在應(yīng)用中已經(jīng)測(cè)試了調(diào)整方法，反饋網(wǎng)絡(luò)如下所示：

　　RfbU1≈RfbU2=470kΩ

　　RfbL=6.2kΩ

　　電阻RfbU1兩端放置了一個(gè)100nF電容。它必須是一種高壓電容，因?yàn)槿粑覀兗俣ㄝ敵鲭妷鹤畲笾禐?50V，它兩端的電壓可能達(dá)到223V。作為一項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)法則(rule of the thumb)，我們選擇了100nF電容值，這樣，在觀測(cè)到過(guò)沖時(shí)，時(shí)間常數(shù)(RfbU1Cfb)就處在啟動(dòng)時(shí)間的范圍之內(nèi)。

　　圖11比較沒(méi)有時(shí)的啟動(dòng)序列(左圖)與有Cfb時(shí)的啟動(dòng)相位(右圖)。這些波特圖清楚顯示電容的影響。Cfb充電電流人為地增加了輸出電壓(即圖中的Vbulk)充電期間的反饋電流，導(dǎo)致預(yù)期的控制信號(hào)(Vcontrol)放電。因此就沒(méi)有觀測(cè)到輸出電壓過(guò)沖。我們可進(jìn)一步指明，啟動(dòng)時(shí)間未受明顯影響。

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　　圖11 有Cfb(左圖)及沒(méi)有Cfb(右圖)時(shí)的啟動(dòng)特性

　　圖12顯示了沒(méi)有Cfb時(shí)(左圖)及有Cfb時(shí)(右圖)PFC段對(duì)突兀的負(fù)載改變(120W階躍)的響應(yīng)。我們的案例中(RfbU1=RfbU2)，Cfb產(chǎn)生并不會(huì)相互抵消的額外極點(diǎn)及額外零點(diǎn)，且輕微改變環(huán)路特性。然而，最重要的是，采用Cfb還是改善了響應(yīng)，因?yàn)檩^大的輸出偏差(Output deviation)使這些負(fù)載階躍類似于啟動(dòng)瞬態(tài)。因此，Cfb在這里同樣幫助控制電路出現(xiàn)預(yù)料中的所期望的電平恢復(fù)。

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　　12 沒(méi)有Cfb時(shí)(左圖)及有Cfb時(shí)(右圖)PFC段對(duì)負(fù)載階躍變化的響應(yīng)

　　結(jié)論

　　本文討論了如何解決PFC段經(jīng)常會(huì)面對(duì)的兩個(gè)問(wèn)題。首先，在CrM應(yīng)用中，零電流檢測(cè)在高輸入線路時(shí)精度不高，而當(dāng)輸入線路電壓非常接近輸出電壓時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)某些不需要的連續(xù)導(dǎo)電模式周期，導(dǎo)致一些功率因數(shù)退化，及可能出現(xiàn)一些人耳可聽(tīng)到的噪聲。能夠使用一顆簡(jiǎn)單的電阻來(lái)改善這功能。其次，在啟動(dòng)序列期間，PFC段也可能呈現(xiàn)出過(guò)大的過(guò)沖。可以在反饋感測(cè)網(wǎng)絡(luò)中放置一顆電容來(lái)限制或抑制這過(guò)應(yīng)力。即便是在電源設(shè)計(jì)的極晚階段，這兩種調(diào)整方法都易于實(shí)施。