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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。 碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...
我國GaN產品逐步從小批量研發、向規模化、商業化生產發展。GaN單晶襯底實現2-3英寸小批量產業化,4英寸已經實現樣品生產。GaN異質外延襯底已經實現6...
前言 近年來,電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實現更小、更快、更高...
瞻芯電子推出第二代650V車規級TO263-7封裝助力高效高密應用
近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證,該產品采用...
11月30日,捷捷微電發布投資者關系活動記錄表稱,晶閘管是2019年占公司總營收49%的產品,由于公司產品結構的調整,今年預計占營收的比重在40%左右,...
頗有前景的半導體替代材料:SiC和GaN適用范圍及優缺點介紹
自1954年以來,硅一直是先進技術發展的重要基石。人們普遍認為,硅作為電子元件基礎結構核心材料的地位不可動搖。
碳化硅長絲的制造過程是將聚硅烷在400℃以上,發生熱轉位反應,使側鏈上的甲基以亞甲基的形式,導入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過干法紡絲或熔體紡絲...
近年來,功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點”。比亞迪功率器件產品總監楊欽耀告訴《中國電子報》記者,功率器件是電力電子的“CPU”,是特高壓電網、高速列車、...
全球半導體行業的領軍企業意法半導體(簡稱ST)近日宣布,將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地,專注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的...
由于材料限制,傳統硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限,如電壓阻斷能力、正向導通壓降、器件開關速度等,尤其在高頻和高功率領域更顯示出其局限性。
近幾年,在電力電子領域,以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導體很熱。各大科技媒體爭相報道它們有這樣那樣的好處,例如SiC耐高電壓和高溫;GaN的開關頻率很...
今日寬禁帶半導體聯盟秘書長陸敏博士發表了主題為“SiC和GaN功率電子技術及產業發展趨勢”的演講。
美國北卡羅萊納州達勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產業轉型。為了滿足日益增長的對...
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:開始交付首批產品
2月18日,英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術...
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