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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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關(guān)于典型和非典型無(wú)線通信應(yīng)用射頻前端之解決方案的分析和介紹
不同于市場(chǎng)上的其他解決方案,英飛凌打造了極低勢(shì)壘高度、非常小的正向電壓和低結(jié)電容的RF肖特基二極管,使得此系列器件成為頻率高達(dá)24GHz的檢測(cè)器功能的絕...
在2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)的開幕演講中,臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音以《揭秘創(chuàng)新未來》為主題,談及許多引領(lǐng)芯片發(fā)展的創(chuàng)新技術(shù)。
集成電路是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的基礎(chǔ)
集成電路是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的基礎(chǔ) 隨著科技的不斷發(fā)展,集成電路技術(shù)已成為現(xiàn)代電子信息技術(shù)的基礎(chǔ)之一。它的應(yīng)用范圍已經(jīng)涉及到電子、通信、計(jì)算機(jī)、軍事等行業(yè)...
2023-08-29 標(biāo)簽:集成電路寄存器計(jì)數(shù)器 2573 0
臺(tái)積電宣布斥資逾萬(wàn)億新臺(tái)幣,在嘉義科學(xué)園區(qū)設(shè)立1nm制程代工廠
臺(tái)積電在上月早些時(shí)候的IEDM 2023大會(huì)中宣布,計(jì)劃推出包含高達(dá)1萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片封裝方案,此舉與英特爾去年公布的規(guī)劃相呼應(yīng)。為達(dá)成這一目標(biāo),該公...
晶體管三種接法的特點(diǎn)? 晶體管是一種常見的電子元器件,具有開關(guān)和放大功能。根據(jù)不同的接法,晶體管的特點(diǎn)也會(huì)有所不同。一般來說,晶體管的接法分為共集電極、...
MIT中國(guó)留學(xué)生實(shí)現(xiàn)全硅基芯片間高速光通信
? 當(dāng)晶體管小到無(wú)法再縮小、單位面積電子芯片的性能難再提升,當(dāng)摩爾定律失效將成事實(shí),人們不再執(zhí)著于單純提升電子芯片的時(shí)鐘速度和傳輸帶寬,轉(zhuǎn)而嘗試將光與電...
在今年10月,AMD正式推出了銳龍5000系列處理器,基于Zen3架構(gòu)和7nm制程工藝設(shè)計(jì)。目前Zen3架構(gòu)正在補(bǔ)齊產(chǎn)品線,但是AMD已經(jīng)表態(tài),Zen4...
采用JFET晶體管置于電路中實(shí)現(xiàn)高頻LC振蕩器的設(shè)計(jì)
將JFET用于不尋常的電路結(jié)構(gòu)中,就可以設(shè)計(jì)出無(wú)源元件很少的簡(jiǎn)單高頻LC振蕩器。實(shí)現(xiàn)放大器級(jí)的結(jié)構(gòu)包括一只以共漏方連接的JFET晶體管(圖 1)。當(dāng)JF...
現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比,體積上大幅縮減,而充電速度卻實(shí)現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
從晶體管向數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)型,是英特爾50年來最大膽的一次躍遷
選擇在史上最佳時(shí)刻轉(zhuǎn)型,英特爾對(duì)未來的危機(jī)感及魄力,著實(shí)讓人敬佩。
EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
InGaAs晶體管技術(shù)將為計(jì)算機(jī)領(lǐng)域帶來新希望
近年來,非硅計(jì)算機(jī)晶體材料研究不斷突破,甚至被認(rèn)為是為計(jì)算機(jī)領(lǐng)域帶來了新的希望,可與硅(Si)技術(shù)相競(jìng)爭(zhēng)。專家認(rèn)為,盡管如此,其對(duì)硅主導(dǎo)的集成電路芯片技...
2020-12-25 標(biāo)簽:芯片集成電路計(jì)算機(jī) 2545 0
研究人員開發(fā)新方法,可提高場(chǎng)效應(yīng)晶體管的總電離劑量容限
使用碳納米管作為溝道材料,并使用離子凝膠作為柵極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可承受高強(qiáng)度的輻射,在輻射損壞后,并且可以經(jīng)過簡(jiǎn)單的工藝恢復(fù)。
或者,如果您正在構(gòu)建的電路需要不同的電壓電平。假設(shè)您有一個(gè)電路,其中的微控制器需要5V,電機(jī)需要12V。您可以只使用一個(gè)12V電源,并添加一個(gè)為微控制器...
2022-11-09 標(biāo)簽:電感器線性穩(wěn)壓器晶體管 2540 0
曾經(jīng),三星為了率先在7nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入EUV技術(shù),導(dǎo)致量產(chǎn)時(shí)間落后于臺(tái)積電。如果說EUV的導(dǎo)入是“hard”模式,那材料的轉(zhuǎn)變就是“hell”模式。不僅...
先進(jìn)制程的高成本如何影響半導(dǎo)體和AI發(fā)展?
CSET的成本模型使用的是無(wú)晶圓廠的角度,包含建造工廠的成本、材料、人工,制造研發(fā)和利潤(rùn)等。芯片制造出來后,將外包給芯片測(cè)試和封裝(ATP)公司。
MICRON Inside 1α:世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)
MICRON最近宣布,我們正在發(fā)貨使用全球最先進(jìn)的DRAM工藝制造的存儲(chǔ)芯片。這個(gè)過程被神秘地稱為“1α”(1-alpha)。這是什么意思,有多神奇?
為了提高晶體管性能,45nm/28nm以后的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用了高介電常數(shù)柵介質(zhì)及金屬柵極(High-k Metal Gate,HKMG)工藝,在晶體管源...
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