Creaform推R-Series產(chǎn)品線 美光為AMD顯卡提供高性能GDDR6內(nèi)存

全球領(lǐng)先的技術(shù)與服務(wù)供應(yīng)商博世攜多款展品亮相2022（第四屆）海口國(guó)際新能源汽車(chē)暨智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)展覽會(huì)，全面展示電氣化布局，深耕中國(guó)新能源市場(chǎng)，支持中國(guó)雙...

2022-03-25 標(biāo)簽：內(nèi)存美光Creaform 1563 0

2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)將出現(xiàn)兩極分化 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 NAND需求極增

2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)...

2018-01-25 標(biāo)簽：dramnand內(nèi)存 1562 0

美光正式出貨全球最先進(jìn)的 1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

2022 年?11 月?2 日；內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU...

2022-11-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 1556 0

面向數(shù)據(jù)特征的內(nèi)存跳表優(yōu)化技術(shù)

摘 要:跳表作為數(shù)據(jù)庫(kù)中被廣泛采用的索引技術(shù),優(yōu)點(diǎn)在于可以達(dá)到類(lèi)似折半查找的復(fù)雜度O(log(n)).但是標(biāo)準(zhǔn)跳表算法中,結(jié)點(diǎn)的層數(shù)是通過(guò)隨機(jī)算法生成的...

2022-02-24 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)算法內(nèi)存 1553 0

RAM內(nèi)存與儲(chǔ)存設(shè)備的區(qū)別

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，內(nèi)存（RAM）和儲(chǔ)存設(shè)備（如硬盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)）是兩個(gè)核心組件，它們共同支撐著計(jì)算機(jī)的運(yùn)行。盡管它們都與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)有關(guān)，但它們?cè)诠δ堋⑺俣?..

2024-11-11 標(biāo)簽：RAM內(nèi)存程序 1551 0

英特爾正式發(fā)布了全新一代的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品

2020年12月16日，北京?—— 在今日舉行的2020英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上，英特爾重磅發(fā)布了六款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，旨在幫助客戶(hù)駕馭數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重大...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾存儲(chǔ)內(nèi)存 1550 0

ASCII碼在編程中的應(yīng)用實(shí)例

ASCII碼（American Standard Code for Information Interchange，美國(guó)信息交換標(biāo)準(zhǔn)代碼）在編程中有著廣...

2024-11-10 標(biāo)簽：計(jì)算機(jī)內(nèi)存編程 1548 0

華為DRAM內(nèi)存囤貨量曝光，可堅(jiān)持六個(gè)月

美方對(duì)華為實(shí)施的禁運(yùn)令已經(jīng)執(zhí)行1個(gè)多月了，目前，Intel、AMD、三星顯示屏等拿到了許可，得以繼續(xù)供貨，而三星、SK海力士的內(nèi)存、美光內(nèi)存等則仍無(wú)法繼...

2020-10-29 標(biāo)簽：DRAM華為內(nèi)存 1538 0

金士頓DDR5內(nèi)存通過(guò)英特爾內(nèi)存解決方案_瑞虎8西伯利亞版上市發(fā)布

2021年10月9日北京訊，全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過(guò)英特爾平臺(tái)認(rèn)證，這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過(guò)...

2022-03-16 標(biāo)簽：內(nèi)存金士頓瑞虎 1537 0

三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM

三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。

2020-02-05 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 1535 0

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專(zhuān)為生成式AI時(shí)代打造

2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì)SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)...

2023-08-11 標(biāo)簽：處理器NVIDIAgpu 1531 0

瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)”

? 近日，瀾起科技榮獲全球知名存儲(chǔ)器廠商SK海力士頒發(fā)的“最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)”。此前，瀾起科技曾于2020年12月榮獲SK海力士“質(zhì)量管理優(yōu)異獎(jiǎng)”。 ? 作為...

2023-12-04 標(biāo)簽：內(nèi)存瀾起科技SK海力士 1530 0

在進(jìn)軍NAND閃存之后，紫光集團(tuán)前幾日又跟重慶政府簽署了合作協(xié)議，將在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)內(nèi)存研發(fā)中心及晶圓廠，投資規(guī)模尚未公布，2021年將量產(chǎn)國(guó)產(chǎn)自主的內(nèi)存芯片。

2019-11-29 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存 1528 0

AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”

導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類(lèi)嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)...

2023-12-25 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramsoc 1526 0