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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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安森美公司近日發布了全新EliteSiC功率集成模塊,這款創新產品為電動汽車直流超快速充電樁賦予了雙向充電的先進功能。相較于傳統的硅基IGBT解決方案,...
英飛凌推出面向高能效電源應用的分立式650V TRENCHSTOP? IGBT7 H7新品
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品,進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管,以滿足...
近日,北京交通大學電氣工程學院的“電力電子方向專業綜合設計與實踐”本科大四學生在楊曉峰教授的帶領下,走進了泰克先進半導體開放實驗室,開啟了一場科技探秘之...
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ROHM開發出兼具出色的降噪和低損耗特性的600V耐壓IGBT IPM“BM6437x系列”
ROHM新開發出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現了業內超高特性的IGBT IPM系列產品。
日前,電子研習社攜手南京芯干線科技和眾多中國原廠企業代表,在深圳深鐵皇冠假日酒店隆重召開“第五屆國產半導體應用技術大會”,強勢助力中國芯!四大會場同時舉...
新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4
新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A,190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技...
什么是DC電源老化測試?通常是指開關電源長期超負荷運行。老化測試,也稱為烤機或老化機,通常可以持續24或48小時,也可以持續1或0小時,進行嚴格的實...
近日,由揚州市集成電路產業鏈、揚州揚杰電子科技股份有限公司聯合舉辦的“揚帆起航 共贏未來”SiC、IGBT功率產品合作交流會在揚州隆重舉行。
Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊
近日,全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊,這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括...
設計工程師們現在可以用一款導熱材料滿足各種散熱需求。Tgel 600 是一款可用于多種應用場景的可點膠導熱材料:從小間隙的恒壓應用到大間隙的恒厚應用。T...
我們用的 IGBT,在核心元件表面,還有一層“果凍”,這個果凍起什么作用?我估計有以下可能目的: 1,散熱 2,絕緣 3,保護核心元件工作時不氧化? 4...
2022-12-08 標簽:IGBT 849 0
SEMiX13六管封裝IGBT模塊 電流達到200A,采用經過驗證的無焊壓接技術用于PCB裝配和電纜連接 電流達到200A,采用經過驗證的無焊壓接技...
清華大學李兆麟:車規級MCU以及IGBT依然是汽車芯片短缺的主角
縱觀整個國際市場,歐美日企業長期占據汽車使能芯片(按照李兆麟的劃分,汽車使能芯片主要包括計算、控制、存儲等控制芯片)的技術制高點。經過近幾年的發展,我國...
智能時代的能源轉換:IGBT與MOSFET在智慧生活中的應用
在電力電子領域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)是兩種關鍵的功率半導體器件。它們的獨特特性使它們在高效能和...
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