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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3073個 瀏覽：254652次 帖子：483個

      igbt資訊

      飛兆半導體的1200V溝槽型場截止IGBT提供更快速的開關性能和改進的可靠性

      飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業應用為目標，如太陽能逆變器、不間...

      2013-12-05 標簽：飛兆半導體IGBT 1350 0

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      作為電力電子行業里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國際上公認的電子革命中最具代表性的產品。將多個IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊...

      2024-03-11 標簽：新能源汽車IGBT車規級芯片 1349 0

      供不應求，車規級IGBT爆缺？

      不過，車規級IGBT行業集中度極高。由于車規級IGBT模塊驗證周期長、技術及可靠性要求高，目前全球供應主要仍集中在IDM廠商，包括英飛凌、安森美、賽米控...

      2022-12-16 標簽：新能源汽車半導體IGBT 1348 0

      企業增值逾13倍！核力創芯完成首輪2.95億元股權融資

      1月17日消息，核力創芯近日完成首輪2.95億元股權融資，企業增值逾13倍，標志著核力創芯在功率半導體質子輻照領域取得的進展和成績得到資本市場的充分認可。

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      2024-11-27 標簽：MOSFETIGBT光耦 1344 0

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      這是賽晶半導體自主技術IGBT模塊的首個批量訂單，標志公司IGBT模塊取得客戶認可并開始批量銷售和應用

      2022-02-14 標簽：IGBTType 1341 0

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      2024-02-27 標簽：安森美IGBT晶體管 1333 0

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      2014年12月17日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 （FSE： IFX / OTCQX： IFNNY） 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺，用...

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      3月5日，據“樂山發布”消息，四川樂山高新區希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用，屆時企業將新增4個品類的生產線，全部投用后可實現年銷售...

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