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標簽 > 村田
村田公司是一家使用性能優異電子原料,設計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業。不僅是手機、家電,汽車相關的應用、能源管理系統、醫療保健器材等,都有村田公司的身影。
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型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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MC74LCX125DG | 電源電壓:2V~3.6V;輸入類型:-;輸出類型:三態;灌電流(IOL):24mA;拉電流(IOH):24mA;工作溫度:-40℃~+85℃; |
獲取價格
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MM74HC126M | MM74HC125 和 MM74HC126 是通用型 3 態高速非反相緩沖器,采用先進的硅門極 CMOS 工藝。它們具有高驅動電流輸出,即使在驅動大總線電容時也能實現高速運行。此類電路具有 CMOS 電路的低功耗,但與低功耗肖特基 TTL 電路相比仍然具有高速度。兩個電路均能驅動最多 15 個低功耗肖特基輸入。MM74HC125 需要采用 3 態控制輸入 C 高電平才能將輸出置于高阻抗狀態,而 MM74HC126 需要該控制輸入為低電平才能將輸出置于高阻抗狀態。通過對二極管聯接 VCC 和接地,防止所有輸 |
獲取價格
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MM74HC126MX | MM74HC125 和 MM74HC126 是通用型 3 態高速非反相緩沖器,采用先進的硅門極 CMOS 工藝。它們具有高驅動電流輸出,即使在驅動大總線電容時也能實現高速運行。此類電路具有 CMOS 電路的低功耗,但與低功耗肖特基 TTL 電路相比仍然具有高速度。兩個電路均能驅動最多 15 個低功耗肖特基輸入。MM74HC125 需要采用 3 態控制輸入 C 高電平才能將輸出置于高阻抗狀態,而 MM74HC126 需要該控制輸入為低電平才能將輸出置于高阻抗狀態。通過對二極管聯接 VCC 和接地,防止所有輸 |
獲取價格
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TLV274DR2G | 輸入偏置電流(Ib):5pA;增益帶寬積(GBP):3MHz;壓擺率(SR):2.8V/us; |
獲取價格
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NCS21874DR2G |
獲取價格
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NCS21914DR2G | 放大器組數:4;帶寬(-3db):-;輸入偏置電流(Ib):100pA;輸入失調電壓(Vos):1uV;增益帶寬積(GBP):2MHz;壓擺率(SR):1.6V/us; |
獲取價格
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NCV21914DR2G | 運放類型:零漂移;增益帶寬積(GBP):2MHz;壓擺率(SR):1.6V/us; |
獲取價格
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1SMA60CAT3G | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):60V;擊穿電壓:66.7V;峰值脈沖電流(Ipp)@10/1000μs:4.1A;最大鉗位電壓:96.8V; |
獲取價格
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SZ1SMA33CAT3G | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):33V;擊穿電壓(最小值):36.7V;峰值脈沖電流(Ipp)@10/1000μs:7.5A;最大鉗位電壓:53.3V; |
獲取價格
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CNY173SR2VM | 輸入電壓類型:DC;輸出通道數:1;正向電壓:1.15V;反向電壓:6V;輸出電流:50mA;接收端電壓:70V;集射極飽和電壓(Vce(sat)@Ic,IF):[email protected],10mA;隔離電壓(rms):4.17kV; |
獲取價格
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CNY171SR2VM | 輸入電壓類型:DC;輸出通道數:1;正向電壓:1.15V;反向電壓:6V;輸出電流:50mA;接收端電壓:70V;集射極飽和電壓(Vce(sat)@Ic,IF):[email protected],10mA;隔離電壓(rms):4.17kV; |
獲取價格
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H11A1SM | 輸入電壓類型:DC;輸出通道數:1;正向電壓:1.18V;反向電壓:6V;輸出電流:30mA;接收端電壓:70V;集射極飽和電壓(Vce(sat)@Ic,IF):[email protected],10mA;隔離電壓(rms):4.17kV; |
獲取價格
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MOC3011SR2M | 可控硅類型:雙向可控硅;正向電壓:1.15V;正向電流:60mA;斷態峰值電壓(Vdrm):250V;輸出電流(It(rms)):-; |
獲取價格
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H11AA1SR2M | 輸入電壓類型:DC;輸出通道數:1;正向電壓:1.17V;反向電壓:-;輸出電流:50mA;接收端電壓:100V;集射極飽和電壓(Vce(sat)@Ic,IF):-;隔離電壓(rms):4.17kV; |
獲取價格
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H11AA4SR2M | 輸入電壓類型:AC,DC;輸出通道數:1;正向電壓:1.17V;反向電壓:-;輸出電流:50mA;接收端電壓:100V;集射極飽和電壓(Vce(sat)@Ic,IF):-;隔離電壓(rms):4.17kV; |
獲取價格
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HCPL2531 | 通道數:2;隔離電壓:2.5kV;輸入類型:DC;共模瞬變抗擾度CMTI:10kV/us;數據速率:1Mbit/s;傳播延遲tpLH/tpHL:0.8us,0.8us;電源電壓:-;工作溫度:-55℃~+100℃; |
獲取價格
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HCPL2730 |
獲取價格
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NCP1117IST18T3G | 輸出類型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:20V;輸出電壓:1.8V~1.8V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):70dB@(120Hz); |
獲取價格
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NCP1117IST50T3G | 輸出類型:固定;輸出極性:正;最大輸入電壓:20V;輸出電壓:5V;輸出電流:1A;電源紋波抑制比(PSRR):61dB@(120Hz); |
獲取價格
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LM1117MPX-ADJNOPB | 輸出類型:可調;輸出極性:正;輸出通道數:1;最大輸入電壓:20V;輸出電壓:1.25V~13.8V;壓差:1.2V@(800mA);輸出電流:800mA;電源紋波抑制比(PSRR):73dB@(120Hz); |
獲取價格
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NTD600N80S3Z | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):800V;連續漏極電流(Id):8A;功率(Pd):60W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,4A; |
獲取價格
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FQD19N10LTM | 類型:-;漏源電壓(Vdss):-;連續漏極電流(Id):-;功率(Pd):-;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;閾值電壓(Vgs(th)@Id):-;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;反向傳輸電容(Crss@Vds):-; |
獲取價格
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2N3904BU | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):-;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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GRM1882C2A471JA01D |
獲取價格
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GRM1555C1H472JE01D | 容值:4.7nF;精度:±5%;額定電壓:50V;材質(溫度系數):C0G; |
獲取價格
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J109-D26Z | FET類型:-;柵源擊穿電壓(V(BR)GSS):-;柵源截止電壓(VGS(off)@ID):-;飽和漏源電流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源導通電阻(RDS(on)):-;輸入電容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; |
獲取價格
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BC63916-D27Z | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):830mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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NSVBCP56-10T3G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V; |
獲取價格
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PN2907ATFR | 晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V; |
獲取價格
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SBCP56-16T1G | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V; |
獲取價格
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