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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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25個半導(dǎo)體項目達(dá)成簽約、開工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展
? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測項目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項目、...
基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件
氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強遠(yuǎn)高于GaN,不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作,大幅度提升輸出功率密度,還可以實現(xiàn)在高...
氮化鎵作為一種寬帶隙復(fù)合半導(dǎo)體材料,具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高,以及抗輻射能力強等優(yōu)勢。其中,開關(guān)頻率高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸...
2022-08-24 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 2337 0
據(jù)天岳先進(jìn)披露,2023年前三季度營業(yè)收入8.25億元,較去年同期2.69億元,同比增長206.06%,公司1-9月營收已經(jīng)遠(yuǎn)超去年全年;2023年第三...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬取1疚奶峁┝嗽?3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元
受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.7...
ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200...
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證
三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證 行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級汽車電子大廠供應(yīng)鏈,必須取得對應(yīng)的認(rèn)證,...
Power Integration推出高度靈活的門極驅(qū)動器系統(tǒng),適合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC雙功率模塊
可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個模塊并聯(lián);出廠涂覆三防漆可極大增強可靠性。
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2302 0
斯達(dá)半導(dǎo)擬定增不超35億元,加碼碳化硅功率芯片
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“斯達(dá)半導(dǎo)”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項目。
國內(nèi)的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉(zhuǎn)化項目,技術(shù)團(tuán)隊包括來自西安電子科技大學(xué)、中國工程物理研究院、山東大學(xué)、西北工...
作者能夠使用如此多的研究工具,直接得益于意法半導(dǎo)體和CNR-IMM之間的牢固和深入的合作。因此,除了科學(xué)成就,IRPS2021年度最佳論文獎也是對這一人...
2022-04-12 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiCMOSFET器件 2283 0
碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機遇
目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過金屬鍵合線引出正面電極...
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