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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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目前汽車業仍結構性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資...
英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術,助力電源轉換設計達到前所未有的效率和性能
2016年5月10日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技...
派恩杰推出最新研發的高壓碳化硅功率器件與車規級碳化硅模塊產品
3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統技術展覽會圓滿落幕,本次會上,派恩杰展出了最新研發的高壓碳化硅功率器件與車規...
SiC的發展歷史不僅引人入勝,而且情節緊張激烈,因為捷足先登才能取得先機。SiC特性在20世紀初就已經確立,第一個SiC發光二極管追溯到1907年。
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發布兩款采用 3 引腳 TO-24...
基本半導體碳化硅MOSFET通過車規級認證,為汽車電子注入新動力
近日,中國半導體行業的佼佼者——基本半導體公司,再次在科技領域邁出堅實步伐。該公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
在11月6日舉行的小鵬AI科技日上,小鵬汽車正式揭曉了其命名為“小鵬鯤鵬超級電動體系”的創新增程系統。該系統構建于先進的800V高壓碳化硅平臺之上,集成...
近日,由中國汽車技術研究中心聯合行業權威機構、985高校舉辦的“2023中國十佳底盤評選”(10 BEST Chassis)名單正式公布,評選規則考量了...
碳化硅作為一種新型半導體材料,因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用...
2022-01-06 標簽:碳化硅 1311 0
11月4-7日,2022中國電力電子與能量轉換大會暨中國電源學會第二十五屆學術年會及展覽會在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國電源學會科學技術獎頒獎儀...
自2019年4月在江蘇南京建立以來,超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術的研發和商品化。其創始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內外產業化經歷以及廣闊的國際...
由愛戴愛集團主辦,《Bodo‘s功率系統》雜志協辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會西安站將于2013年1...
基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊
電動汽車的電動機是有源負載,其轉速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調速系統要復雜,因此,其驅動系統是決定電動汽車性能的關鍵...
近日,第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024在東京有明國際展覽中心盛大舉行。作為全球領先的半導體制造商,三安半導體受邀參加此次盛會,并...
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