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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT和MOSFET該用誰(shuí)?你選對(duì)了嗎?
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片U6206DC帶來(lái)更強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力
電機(jī)自問(wèn)世以來(lái)不斷在造福人類(lèi),電機(jī)技術(shù)也不斷與時(shí)俱進(jìn)。未來(lái)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器在智能制造和創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展方向主要在高集成度、高可靠性、低碳化幾個(gè)方面。
2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片 930 0
數(shù)明半導(dǎo)體新推雙通道30V, 5A/5A的高速低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列,支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電,滿(mǎn)足更高...
2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET通信電源車(chē)載充電機(jī) 863 0
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電路 2234 0
下面介紹了如何在48V MHEV中使用標(biāo)準(zhǔn)硅降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET電路。這個(gè)48V的電池系統(tǒng)能夠承受高輸入電壓的負(fù)載突降瞬變,同時(shí)以低電磁干擾 (EMI...
2023-05-16 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETemi 867 0
說(shuō)說(shuō)MOSFET中的米勒效應(yīng)
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái),并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3002 0
功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告:能源變革大時(shí)代,功率器件大市場(chǎng)
MOSFET,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單和輻射強(qiáng)等優(yōu) 點(diǎn),通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。MOSFET 按照不同的工藝可分為平面型 ...
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 2943 0
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲...
每個(gè)MOSFET的datasheet都有一個(gè)極限值(有時(shí)也叫最大定格)表格,如果元件工作在極限值以外,將會(huì)導(dǎo)致元件立即損壞或是壽命降低。在下圖中可以明顯...
米勒效應(yīng)(Miller effect)是在電子學(xué)中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...
2023-05-15 標(biāo)簽:放大器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 9935 0
數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說(shuō)明書(shū),在電路設(shè)計(jì)之前,十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè),并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總功率損耗P...
基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線(xiàn)一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線(xiàn)工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線(xiàn)陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
高級(jí)負(fù)載診斷功能助力縮短24 VDC配電的工廠(chǎng)停機(jī)時(shí)間
在工業(yè) 4.0 時(shí)代,診斷數(shù)據(jù)量逐年遞增,使系統(tǒng)變得更智能,能夠保持更長(zhǎng)的在線(xiàn)時(shí)間,并最終提高生產(chǎn)力。在可編程邏輯控制器 (PLC) 系統(tǒng)、機(jī)器人和機(jī)床...
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說(shuō)實(shí)話(huà),這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對(duì)三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說(shuō)到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1554 0
這款 100W 基本 MOSFET 放大器電路可在 8 歐姆揚(yáng)聲器負(fù)載下產(chǎn)生 100 瓦均方根功率,在 4 歐姆負(fù)載下可產(chǎn)生 160 瓦有效值功率。在1...
深度剖析MOSFET的構(gòu)造/工作原理/驅(qū)動(dòng)電路
要了解功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)電路,首先了解一下MOSFET的構(gòu)造和工作原理是很有用的。功率MOSFET與其他MOSFET一樣,基本上是一種電壓控制器件...
2023-05-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 5100 0
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