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標(biāo)簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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NCV78M12BDTRKG | 輸出類型:固定;輸出極性:正;輸出通道數(shù):1;最大輸入電壓:35V;輸出電壓:12V;壓差:-;輸出電流:500mA;電源紋波抑制比(PSRR):80dB@(120Hz); |
獲取價格
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NSI50150ADT4G |
獲取價格
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NCV1117DT25RKG | 輸出類型:固定;輸出極性:正;輸出通道數(shù):1;最大輸入電壓:20V;輸出電壓:2.5V;壓差:1.2V@(800mA);輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):68dB@(120Hz); |
獲取價格
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PZT2222AT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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MMBT5551M3T5G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):60mA;功率(Pd):265mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; |
獲取價格
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BC846BM3T5G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):265mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價格
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BC847BM3T5G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):260mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NTK3134NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):890mA;功率(Pd):310mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):350mΩ@4.5V,890mA;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; |
獲取價格
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NTK3043NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):210mA;功率(Pd):310mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4Ω@4.5V,10mA; |
獲取價格
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2N4920G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征頻率(fT):3MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSD1691YSTU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):1.3W;集電極截止電流(Icbo):10uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征頻率(fT):-;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSC3503DSTU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):7W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,10V; |
獲取價格
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KSA1381ESTU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):7W; |
獲取價格
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BC33740TA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2N5551TFR | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):160V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V; |
獲取價格
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2N3906TFR | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2N4401BU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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BC847CWT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; |
獲取價格
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BC856BWT1G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NCP1253BSN65T1G | The NCP1253 is a highly integrated PWM controller capable of delivering a rugged and high performance offline power supply in a tiny TSOP-6 package. With a supply range up to 28 V, the controller hosts a jittered 65 kHz or 100 kHz switching circuitry oper |
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NCP1250BSN65T1G | NCP1250 是一款高度集成的 PWM 控制器,能夠在極小型 TSOP-6 封裝內(nèi)提供耐用的高性能離線電源。該控制器供電范圍高達(dá) 28 V,具有帶抖動的 65 kHz 或 100 kHz 開關(guān)電路,在峰值電流模式控制下運行。當(dāng)輔助側(cè)功率開始降低時,該控制器將其開關(guān)頻率自動折回至最低 26 kHz 的水平。當(dāng)功率進(jìn)一步下降時,該零部件進(jìn)入跳過周期,同時對峰值電流進(jìn)行限制。 40W 適配器過功率保護(hù) (OPP) 是一種非常困難的措施,尤其當(dāng)無負(fù)載待機(jī)要求驅(qū)動轉(zhuǎn)換器規(guī)格時更是如此。安森美半導(dǎo)體的專屬集成 OP |
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FAN5346S30X | 類型:DC-DC穩(wěn)壓器;通道數(shù):1;輸入電壓:2.5V~5.5V;開關(guān)頻率:1.2MHz;輸出電壓:30V;輸出電流:25mA; |
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NCP4306DADZZDASNT1G | NCP4306 是一款高性能驅(qū)動器,專門為控制開關(guān)模式電源中的同步整流 MOSFET 而設(shè)計。由于其高性能驅(qū)動器和多功能性,可用于多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如 DCM 或 CCM 反激、準(zhǔn)諧振反激、正向和半橋諧振 LLC。外部可調(diào)或固定可調(diào)最短開關(guān)時間間隔時段的組合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件產(chǎn)生的振鈴。SR 系統(tǒng)的可靠低噪音運行由于自同步功能而得以保證。NCP4306 還利用 MOSFET 的驅(qū)動器開爾文連接,實現(xiàn)了滿負(fù)載下的高能效運行,利用輕負(fù)載檢測結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了輕負(fù)載下的高能效。該驅(qū)動器精確的關(guān)斷閾值、極 |
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MC33262PG |
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NCP1207APG |
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FSL136MR | FSL136MR 集成了脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器和 SenseFET,專門為高性能離線開關(guān)模式電源 (SMPS) 而設(shè)計,且外部部件數(shù)量極小。FSL136MR 包含了集成式高電壓電源開關(guān)穩(wěn)壓器,將雪崩堅固的 SenseFET 與電流模式 PWM 控制裝置相結(jié)合。該集成式 PWM 控制器功能包括: 欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)、 前緣間隔 (LEB)、用于 EMI 衰減的頻率生成器、優(yōu)化的門極開/關(guān)驅(qū)動器、高溫關(guān)斷 (TSD) 保護(hù),用于回路補償溫度補償精確電流源,以及故障保護(hù)電路。FSL136MR 提 |
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FSL206MRN | FSL206MR 集成了脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器和 SenseFET,專門為高性能離線開關(guān)模式電源 (SMPS) 而設(shè)計,且外部部件數(shù)量極小。此器件集成了高壓電源穩(wěn)壓器,將雪崩堅固的 SenseFET 與電流模式 PWM 控制裝置相結(jié)合。集成的 PWM 控制器包括:7.8V 穩(wěn)壓器,避免了輔助偏置繞組的必要性;欠電壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù);前緣間隔 (LEB);優(yōu)化的門極打開/關(guān)斷驅(qū)動器;EMI 衰減器;高溫關(guān)斷 (TSD) 保護(hù);用于回路補償?shù)臏囟妊a償精確電流源;啟動期間的軟啟動;過載保護(hù) (OL |
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FDD86110 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):12.5A;50A;功率(Pd):3.1W;127W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.2mΩ@10V,12.5A; |
獲取價格
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BC847BTT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V; |
獲取價格
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NTA4153NT1G | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續(xù)漏極電流(Id):915mA;功率(Pd):300mW;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@4.5V,600mA; |
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