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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM
RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
IGBT模塊上下橋怎么區分 igbt模塊為什么做成上下橋在一起?因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來...
2023-02-06 標簽:IGBT 9432 0
igbt電氣符號圖 igbt電氣符號圖是指用于各種設備上,作為操作指示或用來顯示設備的功能或工作狀態的圖形符號,例如:電氣設備用圖形符號、紡織設備用圖形...
2023-02-06 標簽:IGBT 9917 0
igbt驅動電路圖 典型的IGBT驅動電路 如圖為典型的IGBT驅動電路圖。電路以混合IC?EXB840驅動模塊和外圍元器件組成。驅動信號輸入接SPWM...
2023-02-06 標簽:IGBT 2.4萬 0
IGBT、SiC國產化率加速攀升 碳化硅行業迎來快速發展機遇期
分 8 寸和 12 寸廠看,2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺積電、聯電、世界先進、力積 電和中芯國際的產能利用率預計分別下降到 97%/90%...
瑞薩電子推出用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞薩電子推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSF...
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短...
igbt工作原理和作用 ? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。兼有金氧半場效晶體...
2023-02-03 標簽:IGBT 6719 0
三菱電機集團近日宣布,其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發布,該模塊具有30A的高額定電流,主要應用于家用電器逆變器系統。
隨著我國武器裝備系統復雜性提升和功率等級提升,對IGBT模塊的需求劇增,IGBT可靠性直接影響裝備系統的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模...
MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應管,MOSFET又可分為N溝耗...
為客戶提供稀缺難求元器件的持續支持,羅徹斯特電子擁有超過20億片晶體管和柵極驅動器的現貨庫存,覆蓋2萬多種產品型號。庫存不僅包括停產元器件,還包括仍在量...
積塔半導體、吉利科技簽署戰略合作協議 推動車規芯片創新聯合發展
日前,積塔半導體與吉利科技集團簽訂戰略合作協議,雙方將圍繞車規級芯片研發、制造、市場應用、人才培養等領域開展全面合作,共同致力于車規級芯片產業的創新聯合...
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