AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是種光纖寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓下，在8到11GHz頻率段上的輸出功率>
2024-02-27 09:25:49
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
AMCOM的AM09012541WM-B-XX是款寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓和5%脈沖運作下，在8至11GHz頻段中具備42dBm的輸出功率。由于
2024-03-04 09:49:08
QPA4563C增益單元放大器產品介紹QPA4563C報價QPA4563C代理QPA4563C咨詢熱線QPA4563C現貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司QPA4563C是一種高性能的SiGe
2018-07-20 09:45:43
產品。最小的RF/微波放大器是單片微波集成電路(MMIC)器件。這類器件經常被用作增益模塊，來補償系統和電路中無源信號的損失。提供MMIC放大器芯片和帶封裝的MMIC放大器模塊的公司很多，包括安捷倫
2019-07-08 07:50:49
功率放大器基本電路特點是什么？如何去改進功率放大器的基本電路？如何去完善功率放大器實用電路？
2021-06-08 06:37:08
有時需要在有較大共模信號的情況下測量小信號。在這類應用中，通常使用兩個或三個運算放大器的集成儀表放大器。盡管儀表放大器具有出色的共模抑制比(CMRR)，但價格因素,性能指標阻礙了其在此類應用中
2019-07-24 06:36:28
根據電壓控制增益電路理論及放大器設計原理，設計制作了一種基于GaAs工藝的可變增益功率放大器單片微波集成電路（ MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
參數和環境條件的監控以及系統故障保護。這些高功率系統產生大量熱量，這會對放大器性能和平均故障間隔時間（MTBF）產生影響。這些系統所需的RF放大器MMIC很昂貴;]今天的半導體RF放大器的復雜性
2018-12-20 18:24:06
運算放大器有反相放大器和正向放大器，性能有什么差別，有什么不同的應用？
2019-03-26 07:55:24
反饋的基本概念反饋的分類負反饋放大器的框圖及一般表達式負反饋對放大器性能的影響負反饋放大器的四種組態深度負反饋對放大電路的近似計算負反饋放大器自激振蕩及消除方法
2021-02-24 06:56:35
本文首先闡述了輸入失調電壓對運算放大器性能的影響，以及零漂移、斬波穩定運算放大器與通用運算放大器在性能上的差異。
2021-06-17 10:12:33
運算放大器常見指標及特點
2021-03-16 11:45:39
凌力爾特推出運用SiGe 工藝的運算放大器系列
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，該系列器件運用一種節省功率的 SiGe
2009-11-13 09:16:39
775 軌至軌運算放大器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出運算放大器系列 LTC6246、LTC6247 和 LTC6248，該系列器件運用一種節省功率的 SiGe 工藝，實現了 180MHz 增益帶
2009-11-13 09:37:141180 儀表放大器的特點和電路設計原理
儀表放大器的特點
高共模抑制比
共模
2010-03-10 16:54:403122 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:19:00
1 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網絡的達林頓結構。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設計成直接從5V電源
2018-09-13 11:19:007 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:007 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-13 11:19:004 SGA4286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA5589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物
2018-09-12 11:25:004 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:007 SGA2486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-12 11:25:009 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物
2018-09-11 11:25:001 SGA3263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:003 SGA3363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 該SGA3463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:001 SGA4263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:002 SGA3586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-11 11:25:005 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-10 11:25:007 RFDD的SGB-223是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGB-2233被設計成直接從3V到5V電源運行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結構，具有專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:002 RFMD的SGC4363Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:0010 RFMD的SGC4463Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4463Z被設計成直接從3V電源運行
2018-09-10 11:25:005 RFMD的SGC4263Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。與典型的達林頓放大器相比，SGC4263Z
2018-09-07 11:25:003 RFMD的SGC4563Z是一個高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置和專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC4563Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-07 11:25:002 RFMD的SGC-6289Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用具有有源偏置網絡的達林頓結構。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6289Z被設計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:002 RFDD的SGC4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。設計用于直接從3V電源，SGC448 6Z
2018-09-07 11:25:003 RFDD的SGC-6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從5V電源運行，與傳統的達林頓
2018-09-07 11:25:0012 RFMD的SGC6389Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結構，具有專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC-6389Z被設計成直接從5V電源
2018-09-07 11:25:009 SGA6286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 SGA6389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:001 SGA6486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:009 SGA6386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:000 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:002 該SGA6586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:006 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-07 11:25:005 RFMD的SGC2363Z是一種高性能SiGe HBT MMIC放大器，采用達林頓結構，具有專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。SGC2363Z設計成直接從3V電源運行
2018-09-07 11:25:001 SGA6489Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:005 SGA6289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-06 11:25:004 SGA0363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-07-25 11:25:511 SGA0163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。只有兩個直流阻斷電容器，一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈所需的操作。
2018-09-05 11:25:001 SGA2263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2163Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:001 SGA2286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA2363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA2186Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:002 SGA4363Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:007 SGA2386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:009 SGA4486Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:000 該SGA4463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0012 SGA4386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 該SGA4586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:0011 SGA5286Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 SGA5289Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:006 該SGA4563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:005 SGA5389Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-05 11:25:004 SGA5386Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-25 11:25:553 SGA586Z是一種高性能的SiGe (異質結雙極晶體管)HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-04 11:25:007 SGA5586Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0012 SGA589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-09-03 11:25:0010 QPA4463A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-29 11:26:002 RFMD的CGA-3318Z是一種高性能硅鍺HBT MMIC放大器。設計具有優異的線性度的SiGe工藝技術在一個特殊的價格。達林頓配置用于寬帶性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電
2018-08-27 11:26:001 QPA4263A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:0011 QPA4363A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:001 QPA789A是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。達林頓配置提供高FT和出色的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個DC阻塞電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-08-20 11:27:003 RFMD的SGB-2233是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從3VTO 5V電源運行，SGB-223不需要典型的達林頓放大器的降壓電阻器。
2018-07-27 11:30:0012 SGA5263Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:007 RFDD的SGC2463Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器，利用達林頓配置與專利有源偏置網絡。有源偏置網絡提供穩定的電流超過溫度和處理β變化。設計成直接從3V電源運行，與典型的達林頓
2018-07-26 11:30:004 SGA789Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0012 SGA6589Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:008 SGA3563Z是一種高性能的SiGe HBT MMIC放大器。具有一微米發射器的達林頓配置提供了高的FT和優異的熱性能。異質結增加擊穿電壓并最小化結之間的漏電流。發射極結非線性的消除導致互調產物的更高抑制。僅需要兩個直流阻斷電容器、一個偏置電阻和一個可選的射頻扼流圈。
2018-07-26 11:30:0011 關鍵詞： RF MMIC , 高功率放大器 , 射頻模塊 , ASB 世強與領先的MMIC電路和射頻模塊的設計和生產商——ASB簽約，進一步擴充RF MMIC、高功率放大器、射頻模塊等產品線，為通信
2019-02-27 09:08:01405 Custom MMIC功率放大器適用于C，X，K，Ku和Ka頻率段設計的GaN和GaAs rf射頻功率放大器MMIC。 通常情況下，Custom MMIC最先進性的RF/微波射頻系統設計和子組件
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2023-09-04 16:52:145947
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