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一文詳細了解高電子遷移率晶體管

HEMT（High Electron Mobility Transistor），高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體...

2022-05-09 標簽：集成電路晶體管 HEMT 5288 0

GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）作為新一代的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標簽：GaN 儲能 HEMT 4468 0

首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 標簽：功率放大器衛(wèi)星通信 GaN 2491 0

新的GaN技術(shù)簡化了驅(qū)動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 2194 0

射頻GaN需求飆升，專利申請戰(zhàn)全面啟動

RF GaN已被工業(yè)公司認可并成為主流。從知識產(chǎn)權(quán)的角度來看，美國和日本主導(dǎo)著整個RF GaN知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)。

2019-02-21 標簽：射頻 Intel RF 2168 0

增強型GaN HEMT的漏極電流特性?

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動...

2022-07-29 標簽：晶體管 GaN HEMT 1673 0

下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT

納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...

2022-07-26 標簽：氮化鎵 HEMT 1596 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

2023-12-07 標簽：無線通信晶體管 HEMT 1466 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標簽：晶體管 GaN HEMT 1450 0

用于低溫應(yīng)用的GaN

當(dāng)硅和寬禁帶器件（如碳化硅和垂直 GaN）的溫度下降時，會出現(xiàn)兩個重要現(xiàn)象，如文章中所述：載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 標簽：功率器件 PID控制器 HEMT 1406 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標簽：電動汽車 GaN HEMT 1388 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標簽：MOSFET GaN HEMT 1359 0

Cambridge GaN Devices 在 2023 年 APEC 大會上展示電力電子裝置的可持續(xù)未來

3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devi...

2023-03-14 標簽：電源氮化鎵 HEMT 1265 0

氮化鎵新技術(shù)突破！

N極性GaN HEMT是目前業(yè)界的研究熱點。

2022-12-02 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1222 0

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標簽：蝕刻 GaN HEMT 1103 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標簽：smps GaN HEMT 1053 0

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標簽：GaN HEMT Rohm 1041 0

HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹具有集成 GaN HEMT 的高頻準諧振反激式穩(wěn)壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設(shè)計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-...

2025-01-09 標簽：GaN 諧振 HEMT 957 0

CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達成全球分銷協(xié)議

為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公...

2023-06-30 標簽：氮化鎵 CGD HEMT 810 0

GaN HEMT在POE交換機中的應(yīng)用及優(yōu)勢

在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級增長以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、5G 基...

2025-03-03 標簽：交換機 PoE GaN 618 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達到640X480，傳輸速率可以達到30幀。
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HCS12X系列單片機簡介 Freescale 公司的16位單片機主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達到25MHZ。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機由電動機主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機電一體化產(chǎn)品。無刷電機是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機，又稱無換向器電機。早在十九紀誕生電機的時候，產(chǎn)生的實用性電機就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機，這種電動機得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認和說話人確認。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機進行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認技術(shù)，而銀行交易時則需要確認技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠比不同電壓等級下的獨立工程更經(jīng)濟、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓撲電路可以實現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機系統(tǒng)供進一步處理。
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