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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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PN2907ABU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):20nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSP92BU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW; |
獲取價格
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2N3906BU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW; |
獲取價格
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SS8050CTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSP44TF | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):300mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V; |
獲取價格
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KSP42TA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V; |
獲取價格
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BS170-D26Z | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續漏極電流(Id):500mA;功率(Pd):830mW;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,200mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@1mA; |
獲取價格
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KSC1008CYTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW; |
獲取價格
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KSP42BU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2N4401TFR | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW; |
獲取價格
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2N3906TA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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BC33725TA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V; |
獲取價格
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KSP2222ATA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSP2907ATA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價格
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J113 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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J111 | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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2N4403BU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSC1815YTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;特征頻率(fT):80MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SI8261BCC-C-IS | MOSFET隔離柵極驅動器 傳統光耦驅動升級替代品 高CMTI、4A驅動、高速 |
獲取價格
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LQG15HZ5N6B02D | 電感值:5.6nH;額定電流:-;飽和電流(Isat):-;直流電阻(DCR):180mΩ; |
獲取價格
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DFE18SANR24MG0L | 240 nH 屏蔽 電感器 3.5 A 30 毫歐最大 0603(1608 公制) |
獲取價格
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LQM18PH1R5MFRL | FIXED IND 1.5UH 800MA POWRTRN, A |
獲取價格
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LQW18CN55NJ0ZD | 55 nH 無屏蔽 鼓芯,繞線式 電感器 1.5 A 45 毫歐最大 0603(1608 公制) |
獲取價格
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LQW18CN85NJ0ZD | 85 nH 無屏蔽 鼓芯,繞線式 電感器 1.4 A 60 毫歐最大 0603(1608 公制) |
獲取價格
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1226AS-H-3R3M=P2 | FIXED IND |
獲取價格
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DFE2016CKA-2R2M=P2 | 2.2 μH 屏蔽 繞線 電感器 1.4 A 200 毫歐最大 0805(2012 公制) |
獲取價格
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1269AS-H-6R8M=P2 | 6.8 μH 屏蔽 鼓芯,繞線式 電感器 1.1 A 516 毫歐最大 1008(2520 公制) |
獲取價格
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ZRA21MR60J476ME11L | 47 μF ±20% 6.3V 陶瓷電容器 X5R 0805(2012 公制) |
獲取價格
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RHEL81H225K2A2H03B | 2.2 μF ±10% 50V 陶瓷電容器 X8L 徑向 |
獲取價格
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NFMJMPL226R0E5D | 22 μF 饋通式電容器 2.5V 2 A 30 毫歐 0504(1210 公制) |
獲取價格
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