墨盒，或無需拆卸即可輕松更換墨盒。X-Pander 3 提供以下功能：3 個可單獨選擇的擴展端口每個端口的電源指示燈能夠交換第 2 和第 3 端口上的 IO 選擇線易于訪問的鋼琴式配置開關頂部裝載或后
2022-06-27 06:01:28
`·隨著制造技術的發展和進步，系統設計人員必須跟上技術的發展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將
2011-08-17 14:18:59
請問AM335X WINCE BSP驅動中包含的CM3是什么外設，BSP附帶的文檔中都沒有介紹
WINCE700\platform\AM33X_BSP\SRC\DRIVERS\CM3
2018-05-15 07:10:30
。 CMD119P3放大器是昂貴的混合放大器的理想選擇。特征高增益寬帶性能低電流消耗符合RoHS要求的無鉛3x3 QFN封裝單電源電壓：+3.6 V @ 30 mA超低噪聲系數正偏壓應用通信相關產品
2020-03-03 15:30:31
。 CMD132P3放大器是昂貴的混合放大器的理想選擇。?特征高增益寬帶性能低電流消耗符合RoHS要求的無鉛3x3 QFN封裝單電源電壓：+3.6 V @ 30 mA超低噪聲系數正偏壓應用通信相關產品
2020-03-03 15:16:13
CMD157P3是寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。 CMD157P3非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 該寬帶設備可提供大于
2020-03-04 15:15:10
CMD158P3是寬帶RF /微波MMIC驅動器放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。?特征寬帶性能高輸出功率低電流消耗符合RoHS要求的無鉛3x3 QFN封裝單電源電壓：+5.0
2020-02-21 13:15:20
CMD167P3是寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面安裝封裝。 CMD167P3非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 該器件的工作頻率為8至16
2020-03-02 17:42:41
CMD185P3是寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面貼裝（SMT）封裝。 CMD185P3 LNA非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 寬帶設備
2020-02-20 17:35:55
CMD185P3是寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面安裝（SMT）封裝。 CMD185P3 LNA非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 寬帶設備
2020-03-05 15:59:10
的理想選擇。特征高增益寬帶性能高IP3低噪聲系數符合RoHS要求的無鉛3x3 QFN封裝單電源電壓：+5.0 V @ 78 mA正偏壓應用通信相關產品CMD304 CMD246 CMD233
2020-03-04 15:39:16
CMD189P3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面安裝（SMT）封裝。 CMD189P3非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 該器件的工作頻率
2020-03-02 17:34:42
CMD194C3是一款寬帶GaAs MMIC低噪聲放大器，采用3x3 mm無鉛塑料表面安裝（SMT）封裝。 CMD194C3非常適合小尺寸和低功耗是關鍵設計要求的電子戰和通信系統。 寬帶設備提供大于
2020-03-04 15:10:12
產品名稱：射頻開關特征高隔離度非反射設計符合RoHS要求的無鉛3x3 mm SMT封裝正增益斜率?產品詳情CMD195C3是寬帶RF /微波MMIC SPDT開關，采用無鉛3x3 mm表面貼裝
2020-02-19 15:03:19
產品詳情CMD196C3是通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPDT開關，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD196C3覆蓋DC至18 GHz，在8 GHz時具有1.5 dB
2020-02-19 15:05:40
CMD204C3是通用寬帶RF /微波高隔離非反射MMIC SPST開關，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD204C3覆蓋DC至20 GHz，在10 GHz時具有1.3 dB的低
2020-02-23 11:56:47
CMD231C3是寬帶GaAs MMIC驅動器放大器，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD231C3非常適合小尺寸和高線性度是關鍵設計要求的軍事，太空和通信系統。 在4 GHz時，該
2020-03-06 16:16:34
CMD232C3是寬帶GaAs MMIC驅動器放大器，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD232C3非常適合于小型，高線性度是關鍵設計要求的軍事，太空和通信系統。 在6 GHz頻率下
2020-02-23 11:32:28
CMD232C3是寬帶GaAs MMIC驅動器放大器，采用3x3 mm無鉛表面貼裝（SMT）封裝。 CMD232C3非常適合于小型，高線性度是關鍵設計要求的軍事，太空和通信系統。 在6 GHz頻率下
2020-02-23 11:32:44
CMD264P3是寬帶MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面安裝封裝。 CMD264P3非常適合需要小尺寸和低功耗的電子戰和通信系統。 該寬帶設備可提供大于25 dB的增益，相應的輸出1
2020-02-21 13:06:29
產品名稱：轉換開關特征低損耗寬帶性能高隔離度非反射設計符合RoHs要求的無鉛3x3 SMT封裝產品詳情CMD273P3是一種低損耗寬帶正控制MMIC DPDT轉換開關，采用無鉛3x3 mm表面貼裝
2020-02-19 15:23:18
CMD279C3是一款采用3x3 mm無鉛表面安裝封裝的正控制寬帶GaAs MMIC 5位數字衰減器。 衰減器的每個位都由0 V或+5 V的單個電壓控制。衰減器位的值為0.5（LSB），1、2、4
2020-02-23 11:09:48
CMD280C3是一款負控制，寬帶GaAs MMIC 5位數字衰減器，采用無鉛3x3 mm表面貼裝封裝。 衰減器的每個位都由0 V或-5 V的單個電壓控制。衰減器位的值為0.5（LSB），1、2、4
2020-02-23 10:47:54
`特征寬帶性能低插入損耗12 dB衰減范圍符合RoHs要求的無鉛3x3 QFN封裝Electrica產品詳情CMD282C3是一款負控制，寬帶GaAs MMIC 2位數字衰減器，采用無鉛3x3 mm
2020-02-18 11:57:28
CMD307P3是寬帶MMIC低噪聲放大器，采用無鉛3x3 mm塑料表面安裝封裝。產品名稱：低噪聲放大器特征低噪聲系數低電流消耗單正電源電壓無鉛RoHs兼容3x3 QFN封裝產品詳情CMD307P3是寬帶
2020-02-15 12:12:28
`Minebea稱重傳感器 PR6241/33C3Minebea稱重傳感器 PR6241/33C3供應德國Minebea（原賽多利斯Sartorius）稱重傳感器吳經理：132,4667,5433
2019-11-29 16:32:21
最近我正在使用PNA-X N5242A測試11-24GHz產品。我注意到PNAX本身顯示33-34dBm OIP3（沒有連接到任何DUT，只是連接端口1的源和線路2的分析器接收器的直通線）。我已經
2019-05-21 12:46:35
PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:37:59
PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:36:15
PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:28:12
MOSFET P-CH 100V 1.4A MLPAK33
2023-03-27 14:29:49
PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:35:52
PXP9R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
2023-03-27 14:33:54
在 S32K3 數據表上，圖 33 [SAR ADC 輸入電路]。您能否闡明濾波電容 (CF) 的選擇范圍。這個值有什么公式嗎？Ps：S32K312 MCU時鐘：120 MHz，ADC時鐘速度：80 MHz
2023-04-06 09:05:29
用于Si8751隔離式MOSFET驅動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅動各種應用中使用的功率開關的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
`一直在做圖像處理方面，現在一直糾結在 如何建立3X3像素模板的問題，看了韓彬的書，有點不能理解，他是有9個fifo緩存3行數據，然后乒乓操作 用另外9個fifo往復緩存，來實現3X3像素模板
2015-11-12 16:24:52
應用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機會能夠把所用的空間再減少一點，以及提高功率密度。實現這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
：東莞市塘廈鎮蓮湖怡景路8號連通性：802.11a/b/g/n/j/p/ac/af/ah、WLAN MIMO 2x2/3x3/4x4、藍牙、WiMAX、多衛星 GNSS、FM、Zigbee、Z-Wave
2020-06-11 17:12:24
嗨，眾所周知，Ultrascale不支持IO標準PCI33_3。如果從7系列遷移到Ultrascale，我們應該如何處理具有PCI33_3標準的IO。 Ultrascale中是否存在PCI33_3的等效項。謝謝，-Karthick
2020-04-15 08:51:06
今天，我要跟各位分享的是一組CSS3開關按鈕特效。該CSS3開關按鈕特效共33種效果，支持ie9以上的主流瀏覽器，非常實用。效果截圖如下：源碼下載地址：https://...
2021-10-29 09:19:25
有沒有大牛 來看一下這個題 求解f(x,y)=-x^3+y^3+3x^2+3y^2-9y 在區間x,y屬于-5 到5 上的極值
2017-03-08 13:31:58
求一個3x3矩陣鍵盤按鍵發音程序和仿真，蜂鳴器可以嗶嗶響就可以
2017-04-21 09:23:56
`海飛樂技術現貨替換IXFP72N30X3場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS:詳細信息技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-09 15:34:20
`海飛樂技術現貨替換IXFQ140N20X3場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS:詳細信息技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-13 09:55:37
描述W11576ASB2_AtTiny32Mini用于 8、14 和 20 針 SMD AtTiny 微控制器（如 402、404 和 3216）的 3X3 螺釘端子條適配器陣列。都有 3 針
2022-08-30 06:24:36
各位大神，請問SIM900芯片背面的3x3原點陣列 和另一個同心圓是什么意思呢？封裝
2019-03-26 05:25:25
f80000:e3a00453movr0, #1392508928; 0x5300000033f80004:e3a01000movr1, #0; 0x033f80008:e5801000strr1, [r0]33
2019-07-29 02:56:42
你好，我正在研究一個模擬/構建低壓三相逆變器的項目。我想編寫階梯波形的代碼，用VHDL觸發逆變器中的MOSFET。通過光隔離器觸發MOSFET，spartan 3板是否是一個很好的選擇？非常感謝
2019-06-28 10:10:17
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應用設計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
FDMC8026S（VBQF1310）是一款電源應用型MOSFET產品，采用N溝道結構，封裝為DFN8（3X3封裝）。其參數包括：工作電壓30V、最大電流40A、靜態導通電阻RDS(ON)為11m
2023-12-06 15:24:44
Ω @ 10V, 16mΩ @ 4.5V- 門源極電壓 (Vgs)：最大±20V- 閾值電壓 (Vth)：2.3V封裝：DFN8 (3X3)詳細參數說明：CSD1757
2023-12-20 10:47:53
型號：SI7617DN-VB絲印：VBQF2309品牌：VBsemi參數：- 封裝：DFN8(3X3)- 溝道類型：P—Channel溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-45A- 開態電阻
2024-01-02 11:58:32
(ON)): 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -2.23V- 封裝: DFN8(3X3)應用簡介:VBsemi的RU30L30M-VB
2024-02-03 10:33:22
**產品型號：** FDMC2514SDC-VB**絲印：** VBQF1303**品牌：** VBsemi**參數：**- 封裝：DFN8(3X3)- 溝道類型：2個N-Channel- 額定電壓
2024-02-19 11:20:05
**VBsemi CSD17308Q3-VB 產品詳細參數說明：**- **絲印標識：** VBQF1310- **品牌：** VBsemi- **封裝：** DFN8(3X3)- **通道類型
2024-02-19 15:17:40
**詳細參數說明：**- 型號：SIS412DN-T1-GE3-VB- 絲印：VBQF1320- 品牌：VBsemi- 封裝：DFN8(3X3)- 類型：2個N-Channel溝道- 額定電壓
2024-02-20 10:19:23
危害性物質限制指令的3x3 mm SMT封裝正增益斜率Qorvo的CMD195C3是一款寬帶RF/微波MMIC SPDT開關，采用無引線3x3 mm表面貼裝（SM
2024-02-29 21:05:14
CMD282C3關鍵性能寬帶性能低插入損耗12 dB衰減范圍無鉛RoHs兼容3x3 QFN封裝電氣Qorvo的CMD282C3是一款負控寬帶GaAs MMIC 2位數字衰減器，采用無引線3x3 mm
2024-03-01 10:34:42
針對應用選擇正確的MOSFET驅動器
目前，現有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰性的過程。
從功能上講，MOSFET
2010-01-22 11:37:37
1757 
MLPAK33 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平溝槽 MOSFET-PXN012-60QL
2023-02-16 19:55:09
0 60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V 12 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN012-60MS
2023-02-20 19:24:050 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.7 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7M6R7-40H
2023-02-20 20:13:070 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、11.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M11-40H
2023-02-20 20:15:430 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、9.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M9R5-40H
2023-02-20 20:16:020 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.0 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M6R0-40H
2023-02-20 20:17:020 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7M3R3-40H
2023-02-20 20:17:170 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M19-60E
2023-02-21 19:44:130 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、10 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M10-30E
2023-02-21 19:44:270 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、85 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M85-60E
2023-02-21 19:46:430 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M7R2-40E
2023-02-21 19:46:580 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、52 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M52-40E
2023-02-21 19:48:090 LFPAK33 中的 N 溝道 80 V、35 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M35-80E
2023-02-21 19:48:270 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、17 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M17-30E
2023-02-21 19:49:100 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、14 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M14-40E
2023-02-21 19:50:030 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、11 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M11-40E
2023-02-21 19:50:480 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、6.3 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M6R3-40E
2023-02-21 19:51:200 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、42 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M42-60E
2023-02-21 19:52:020 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、33 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M33-60E
2023-02-21 19:52:180 LFPAK33 中的 N 溝道 80 V、22 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M22-80E
2023-02-21 19:52:430 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、19 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M19-60E
2023-02-21 19:53:140 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、15 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M15-60E
2023-02-21 19:53:280 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、10 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M10-40E
2023-02-21 19:53:380 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、43 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9M43-100E
2023-02-22 18:42:040 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、12 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V 11.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60ML
2023-02-23 18:40:490 20 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB33XP
2023-03-02 22:21:270 30 V 單 N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB33XN
2023-03-02 22:21:440 20 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMV33UPE
2023-03-02 22:53:180 電子發燒友網站提供《屏蔽鍵盤3X3開源設計.zip》資料免費下載
2023-06-09 15:15:430 金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機制，并提供關于使用和選擇恰當MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16487 
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