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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt資訊

飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL在UPS中的應(yīng)用

在電路設(shè)計(jì)中的產(chǎn)品選型,必須要考慮如何在價(jià)格合理的范圍內(nèi)選擇性價(jià)比高的產(chǎn)品,但又能讓產(chǎn)品的性能做到極致。比如中等功率的UPS在選擇代換NCE75ED65...

2025-07-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體UPSIGBT 941 0

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)觀察之IGBT

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2012-02-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 939 0

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充高性能溝槽型場截止IGBT陣容

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充NGBTxx系列1,20...

2012-10-24 標(biāo)簽:太陽能安森美IGBT 938 0

DP8000系列雙脈沖信號發(fā)生器介紹

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在IGBT雙脈沖測試中需要用到兩個脈寬和間隔可調(diào)的脈沖信號,通常可以使用控制板編寫程序來實(shí)現(xiàn),但這種方式不太靈活,更換不同控制板平臺需要重新編寫程序,而...

2024-05-09 標(biāo)簽:IGBT信號發(fā)生器 938 0

貝茵凱車規(guī)級產(chǎn)品亮相,助力汽車行業(yè)新潮

貝茵凱本次展出的是第七代750V275A車規(guī)級硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7,額定電壓達(dá)750V,額定電流275A,適用于生產(chǎn)550A-9...

2024-04-29 標(biāo)簽:芯片IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 933 0

飛兆半導(dǎo)體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎

飛兆半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼: FCS)——全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商已榮膺《今日電子(EPC)》主辦的第11屆年度十佳DC-DC...

2013-09-18 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體IGBT 933 0

陸芯Gen2 IGBT產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證

盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期,總體市場氛圍需求不振,但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱,英飛凌、意法半導(dǎo)體國外大廠IGBT交期均在50...

2023-06-19 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT陸芯科技 931 0

安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺,應(yīng)用工業(yè)市場

安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺,應(yīng)用工業(yè)市場

以下文章來源于安森美,作者安森美領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵...

2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管 929 0

車規(guī)功率器件量價(jià)齊升市場規(guī)模已超過1000億元

按技術(shù)特點(diǎn)與功能的不同,功率半導(dǎo)體器件可以分為二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。其中,晶體管包含BJT、MOSFET、IGBT等熱門品線,總體占比超過70%...

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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動...

2023-12-14 標(biāo)簽:驅(qū)動器IGBTSiC 925 0

飛虹半導(dǎo)體FHA75T65A IGBT單管在儲能逆變器中的應(yīng)用

光儲能的發(fā)展勢頭仍在高速增長,就在2024年的6月25日上午,長三角G60科創(chuàng)走廊·正泰電源松江區(qū)光儲智能制造基地項(xiàng)目舉行了隆重的開工儀式。

2024-09-04 標(biāo)簽:二極管IGBT儲能逆變器 925 0

英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強(qiáng)1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合,靈活滿足更高的功率密度和性能

除了太陽能和驅(qū)動應(yīng)用外,該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車輛(CAV)以及不間斷電源(UPS)逆變器量身定制。

2021-09-07 標(biāo)簽:英飛凌IGBT 924 0

芯未半導(dǎo)體功率項(xiàng)目一期通線投產(chǎn)

芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開工。當(dāng)時芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣,分兩個階段建設(shè),竣工投產(chǎn)后,將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等...

2023-10-16 標(biāo)簽:芯片模塊半導(dǎo)體 921 0

第二季度半導(dǎo)體庫存降底 車規(guī)MCU和IGBT交貨時間延長

報(bào)告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導(dǎo)體供應(yīng)商的生產(chǎn)節(jié)流,預(yù)計(jì)該指數(shù)將大幅下行。不過,該指數(shù)將在整個2023年保持在盈余區(qū)域(庫存量...

2023-06-12 標(biāo)簽:ledIGBT模擬芯片 918 0

最新IGBT7系列分立器件常見問題

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英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減,本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題,一看就懂,牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測...

2024-03-05 標(biāo)簽:測試IGBT分立器件 917 0

Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay R...

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大功率牽引和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用需要高魯棒性,高可靠性和使用壽命長的功率器件。采用IGBT5和.XT技術(shù)的XHP? 2模塊可以滿足這些要求。I

2024-05-10 標(biāo)簽:IGBT功率器件輸出電流 917 0

IGBT7系列分立器件核心知識點(diǎn)最全整理!

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英飛凌IGBT7單管系列,作為目前炙手可熱的光儲應(yīng)用新星產(chǎn)品,正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識大全,希望大家買得放心...

2024-02-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT分立器件 914 0

在研研討會 | @5/18 IGBT7 在工業(yè)及新能源的解決方案

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針對光伏+ 儲能(發(fā)電)以及電機(jī)驅(qū)動(用電)兩個維度展開,給大家重點(diǎn)介紹英飛凌新一代IGBT7產(chǎn)品特點(diǎn)以及如何利用新的IGBT7產(chǎn)品設(shè)計(jì)出高效率,高可靠...

2023-04-19 標(biāo)簽:新能源IGBT微逆變器系統(tǒng) 913 0

翠展微電子全面加強(qiáng)體系建設(shè) 筑牢高質(zhì)量發(fā)展基石

? 翠展微電子 全面加強(qiáng)體系建設(shè); 繼往開來?開拓進(jìn)取?奮勇爭先 ? ? ? 據(jù)DIGITIMES Research統(tǒng)計(jì)與分析,2022年IGBT因電動...

2023-02-24 標(biāo)簽:IGBT認(rèn)證翠展微電子 912 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    ESP8266
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