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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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深圳芯能半導(dǎo)體獲IGBT芯片專利,創(chuàng)新接觸孔連接ESD結(jié)構(gòu)提升安全性
此次專利的申請日期為2023年8月22日,授權(quán)公示日為2024年3月26日,授權(quán)公告號為CN116779666B。此項(xiàng)專利主要涉及的新型IGBT芯片結(jié)構(gòu)...
來源:ST社區(qū) 作為主流的新型電力電子器件之一,IGBT在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車、新能源裝備,以及工業(yè)領(lǐng)域(高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換...
2022-11-15 標(biāo)簽:IGBT 1267 0
華潤微:重慶12英寸產(chǎn)能上量,深圳12英寸產(chǎn)線明年底將通線
12英寸生產(chǎn)線的布局對化任偉表示,重慶12英寸生產(chǎn)線的撲克星力量零部件產(chǎn)品主要mosfet和igbt等,其中mosfet的重點(diǎn)布局是mos先進(jìn)頻道中低壓...
Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列,可支持1700 V IGBT
美國加利福尼亞州圣何塞,2017年5月16日 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今天推出SC...
翠展微電子IGBT產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢
機(jī)床在制造業(yè)中具有基礎(chǔ)性和戰(zhàn)略性地位,是衡量國家工業(yè)發(fā)展水平的重要標(biāo)志。在當(dāng)前我國制造業(yè)向中高端轉(zhuǎn)型升級背景下,Grecon助力機(jī)床廠家向中高端發(fā)展。
第三代半導(dǎo)體測試的突破 — Micsig光隔離探頭
第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)是近幾年新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅(Si)基功率半導(dǎo)體,氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度,更高的臨界...
Fairchild大幅降低IGBT損耗,助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制 來將IGBT 開關(guān)損耗降低30%
利用安森美半導(dǎo)體IGBT實(shí)現(xiàn)高能效的高性能開關(guān)應(yīng)用
今天,不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)都可以提供有效的解決方案,以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上...
2013-11-20 標(biāo)簽:IGBT安森美半導(dǎo)體 1252 0
中國大陸最大規(guī)模MEMS代工廠,上半年?duì)I收25.2億元
據(jù)傳感器專家網(wǎng)獲悉,8月30日晚,中芯集成(688469)披露上市后首份半年報(bào),實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入25.2億元,同比增長24.09%;凈利潤虧損11.09億元...
IR推出能簡化器件選擇和優(yōu)化的IGBT產(chǎn)品在線選型和性能評估工具
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT...
30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動與保護(hù) 摘要:系統(tǒng)介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅(qū)動與保護(hù)技術(shù)。提出IGBT對驅(qū)動電路的要求,介紹三菱的IGBT...
2009-07-11 標(biāo)簽:IGBT 1243 0
揚(yáng)杰科技針對工業(yè)變頻器等領(lǐng)域,推出IGBT變頻器系列模塊新品
IGBT 變頻器系列產(chǎn)品涵蓋C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封裝外形,具有多種靈活的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
近年全球IGBT業(yè)者產(chǎn)能增長情況,依中國與國際業(yè)者分為兩個(gè)階段,2021~2023年由中國業(yè)者主導(dǎo),在IGBT芯片自給率低,急需國產(chǎn)替代的趨勢下。
新品 | CIPOS? Tiny 600V 15A三相IPM
新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝,...
GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合...
2022-11-29 標(biāo)簽:IGBT 1234 0
英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐...
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC和GaN晶體管柵極驅(qū)動
意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。
2023-05-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體DC-DCIGBT 1231 0
IR推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列IRG7RC10FD
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列,適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)...
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