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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”
近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標簽:IGBT場效應(yīng)晶體管功率器件 617 0
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫的統(tǒng)計,2020年全球工程機械市場規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計2030年市場規(guī)模將達到 2346 億美元...
理想汽車致力于為家庭用戶提供超預(yù)期的豪華電動車。本次與 ST 的 SiC 供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車開發(fā)純電動車產(chǎn)品的堅定決策。
一種面向5G/Wi-Fi 6異質(zhì)集成雙模SAW射頻濾波器技術(shù)方案
近日,第69屆國際電子器件大會(IEDM 2023)在美國舊金山召開。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所(簡稱:上海微系統(tǒng)所)歐欣研究員課題組以口頭報...
?Wolfspeed榮獲2023第二屆電源行業(yè)配套品牌大獎
由世紀電源網(wǎng)主辦的 2023 第二屆電源行業(yè)配套品牌頒獎典禮于 12 月 23 日在深圳圓滿落幕。
目前瞻芯電子已發(fā)布量產(chǎn)過百款碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺涵蓋650V-1700V...
碳化硅快速測試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會,帶您詳細了解這個高效的平臺
以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前晶體生產(chǎn)技...
瑤芯微榮獲“國際先進”好評的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品
瑤芯微此次參評的專注于“車規(guī)級低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點,經(jīng)過嚴謹評鑒,評委...
普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長
當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開關(guān)速度,降低了能量損耗,使得整車的重量得到減少,續(xù)航里程得到提升。
碳化硅(SiC)廠商瞻芯電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認證
近日,浙江瞻芯電子科技有限公司(簡稱“浙江瞻芯“)通過了環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認證,分別獲得ISO 14001與ISO 45001證書。浙江瞻芯作為...
2023-12-25 標簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1234 0
意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議助力800V平臺
12 月 22 日消息,據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。
2023-12-24 標簽:MOSFET電動車意法半導(dǎo)體 978 0
增強GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標不僅與控制系統(tǒng)的性能指標及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標密切相關(guān)。
2023-12-24 標簽:控制系統(tǒng)IGBTSiC 1821 0
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