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      標簽　>　nand

      nand

      nand

      +關(guān)注16人關(guān)注

      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1542個 瀏覽：138172次 帖子：345個

      nand資訊

      英特爾被視為NAND閃存解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者

      Lee說，價格擔憂似乎主要來自英特爾在大連的工廠，但總體而言這筆交易是“合理的估值”。由于工廠過時的設(shè)施，中國勞動力成本的上漲以及中美之間持續(xù)的貿(mào)易摩擦...

      2020-10-26 標簽：芯片NAND晶圓 1698 0

      明年首季NAND Flash供過于求態(tài)勢將更加明顯

      根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處指出，2021年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterp...

      2020-12-15 標簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1698 0

      SD NAND在STM32應(yīng)用上的保姆級教程

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      SDNAND與正點原子精英板的連接由于正點原子精英板沒有SDNAND接口，只有TF卡接口，所以SDNAND需要用到轉(zhuǎn)接板來連接。SDNAND正常運行現(xiàn)象...

      2023-10-27 標簽：NANDSTM32SD 1696 0

      美光工業(yè)級存儲卡microSD：采用64層3D TLC NAND技術(shù)，專業(yè)視頻監(jiān)控場景設(shè)計

      美光推出128GB和256GB的工業(yè)級存儲卡microSD，并與多家視頻監(jiān)控解決方案提供商合作推廣監(jiān)控級邊緣存儲。

      2018-07-20 標簽：NAND存儲美光 1695 0

      長江存儲128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

      作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND...

      2020-04-13 標簽：NANDSSD長江存儲 1688 0

      戈埃爾科技：手機外殼點膠加工注意的事項

      手機外殼點膠加工是在用戶對消費電子產(chǎn)品的要求越來越高的情況下，產(chǎn)生并發(fā)展起來的。尤其是體現(xiàn)在智能手機行業(yè)的發(fā)展上面。封裝設(shè)備在手機外殼點膠加工方面所起到...

      2020-05-22 標簽：NANDFIP 1683 0

      「復(fù)享光學」3D NAND多層薄膜量測的新思路

      據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士...

      2022-12-05 標簽：半導(dǎo)體NAND3D 1683 0

      為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

      SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建...

      2018-12-03 標簽：NANDSK海力士 1683 0

      系統(tǒng)性良率問題取代隨機缺陷成為先進工藝芯片制造主要問題

      最近最重要的變化之一是 3D 檢測和計量學習的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發(fā)生在前端，而高級封裝則需要在后端進行 3D 計量。

      2022-12-13 標簽：芯片NAND晶體管 1682 0

      NAND Flash的驅(qū)動程序設(shè)計方案

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      NAND Flash的驅(qū)動程序設(shè)計方案 以三星公司K9F2808UOB為例，設(shè)計了NAND Flash與S3C2410的接口電路,介紹了NAND Fl...

      2009-03-29 標簽：NAND程序設(shè)計 1680 0

      隨著智能手機用戶基礎(chǔ)持續(xù)擴大，3D NAND已經(jīng)解決不了手機內(nèi)存不足問題

      隨著智能手機用戶基礎(chǔ)持續(xù)擴大，3D NAND已經(jīng)解決不了手機內(nèi)存不足問題

      3D NAND克服了與2D平面NAND微縮有關(guān)的挑戰(zhàn)，在嵌入于智能手機等移動設(shè)備時，能夠大幅改善內(nèi)存級儲存，并因應(yīng)在儲存容量方面的巨大成長潛力，加速智...

      2018-07-14 標簽：NAND3D 1673 0

      三星西安工廠將引進236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

      　三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣...

      2023-10-16 標簽：半導(dǎo)體閃存NAND 1673 0

      東芯半導(dǎo)體陳磊：存儲市場回暖，國產(chǎn)替代需求旺盛

      東芯半導(dǎo)體陳磊：存儲市場回暖，國產(chǎn)替代需求旺盛

      歲末年初之際，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃的《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。此次，電子發(fā)燒友特別采訪了東芯半導(dǎo)體股...

      2023-12-27 標簽：NAND存儲東芯半導(dǎo)體 1666 0

      全球NAND閃存市場受日韓貿(mào)易戰(zhàn)影響 漲價15%

      目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平，但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn)，日本制裁對韓國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)影響會...

      2019-07-09 標簽：東芝NANDSSD硬盤 1665 0

      淺談受存儲芯片價格暴跌影響的主要幾個方面

      存儲芯片因供需失衡，今年以來價格延續(xù)下跌趨勢且久未見底。而近日三星、海力士發(fā)布的財報顯示，存儲芯片業(yè)務(wù)大幅下滑，使得不同調(diào)研機構(gòu)對行業(yè)給予悲觀預(yù)期。

      2023-02-08 標簽：DRAMNAND存儲器 1650 0

      東芝宣布在存儲龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲

      東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界，宣布搶在存儲龍頭三星電子之前，研發(fā)出96層3DNANDflash存儲。韓國方面質(zhì)...

      2018-11-05 標簽：東芝NAND存儲 1648 0

      致態(tài)TiPro7000 SSD的實際性能怎么樣

      隨著6月份額度見底，學生們熱情洋溢的暑假生活即將到來，為了迎接游戲王們的光臨，各大廠商都開啟了不同程度的夏促活動，從6月18日開始到7月8日，Steam...

      2022-06-21 標簽：NAND游戲SSD 1644 0

      Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

      Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

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      2010-04-12 標簽：NandFlash 1638 0

      長江存儲64層閃存已量產(chǎn) 預(yù)計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

      長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。

      2020-01-16 標簽：閃存NAND存儲 1632 0

      車規(guī)級NAND主要廠商梳理

      車規(guī)級NAND主要廠商梳理

      1.三星市場份額：33.5%主要產(chǎn)品：eMMC5.1/5.0、UFS4.0/3.1、SSD主要進展：UFS3.1覆蓋128-512GB，均已量產(chǎn)出貨5月...

      2022-12-07 標簽：NAND 1622 0

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        云儲存
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        云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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        富士通
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        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        +關(guān)注
        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
      • 江波龍
        江波龍
        +關(guān)注
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        非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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        　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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        +關(guān)注
      • nosql
        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 安博會
        安博會
        +關(guān)注
      • 云盤
        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
      • FORESEE
        FORESEE
        +關(guān)注
        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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        USB 3.0接口
        +關(guān)注
      • 長鑫存儲
        長鑫存儲
        +關(guān)注
        2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
      • Ceph
        Ceph
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      放大器 運算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
      時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
      視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
      電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
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