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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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近些年是國內功率半導體器件迅猛發展的良好時機,國產半導體企業在MOSFET ,IGBT及SiC等產品領域的優秀表現吸引了越來越多的電力電子產品大廠的關注...
我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象,如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓,同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍,因此IGBT發...
交流電機三相對稱的靜止繞組A 、B 、C ,通以三相平衡的正弦電流時,產生的合成磁動勢是旋轉磁動勢F,它在空間呈正弦分布,以同步轉速ws(即電流的角頻率...
1月20日消息,比亞迪半導體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導,并于近日在深圳證監局完成輔導備案。行業專家認為,比亞迪半導體作為國內為數不多的汽車芯片...
隨著我國武器裝備系統復雜性提升和功率等級提升,對IGBT模塊的需求劇增,IGBT可靠性直接影響裝備系統的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模...
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發生退飽和現象? IGBT是一種高性能功率半導體器件,結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中...
世強及世強元件電商全面代理Pakal,上線IGTO產品及其相關資料
另一方面,IGTO與現有的IGBT供應鏈完全兼容,從控制器到驅動器再到無源組件,部署IGTO所需的工作量遠遠超過對更高效率的要求。由Pakal研發的IG...
新型碳化硅IGBT器件,首次成功實現導通電流密度突破50A/cm2
當前,碳化硅基功率器件面臨著嚴峻的挑戰,現有的碳化硅基肖特基二極管,MOSFET等器件并不能有效地滿足實際應用需要,對IGBT器件的需求日益迫切,必須突...
IGBT的失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術現狀未來展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件...
萬用表檢測IGBT好壞的步驟是什么?IGBT好壞測試方法還有哪些?
用萬用表檢測IGBT好壞時一定要將萬用表設置在R×10KΩ,因為R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低,在檢測過程中無法使IGBT導通,從而無法判斷...
在新型肺炎疫情沖擊之下,鼠年的首個交易日,A股市場遭遇“至暗時刻”。不過僅一個交易日,隨著恐慌釋放,A股出現大幅反彈并展開震蕩,半導體概念股更是領漲,北...
陸芯:單管-IGBT YGW25N135F1A 1350V 25A替代英飛凌IHW20N135R3 IHW20N135R5
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-24 標簽:IGBT 6056 0
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