SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

9月4日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)重要?jiǎng)討B(tài)，SK海力士社長(zhǎng)金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（...

2024-09-05 標(biāo)簽：內(nèi)存SK海力士HBM 1153 0

內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)在電信行業(yè)業(yè)務(wù)場(chǎng)景有哪些應(yīng)用？

首先可以預(yù)見(jiàn)，分布式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)在未來(lái)眾多的電信行業(yè)業(yè)務(wù)場(chǎng)景，比如報(bào)表分析、自助即席查詢、實(shí)時(shí)數(shù)倉(cāng)、機(jī)器學(xué)習(xí)等等，在這些業(yè)務(wù)場(chǎng)景中都具有很大的推廣價(jià)值。 ...

2022-06-27 標(biāo)簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù) 1149 0

佰維存儲(chǔ)研發(fā)突破，為AI高性能計(jì)算賦能

近日，佰維存儲(chǔ)在接受調(diào)研時(shí)透露，公司近期成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL2.0規(guī)范的CXLDRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。這款產(chǎn)品具有支持內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展、內(nèi)存池化共...

2024-01-23 標(biāo)簽：內(nèi)存佰維存儲(chǔ)AI+ 1149 0

臺(tái)積電不排除收購(gòu)內(nèi)存芯片公司的可能性

臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存芯片供應(yīng)商南亞科是臺(tái)積電的潛在合作伙伴或投資目標(biāo)，不過(guò)這家全球第四大DRAM存儲(chǔ)器制造商拒絕評(píng)論。

2018-09-08 標(biāo)簽：DRAM臺(tái)積電存儲(chǔ)器 1145 0

內(nèi)存芯片價(jià)格大躍進(jìn)，全球規(guī)模倍增至3520億美元

2018-01-18 標(biāo)簽：內(nèi)存 1143 0

英睿達(dá)在英亞上架12GB DDR5內(nèi)存

該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅...

2024-03-13 標(biāo)簽：內(nèi)存亞馬遜DDR5 1142 0

Rambus推出提升GDDR6內(nèi)存接口性能的Rambus GDDR6

憑借Rambus GDDR6 PHY所實(shí)現(xiàn)的新一級(jí)性能，設(shè)計(jì)人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項(xiàng)最...

2023-05-17 標(biāo)簽：接口內(nèi)存Rambus 1141 0

研華科技發(fā)布全線32GB內(nèi)存

Intel最近為Z390平臺(tái)開(kāi)放了單條32GB內(nèi)存條的支持，不過(guò)這種大容量條子在游戲市場(chǎng)上還很稀少，而在服務(wù)器、高性能計(jì)算領(lǐng)域就比較豐富了。臺(tái)灣研華科技...

2019-02-13 標(biāo)簽：內(nèi)存研華 1139 0

內(nèi)存不足如何進(jìn)行處理

內(nèi)存使用率多少正常，這個(gè)需要具體問(wèn)題具體分析，現(xiàn)在就拿Win7系統(tǒng)來(lái)說(shuō)吧，如果使用是2G內(nèi)存的情況下，開(kāi)機(jī)基本就能達(dá)到50%以上了，隨便運(yùn)行點(diǎn)程序必然就...

2020-06-02 標(biāo)簽：內(nèi)存 1136 0

國(guó)產(chǎn)DRAM一直是痛點(diǎn) 三大廠商正在努力突破重圍

隨著中國(guó)智能手機(jī)的發(fā)展，PC、物聯(lián)多設(shè)備出貨量的進(jìn)一步增加，對(duì)于內(nèi)存的需求也是越來(lái)越大，進(jìn)口額也在逐年增加。也正因?yàn)槿绱耍谠谠鐜啄曛埃瑖?guó)內(nèi)就一直有...

2019-11-19 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存 1135 0

華碩ROG 5或?qū)⑹堑谝豢钆鋫?8GB內(nèi)存的手機(jī)

有消息稱，即將推出的華碩ROG Phone 5將采用16GB內(nèi)存·，我們認(rèn)為，沒(méi)有一家Android旗艦手機(jī)制造商會(huì)在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)越過(guò)這一門(mén)檻。現(xiàn)在最...

2021-03-04 標(biāo)簽：智能手機(jī)華碩內(nèi)存 1135 0

新型混合石墨烯氧化鈦內(nèi)存 5ns的超級(jí)讀寫(xiě)速度

新型的混合石墨烯氧化鈦內(nèi)存，只需要5ns來(lái)寫(xiě)入和讀取數(shù)據(jù)。它也只有50nm長(zhǎng)，8nm厚，為智能手機(jī)制造商在新設(shè)備的設(shè)計(jì)和功能方面提供了足夠的余地。

2017-04-11 標(biāo)簽：內(nèi)存石墨烯 1132 0

安卓旗艦手機(jī)告別8GB,轉(zhuǎn)向更高規(guī)格的內(nèi)存配置

10月28日資訊，隨著人工智能大模型的普及應(yīng)用，安卓智能手機(jī)制造商正積極調(diào)整其旗艦機(jī)型的內(nèi)存配置策略。近期推出的多款安卓旗艦已悄然舍棄8GB內(nèi)存版本，轉(zhuǎn)...

2024-10-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)內(nèi)存安卓 1127 0

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開(kāi)始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容...

2023-07-28 標(biāo)簽：內(nèi)存AI美光 1121 0

2022年數(shù)據(jù)中心將經(jīng)歷一場(chǎng)革命

不論是在本地還是在云端，數(shù)據(jù)中心都是我們得以享受數(shù)字生活的基礎(chǔ)。這項(xiàng)基礎(chǔ)設(shè)施承載了我們熟知與喜愛(ài)的所有服務(wù)：從網(wǎng)上購(gòu)物和庫(kù)存追蹤，到實(shí)時(shí)地圖導(dǎo)航和內(nèi)容直...

2022-03-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 1121 0

機(jī)械硬盤(pán)持續(xù)大幅滑坡 SSD內(nèi)存和NAND閃存的價(jià)格開(kāi)始逐漸下滑

再來(lái)看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國(guó)的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機(jī)械硬盤(pán)。閃存市場(chǎng)需...

2018-11-08 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存SSD 1119 0

三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開(kāi)始量產(chǎn)，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電

根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒(méi)有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動(dòng)設(shè)備更省電。

2018-07-26 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 1119 0

溢價(jià)近千元的華為Mate 60能否重振手機(jī)市場(chǎng)？

根據(jù)汪偉的介紹，現(xiàn)在交1000元的定金可以預(yù)約的型號(hào)是512千兆字節(jié)（gb）內(nèi)存mate 60，剩下的版本是0元。雖然沒(méi)有準(zhǔn)確的到達(dá)時(shí)間，但256gb和...

2023-09-05 標(biāo)簽：智能手機(jī)內(nèi)存華為mate 1119 0