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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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MPSA06 |
獲取價格
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PN2222ATF | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價格
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NSI45025AZT1G |
獲取價格
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FDT86246L | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):150V;連續漏極電流(Id):2A;功率(Pd):2.2W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):189mΩ@10V,2A; |
獲取價格
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LM431BCZX | 電壓基準類型:并聯;輸出類型:可調;輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±1%;溫度系數:50ppm/℃;靜態電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價格
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BC63916-D74Z | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價格
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2N3906TF | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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PN2907BU | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):20uA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):-;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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PN2222ABU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):10nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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SS8050CBU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSC945CYTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NJT4030PT3G | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,300mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征頻率(fT):160MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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J109 | 此器件適用于需要極低導通電阻的模擬或數字開關應用。源自 Process 58。 |
獲取價格
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2N5550TA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):140V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V; |
獲取價格
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PZT2222AT3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價格
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KSC945YTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V; |
獲取價格
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KSA992FATA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):120V;集電極電流(Ic):50mA;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V; |
獲取價格
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J175-D26Z | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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J113-D74Z | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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2N4401TAR | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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2N3906TAR | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; |
獲取價格
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KSA708YTA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征頻率(fT):50MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
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KSA1281YTA | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):2A;功率(Pd):1W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V; |
獲取價格
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BCP56-16T3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):130MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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FAN431AZXA | 電壓基準類型:并聯;輸出類型:可調;輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±1%;溫度系數:50ppm/℃;靜態電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價格
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NJV4031NT1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V; |
獲取價格
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LM431CCZ | 電壓基準類型:并聯;輸出類型:可調;輸入電壓:-;輸出電流:100mA;精度:±0.5%;溫度系數:50ppm/℃;靜態電流:-;噪聲(0.1Hz-10Hz):-;噪聲(10Hz-10kHz):-;工作溫度:-25℃~+85℃@(Ta); |
獲取價格
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2N6517BU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):350V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):20@50mA,10V; |
獲取價格
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PN2222ATA | The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications. |
獲取價格
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KSD5041RTA | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):340@500mA,2V; |
獲取價格
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