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BLS7G3135L-350P,11

型號: BLS7G3135L-350P,11

--- 產品參數 ---

  • 工作溫度 85

--- 產品詳情 ---

BLS7G3135L-350P,11:高效LDMOS射頻功率晶體管,優化高頻功率放大應用

隨著射頻通信和工業應用的不斷發展,對高功率、高效率射頻器件的需求日益增加。BLS7G3135L-350P,11是一款采用LDMOS技術的射頻功率晶體管,提供了出色的功率輸出與效率,是高頻射頻功率放大器中的理想選擇。

產品詳情

BLS7G3135L-350P,11是一款專為中高頻段設計的LDMOS射頻功率晶體管,工作頻率為3.1至3.5 GHz,輸出功率高達350W。它采用堅固的LDMOS結構,能夠在高功率狀態下保持穩定的性能,并提供高效率和良好的線性度,適用于各種通信與工業應用場景。

技術參數

  • 頻率范圍:3.1 GHz 至 3.5 GHz
  • 輸出功率:350W
  • 增益:16 dB
  • 效率:高達55%
  • 工作電壓:50V
  • 封裝類型:耐用陶瓷封裝,優化散熱性能

應用領域

BLS7G3135L-350P,11在多個射頻領域展現了其卓越的性能,特別是在以下應用中表現優異:

無線通信系統:該晶體管廣泛應用于無線通信基站,提升信號傳輸質量,增強信號覆蓋范圍,確保通信系統的高效運行。

工業微波設備:在工業微波加熱、干燥和其他應用中,BLS7G3135L-350P,11提供強勁的射頻功率輸出,提升設備的性能和可靠性。

高頻射頻功率放大器:該器件在高頻射頻功率放大器中表現出色,適用于需要高效率和高功率輸出的場景,如廣播設備和雷達系統。

產品優勢

高功率輸出與高效率:BLS7G3135L-350P,11在提供高達350W的輸出功率時,仍能保持出色的效率,減少了能耗,提升了系統整體效率,降低了散熱負擔。

寬頻段支持:3.1至3.5 GHz的頻率范圍使其適用于多個高頻應用場景,幫助工程師設計靈活的射頻系統。

耐用封裝設計:陶瓷封裝提供了優異的散熱性能和抗損性,確保器件在長時間工作中仍能保持穩定的輸出和可靠的性能。

總結

BLS7G3135L-350P,11憑借其高功率輸出、寬頻段支持和高效能,成為了射頻功率放大器設計中的重要選擇。無論是在無線通信、工業微波設備,還是其他高頻射頻應用中,該器件都能為工程師提供可靠的解決方案,優化設備性能,提升運行效率。如果您正在尋找高效穩定的射頻功率晶體管,BLS7G3135L-350P,11是一個不容忽視的選擇。

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