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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發展。推動此項市場發展的力量包括下列趨勢:節能、縮減體積、系統整...
IGBT、SiC國產化率加速攀升 碳化硅行業迎來快速發展機遇期
分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺積電、聯電、世界先進、力積 電和中芯國際的產能利用率預計分別下降到 97%/90%...
影響第三代半導體SiC MOS閾值電壓不穩定的因素有哪些?如何應對?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性,在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移,導致其電性能測...
摘要:通過對感應耦合等離子體(ICP)設備裝片夾具進行改進,提高了背氦的導熱效率,減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差,提高了冷卻效果。對裝片夾具改進...
前段時間,奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron(,最近,奧迪又有1款碳化硅車型公布,同時Lucid也發布了最新的900V碳化硅車型。
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發出了適用于光伏發電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙...
港科大陳敬教授團隊成功研制一種融合GaN和SiC二者優點的實驗晶體管
在硅占據主導地位數十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如,碳化硅現在是電動汽車逆變器和充電器的首選半導體。如...
摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協同...
近期,業內傳來振奮人心的消息,預計未來兩年內,中國碳化硅(SiC)芯片市場將迎來價格的大幅下調,降幅有望達到驚人的30%。這一預測背后,是中國SiC產業...
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,具有更高頻、...
雖然SiC 可以通過人工制成,但加工過程卻極其困難,因此sic功率元器件如何量產一直是業界的難題。羅姆在這方面已經擁有近30年經驗,2012年3月就開始...
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二...
SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。 近年來,全球半導體...
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6....
2022-01-24 標簽:SiC 2050 0
在為功率轉換選擇高功率開關器件時,過去只有兩個選擇,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的應用如AC-DC轉換器,逆變器,DC-DC轉換器等,都達到了...
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