開關(guān)電源是一種高效率、高可靠性、小型化、輕型化的穩(wěn)壓電源，是電子設(shè)備的主流電源。廣泛應(yīng)用于生活、生產(chǎn)、軍事等各個(gè)領(lǐng)域。各種計(jì)算機(jī)設(shè)備、彩色電視機(jī)等家用電器等都大量采用了開關(guān)電源。本課題介紹了開關(guān)電源的相關(guān)知識(shí)：開關(guān)器件（電力晶體管、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、DC/DC變換電路、開關(guān)狀態(tài)控制電路以及軟開關(guān)技術(shù)。
一、本課題學(xué)習(xí)目標(biāo)與要求
1．掌握開關(guān)電源主要器件（大功率晶體管GTR、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET）的工作原理和特性。
2．掌握DC/DC變換電路的基本概念和工作原理。
3．了解PWM控制電路的基本組成和工作原理。
4．熟悉PWM控制器集成芯片。
5．了解軟開關(guān)的基本概念。
二、主要概念提示及難點(diǎn)釋疑
1．電力晶體管
在電力電子技術(shù)中，GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。晶體管通常連接稱共發(fā)射極電路，NPN型GTR通常工作在正偏（Ib>0）時(shí)大電流導(dǎo)通；反偏（Ib<0）時(shí)處于截止高電壓狀態(tài)。因此，給GTR的基極施加幅度足夠大的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，它將工作于導(dǎo)通和截止的開關(guān)工作狀態(tài)。
2．電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管
當(dāng)D、S加正電壓（漏極為正，源極為負(fù)），UGS=0時(shí)， D、S之間無電流通過；如果在G、S之間加一正電壓UGS，當(dāng)UGS大于某一電壓UT時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，從而使P型半導(dǎo)體反型成N型半導(dǎo)體而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。電壓UT稱開啟電壓或閥值電壓，UGS超過UT越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，漏極電流越大。