,但判斷器件的物理特征是否會隨時間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問題。 芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試 衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,憑借碳化硅(SiC)陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能,在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間,能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖(1)所示。 圖(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進入瓶頸期時,碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品,具有極高的工作效率,性能優(yōu)越達到國際先進水平,可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代,碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比,較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表:
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
設(shè)計,不管是車身上的動力總成(Powertrain)系統(tǒng),還是固定安裝在路邊或車庫里的充電樁,導(dǎo)入碳化硅組件的進度都非常快。對車載應(yīng)用而言,設(shè)備的大小跟重量非常關(guān)鍵。若車上的逆變器(Inverter)、充電
2021-09-23 15:02:11
電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù),2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。 02 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關(guān)管。 當(dāng)T2開通時,電感L儲能,電流
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運而生,如碳化硅場效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關(guān)MOSFET:C3M0065100K; 輸出碳化硅二極管:C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET:C2M1000170D方案能廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
個關(guān)鍵技術(shù)方向?qū)ΜF(xiàn)有碳化硅功率器件的封裝進行梳理和總結(jié),并分析和展望所面臨的挑戰(zhàn)和機遇。1、低雜散電感封裝技術(shù)目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
的碳化硅功率器件。 而作為車載產(chǎn)品,且承擔(dān)的是充電這一功率變換部分,整車廠對于產(chǎn)品中元器件使用的要求,也相應(yīng)提高。為了更好的滿足這樣的要求提升,車規(guī)級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅(SiC
2023-02-27 14:35:13
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應(yīng)用。可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級、更大電流等級的產(chǎn)品相繼推出,市場反應(yīng)碳化硅元器件的效果非常好,但似乎對于碳化硅元器件的普及還有
2017-12-13 09:17:44
21987 金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:48
19904 碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些?國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進一步加碼
2018-12-06 16:08:00
138137 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:40
5267 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:08
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前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:19
1191 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:02
1981 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:23
4410 碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口,也是一個很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:16
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碳化硅,是一種無機物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:35
2997 遷移率和體積小等特點,因此碳化硅能夠應(yīng)用于許多領(lǐng)域。 在儲能領(lǐng)域,碳化硅的應(yīng)用已經(jīng)非常非常多了。 在經(jīng)典的儲能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電機以及把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器,碳化硅技術(shù)在這種配置
2023-02-12 15:12:32
933 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù),它是利用碳化硅材料的特性,如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等,來提高電機的效率、耐久性和可靠性,從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:00
4556 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:11
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什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
2090 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件,由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成,可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān),適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:22
2180 SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。
在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:56
4079 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53
465 按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:37
2437 意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51
930 碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52
635 本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:04
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碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20
390 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32
747 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結(jié)構(gòu)單元SiC構(gòu)成,每個SiC結(jié)構(gòu)單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:35
1971 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:56
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11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51
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碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:09
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目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進行分析。
2023-08-31 14:14:22
286 汽車領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)勢及應(yīng)用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它的工作原理與傳統(tǒng)的硅功率器件基本相同,
2023-09-05 09:04:42
1880 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:57
1220 中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:36
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碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00
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MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15
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碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33
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隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點
2023-12-14 09:14:46
241 隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領(lǐng)域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20
360 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09
286 導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56
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隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03
353 碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49
379 碳化硅(Silicon Carbide,簡稱SiC)器件封裝與模塊化是實現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27
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