5000種場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
2013-05-14 02:22:17
`5000種場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)`
2012-11-03 11:42:27
`5000種場(chǎng)效應(yīng)管速查`
2012-08-20 17:39:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。（5）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，最大功率才能達(dá)到30W七、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
2011-12-19 16:30:31
式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)高壓側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問(wèn)題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無(wú)法滿(mǎn)足輸出要求，而很多現(xiàn)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)IC，似乎也沒(méi)有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。 `
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱(chēng)為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱(chēng)為增強(qiáng)型。場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用是什么1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動(dòng)電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路.doc場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí).doc全系列場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)
2021-05-13 07:09:34
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
`場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
載流子導(dǎo)電并在側(cè)向電場(chǎng)控制下通斷的晶體管稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)晶體管,場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；按MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管中空穴、電子參與導(dǎo)電分別將兩類(lèi)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱(chēng)為PMOS
2012-07-11 11:42:48
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中，收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管工作原理 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與
2013-03-27 16:19:17
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
場(chǎng)效應(yīng)管是一種放大器件元件，而晶體管是場(chǎng)效應(yīng)管元件它是通過(guò)改變輸入電壓來(lái)控制輸出電流的，它是電壓控制器件，它不吸收信號(hào)源電流
2012-07-11 11:36:52
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14
場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
作阻抗變換。 3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別： 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒(méi)有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題？怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
場(chǎng)效應(yīng)管（Field-EffectTransistor）也是一種具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱(chēng)FET，它與三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。通過(guò)改變柵極的電壓可以控制漏極和源極之間的電流
2020-12-01 17:36:25
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別： 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
看了幾天的場(chǎng)效應(yīng)管，慢慢搞清了一些疑惑！大學(xué)時(shí)，老師沒(méi)有將場(chǎng)效應(yīng)管這一章節(jié)。現(xiàn)在自己看，看了康華光講的場(chǎng)效應(yīng)管的原理，然后看了鈴木雅臣寫(xiě)的晶體管電路設(shè)計(jì)（下）的源級(jí)接地放大電路的設(shè)計(jì)和FET開(kāi)關(guān)電路
2019-08-12 04:36:08
場(chǎng)效應(yīng)管這種器件也是有PN結(jié)構(gòu)成的，它幾乎只利用半導(dǎo)體中的一種載流子來(lái)導(dǎo)電，故又稱(chēng)單極性晶體管。特點(diǎn)是輸入電阻高，有10^7~10^15歐，所以外部的電壓幾乎全部會(huì)加在管子內(nèi)部，而 不用考慮外部電源
2019-06-25 04:20:03
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
舉例而言，一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個(gè)電阻，在電源和漏極接一個(gè)負(fù)載，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可以看做是一個(gè)互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請(qǐng)問(wèn)此時(shí)這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達(dá)到平衡。此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因?yàn)榇藭r(shí)電流基本不變。
以上是我對(duì)晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的理解，如有問(wèn)題請(qǐng)指正。
2024-01-18 16:34:45
和高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是，WBG 半導(dǎo)體可用于可擴(kuò)展的汽車(chē)電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)
2022-06-15 11:43:25
一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點(diǎn)是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開(kāi)態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開(kāi)時(shí)。這種導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路。 如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個(gè)問(wèn)題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
電磁性。因碳化硅是一種共價(jià)鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
時(shí)，恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大，損耗也就越大。 碳化硅肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件（單極性器件），在工作過(guò)程中不會(huì)發(fā)生少數(shù)載流子存儲(chǔ)的現(xiàn)象，也不會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的正反向切換瞬態(tài)沖擊電流，只有結(jié)電容放電
2023-02-28 16:34:16
、場(chǎng)效應(yīng)管可作為可變電阻使用。4、場(chǎng)效應(yīng)管可方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可作為電子開(kāi)關(guān)使用。40N120使用優(yōu)勢(shì)：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，晶體管是電流控制元件。當(dāng)只允許從信號(hào)源汲取較少電流時(shí)，應(yīng)
2021-12-18 16:12:29
)場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，因此也廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其是采用場(chǎng)效應(yīng)管作為整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí)，可以獲得普通晶體管難以達(dá)到的性能。
2021-12-09 16:26:24
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性測(cè)量”。電路和普通的測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問(wèn)下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫(kù)里沒(méi)找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥(niǎo)了，請(qǐng)見(jiàn)諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型通常稱(chēng)P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。
2018-10-29 22:20:31
semiconductor F E T，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管），相對(duì)于MOS管來(lái)說(shuō)，結(jié)型管使用頻率很低，所以提到結(jié)型管的頻率也比較低，MOS管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管倒經(jīng)常提到，給人一種誤解，以為這是一種元件。實(shí)際上MOS管又可
2019-04-15 12:04:44
縮小每個(gè)晶體管面積以獲得相同的體積，從而在相同的總尺寸中產(chǎn)生更多的晶體管。 圖1.平面場(chǎng)效應(yīng)管 在平面設(shè)計(jì)中，澆口僅控制一個(gè)方向。在 3D 設(shè)計(jì)中，門(mén)纏繞在鰭片周?chē)峁﹥蓚€(gè)或三個(gè)方向的控制（圖
2023-02-24 15:20:59
第一部分 晶體管的工作原理 N型場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種電極介質(zhì)驅(qū)動(dòng)的晶體管，通常用來(lái)將微弱的輸入信號(hào)增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬(wàn)次。其
2023-03-08 14:21:22
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
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2018-11-15 11:52:42
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2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
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2018-06-22 11:09:47
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2018-11-15 14:01:58
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2018-11-15 14:06:57
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流
2021-05-13 06:40:51
的晶體管是電流控制電流型的.一般不可以直接代換的除非稍微改變一下電路結(jié)構(gòu)。二、晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)管選用技巧:（1）晶體三極管選型技巧:必須了解晶體管的類(lèi)型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工
2019-04-09 11:37:36
件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時(shí)又有N溝道和P溝耗盡型之分。場(chǎng)效應(yīng)管一般用于開(kāi)關(guān)作用，有開(kāi)關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源等，應(yīng)用場(chǎng)
2023-02-13 15:43:28
PNP和NPN兩種，一般在信號(hào)源電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)優(yōu)先選用三極管。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管定義：場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，也稱(chēng)為單極型晶體管，主要有兩種類(lèi)型，JFET管
2019-04-08 13:46:25
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么，三極管會(huì)不會(huì)被淘汰？為什么總是討論三極管問(wèn)題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
隨著電子設(shè)備升級(jí)換代的速度，大家對(duì)于電子設(shè)備性能的標(biāo)準(zhǔn)也愈來(lái)愈高，在某些電子設(shè)備的電路設(shè)計(jì)與研發(fā)中，不僅是開(kāi)關(guān)電源電路中，也有在攜帶式電子設(shè)備的電路中都是會(huì)運(yùn)用到性能更好的電子元器件——場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-09-01 08:00:00
有兩種主要類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS-FET）。與BJT不同，F(xiàn)ET僅由一個(gè)載流子組成，因此也稱(chēng)為單極晶體管。屬于壓控半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低
2023-02-03 09:36:05
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
本文探討了鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。 什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管？ 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)
2023-02-24 15:25:29
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53
很多應(yīng)用中，甚至可以直接貼換三極管。1概述場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生，如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極？有什么注意事項(xiàng)？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
如何挑選出好的場(chǎng)效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí)，對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
`常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體管參數(shù)表`
2012-08-20 08:40:24
`我們常接觸到場(chǎng)效應(yīng)管，對(duì)它的運(yùn)用也比較熟習(xí)，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管有其共同的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱動(dòng)搖性好等，在我們的運(yùn)用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-21 16:48:50
件，二場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制器件。一、晶體三極管：用于電壓放大或者電路放大的控制器件。可以把基極和集電極的間的電壓Vbc放大到幾十到幾百倍以上，在發(fā)射集和集電極之間以Vce的方式輸出;還可以把基極電流
2019-03-27 11:36:30
``隨著便攜式電子產(chǎn)品浪潮的飛速發(fā)展，我們的生活便于電子產(chǎn)品如影隨形，你可能不知道，在生產(chǎn)電子產(chǎn)品的過(guò)程中，有一種電子元件，深受電子工程師的青睞，那就是場(chǎng)效應(yīng)晶體管，我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它
2019-03-26 11:53:04
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
，這一塊也是金航標(biāo)產(chǎn)品的研發(fā)方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導(dǎo)體研發(fā)的igbt、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、ldo電源管理芯片，也廣泛應(yīng)用于逆變器、電池管理等場(chǎng)合，和金航標(biāo)的信號(hào)連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
請(qǐng)問(wèn)單結(jié)晶體管BT33可以和場(chǎng)效應(yīng)管BT33互換嗎？
2023-03-22 11:09:11
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:42
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場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:22906 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管SL19N120A
2022-06-29 14:30:10
0 8.1.1夾斷電壓8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS
2022-02-16 09:43:48325 
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)（EV）而設(shè)計(jì)，符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:29168
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