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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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8月,天科合達開工建設位于徐州的碳化硅二期擴大生產工程,總投資8.3億元。該項目投入生產后,每年有16萬個碳化硅晶圓的生產能力。該公司已經6英寸和8英寸...
由助理教授Richard Norte領導的代爾夫特理工大學的研究人員公布了一種引人注目的新材料,具有影響材料科學世界的潛力:非晶碳化硅(a-SiC)。除...
8英寸SiC襯底陣容加速發展 全球8英寸SiC晶圓廠將達11座
近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續激增,降低SiC成本的呼聲日益強烈,最終產品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結構中占...
聯合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產
2024年3月,聯合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產。本次量產標志著聯合電子在400V電壓平臺上實現了Si和SiC技術的全面覆蓋...
不論何時,封裝技術的發展需要同時兼顧充分發揮碳化硅芯片性能和實際應用易用性與可靠性要求,以多樣化產品滿足了市場的廣泛需求,同時也不能忽略了標準化需求。
集成電路產業(即IC產業)是關乎國家經濟、政治和國防安全的戰略產業,在IC產業中,集成電路制造裝備具有極其重要的戰略地位。
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結構如圖 1 所示。N+ 區域定義為源區,相應的電極稱為發射極(Emitter)。背面 P+ 區域定義...
Cree, Inc.正式更名為Wolfspeed, Inc.,標志著向強大的全球性半導體企業成功轉型
今天是 Wolfspeed 的一個重要轉型里程碑,正式標志著我們現在已經成為一家純粹且強大的全球性半導體企業。
據介紹,瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡化應用系統設計。在產品結構上,第二代SiC M...
在汽車產業持續變革的浪潮中,比亞迪再次展現出其前瞻性的戰略布局。近日,比亞迪品牌及公關處總經理李云飛在中國汽車重慶論壇上宣布,公司新建的碳化硅工廠將成為...
新的一年,許多碳化硅企業紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區一家SiC模塊企業也開足馬力忙生產,全年產量或達80萬只。
英飛凌推出了采用轉模封裝的1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC,這是業界在這一電壓級別上...
日前,碳化硅(SiC)技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?...
2015-09-06 標簽:功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1675 0
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