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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI4435BDY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

型號: SI4435BDY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品型號:** SI4435BDY-T1-E3-VB

**絲印:** VBA2317

**品牌:** VBsemi

**參數:**
- 封裝:SOP8
- 溝道類型:P—Channel
- 額定電壓:-30V
- 額定電流:-7A
- 靜態導通電阻(RDS(ON)):23mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1.37V

**封裝:** SOP8

**詳細參數說明:**
SI4435BDY-T1-E3-VB是一款SOP8封裝的P-Channel溝道場效應管。其額定電壓為-30V,額定電流為-7A,具有較低的靜態導通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V時為23mΩ。閾值電壓(Vth)為-1.37V。該器件適用于低壓、中功率的場合,提供高效的功率開關性能。

**應用簡介:**
SI4435BDY-T1-E3-VB適用于各種領域的功率模塊,包括但不限于:
1. **電源模塊:** 用于低壓、中功率的穩壓電源、開關電源等應用,實現能量轉換。
2. **電池管理:** 作為電池管理模塊的一部分,實現對電池的高效充放電控制。
3. **電源逆變器:** 用于太陽能逆變器、電動汽車逆變器等低壓、中功率逆變應用。

**作用:**
在上述模塊中,SI4435BDY-T1-E3-VB的主要作用是實現低壓、中功率的開關控制,以確保模塊的穩定性和高效性能。

**使用注意事項:**
1. **靜電防護:** 在操作過程中,需采取防靜電措施,避免對器件產生損害。
2. **電源匹配:** 在設計中,確保器件的電源與其額定參數匹配,以確保性能和可靠性。
3. **工作條件:** 了解并遵守器件的工作條件和電氣特性,確保在規定的工作條件下使用。

這些建議旨在確保器件的可靠性和性能,具體使用時需參考器件的數據手冊和廠商提供的技術規格。

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